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기업정보

SK하이닉스 (000660) SK hynix Inc.
글로벌 메모리 반도체 전문 제조기업
거래소 / 전기전자
기준 : 전자공시 사업보고서(2014.12)


II. 사업의 내용


1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

(1) 산업의 특성

반도체는 모든 IT제품의 필수불가결한 핵심 부품으로서, 컴퓨터를 비롯해 통신장비 및 통신시스템, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계 그리고 컨트롤 시스템 등 그 적용 분야가 매우 광범위 합니다. 시장조사기관인 가트너(Gartner, 2014년 12월, 금액기준)에 따르면, 지난 2014년도 세계 반도체 시장규모는 US$ 3,398억에 이르렀으며, 이중 메모리 제품은 US$804억의 시장규모를 기록하며 전체 반도체 시장의 약 24% 수준에 달하였습니다. 또한 메모리 반도체 시장에서 가장 큰 비중을 차지하는 DRAM은 지난 2014년 US$460억을 기록하며 전체 메모리 시장의 약 57%를 차지하였고, 그 뒤를 이어 낸드플래시가 US$ 299억으로 37%, 노어플래시가 US$ 24억으로 3%를 차지하였습니다.  

아래 표에 나타낸 바와 같이 반도체 산업은 우리 나라 수출에 있어서 12.1%의 비중을 차지하는 매우 중요한 기간 산업 중 하나입니다. 2014년 반도체 수출은 DRAM 시장 개편 및 수요 증가로 전년 대비 9.2% 증가하였습니다.

※ 전체 수출중 반도체 비중

  (단위: 백만USD, %)
구분 2014 2013 2012 2011 2010
총수출 572,664 559,649 548,076 555,214 466,384
반도체 63,065 57,741 50,949 50,879 51,464
전년비 증감율 9.2 13.3 0.1 -1.1 61.2
비중 12.1 10.3 9.3 9.2 11.0

출처 :  관세청, 2015년 2월


가) 메모리 반도체
정보를 저장하고 기억하는 기능을 하는 메모리 반도체는 일반적으로 '휘발성(Volatile)' 과 '비휘발성(Non-volatile)'으로 분류됩니다. 휘발성 메모리 제품은 전원이 끊어지면 정보가 지워지는 반면, 비휘발성 제품은 휴대전화에 전화번호가 저장되는 것처럼 전원이 끊겨도 저장된 정보가 계속 남아 있습니다. 당사는휘발성 메모리인 DRAM과 비휘발성 메모리인 플래시메모리를 생산하고 있습니다.


메모리 반도체 산업은 제품 설계 기술, 공정 미세화 및 투자효율성 제고에 의한 원가 경쟁력 확보가 매우중요한 산업으로서 기술력 및 원가경쟁력을 갖춘 소수의 IDM (Integrated Device Manufacturer)업체 중심으로 점차 과점화되고 있는 추세입니다.

[DRAM(Dynamic Random Access Memory)]
DRAM은 전원이 켜져 있는 동안에만 정보가 저장되는 휘발성(Volatile) 메모리로 주로 컴퓨터의 메인 메모리(Main Memory), 동영상 및 3D 게임 구현을 위한 그래픽 메모리(Graphics Memory)로 사용되고 있으며, 가전제품의 디지털화에 따라 스마트TV, 스마트 냉장고 그리고 프린터 등에도 사용이 확대되고 있습니다. 또한 각종 이동통신 기기의 폭발적 성장에 따라 스마트폰 및 태블릿PC 등에도 모바일용 DRAM의 채용량이 급증하고 있습니다.

[플래시메모리(Flash Memory)]
플래시메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 노어(NOR)형(Code저장형)과 낸드(NAND)형(Data저장형)으로 나눌 수 있습니다. 이중 당사가 생산하는 낸드플래시는 순차적(Sequential) 정보 접근이 가능한 비휘발성 메모리 칩으로서, 디지털 비디오나 디지털 사진과 같은 대용량 정보를 저장하는데 매우 적합합니다.
낸드플래시 제품이 주로 적용되는 분야는 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 네비게이션, SSD(Solid State Drive), Flash Array 그리고 스마트폰, 태블릿PC와 같은 모바일 기기 등입니다. 한편, 최근 플래시 메모리는 일반적인 범용 메모리 보다는 고객지향적인 제품의 수요가 늘어나고 있어 이런 추세에 부합하는 적극적인 응용 제품개발 및 철저한 고객대응의 중요성이 커지고 있습니다.

나) 비메모리 반도체
비메모리 반도체는 정보 처리를 목적으로 제작되는 반도체로 특성에 따라, 아날로그, 로직, 마이크로, 디스크리트, 센서로 분리가 되며, 자사는 이중 CIS를 생산하고 있습니다.

[CIS(CMOS Image Sensor)]

계산과 추론 등 정보처리기능을 담당하는 비메모리 반도체 중에서도, 이미지 센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해 주는 반도체 소자로서 디지털 촬영 기기에서 필름 역할을 하고 있습니다. 이미지센서는 제조 과정과 신호를 읽는 방법에 따라 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두 가지 타입으로 나뉩니다. 최근 CMOS 이미지 센서의 기술이 크게 향상되고 디지털 촬영기기가 소형화됨에 따라, 크기가 작고 전력 소모가 적은 CMOS 이미지 센서의 활용 범위가 점차 확대되고 있으며, 특히 CIS의 사용 분야 중 스마트폰과 태블릿PC향의 출하량과 매출 비중이 각각 50%를 넘어 고성장 추세 입니다.


(2) 산업의 성장성

반도체 산업을 둘러싼 환경은 디지털 기기가 모바일화, 스마트화되고 자동차, 의료기기, 산업기기 등이 인터넷을 기반으로 발전함에 따라 우호적인 시장 여건이 지속되고 있습니다. 2011년과 2012년에는 저성장을 기록하였으나 2013년에 성장세를 회복한 후,  2014년에  전체 반도체는 전년 동기 대비 7.9%, 메모리 반도체 분야는 16.9%의 높은 성장을 기록하여 2년 연속 최대 매출을 기록하였습니다. 2015년 또한 DRAM수요는 PC/모바일에서 서버 영역으로, NAND 수요는 모바일에서 PC/Server 대용량 스토리지 영역으로 주요 수요처가 확대되며 지속적인 성장이 예상됩니다.

메모리 반도체 시장의 지속 성장 전망에 반해 생산(공급) 측면은 제한적인 증가가 예상됩니다. 공정 미세화 기술은 한계에 다다르고 있으며, 생산 및 연구 개발을 위한 투자 비용이 급증하고 있는 반면, 고객들의 요구 성능과 품질 수준은 더욱 다양화 및 고도화되고 있습니다. 이에 기존과 같은 외형 경쟁을 위한 무리한 공급 확대는 제한적일 것으로 전망됨에 따라, 향후 메모리 반도체 산업은 안정적 수요와 제한적인 공급으로 인해 메모리 시장 성장의 기회가 더욱 증대할 것으로 예상됩니다.


[DRAM]
시장 조사기관인 가트너(Gartner, 2014년 12월, 금액기준)에 따르면, DRAM 시장은 세계 경제 침체의 영향으로 인한 PC 수요 감소로 2012년에는 2011년보다 11.3% 하락한 US$262억을 기록했으나 점진적 경기 회복 및 모바일 시장 확대, 수급 안정 등의 요인으로 2013년 $349억(+33%), 2014년 $460억(+32%)의 큰 폭의 매출 성장을 기록하였습니다. 분야별로 살펴 보면, PC 시장은 경기 침체로 인한 저성장 기조가 유지되어 DRAM 수요를 견인하는데 어려움을 겪고 있으나, 2014년 Windows XP의 서비스 종료를 전후로 노후 PC의 교체 수요가 회복 되었으며, 개인용 컴퓨터의 이동성에 대한 요구가 증가함에 따라 울트라북 등 노트북 컴퓨터로의 교체 및 신규 수요가 확대될 전망입니다. 한편, 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 모바일 기기는 DRAM 수요를 견인하는 주요 분야로서, 스마트폰과 태블릿PC에서 채용하는DRAM 용량은 2013년 각각0.76GB와 0.90GB에서 2018년에는 2.28GB와 2.53GB 으로 증가될 것(Gartner, 2014년 12월)으로 예상됩니다, 또한, 고화질의 콘텐츠 유통 증가와 주요 게임 콘솔의 출시에 따라 이를 빠르게 처리할 수 있는 그래픽 메모리의 수요도 증가할 전망입니다. 상기와 같이 디지털 기기의 증가에 따른DRAM 수요 증가뿐만 아니라, 대용량 콘텐츠 처리를 위한 기기당 탑재량 증가에 따라 DRAM 수요는 앞으로도 지속 증가할 것으로 예상됩니다.

[낸드플래시(NAND Flash)]

낸드플래시는 디지털 미디어의 성장과 더불어 스마트폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, MP3 플레이어 그리고 기타 멀티미디어 가전에 사용되는 플래시카드와 USB 드라이브, SSD와 같은 정보저장장치(Storage Devices) 등에 널리 사용되고 있습니다.
가트너(Gartner, 2014년 12월, 금액기준)의 전망에 따르면 낸드플래시 시장은, 2012년에는 -3.7%로 다소 성장이 정체되었으나, SSD 등 스토리지 분야 적용 확대를 통해 2013년에는 23%($289억)의 고성장을 이루었으며, 2014년에도 3.4%($299억)의 성장을 기록하였습니다. 이는 스마트폰, 태블릿 PC을 포함한 휴대용 기기 및 PC용 SSD, 기타 응용복합 제품 등 향후 낸드플래시의 수요를 견인할 제품 시장의 지속적 성장 전망에 기반한 것입니다.
향후에는 Cloud Computing 및 IoT 시대가 전개되며 Data Center의 Storage 용량 확대와 실시간 정보처리의 필요성이 높아질 것이며, 이에 따라 Enterprise용 SSD가 일부 HDD를 대체하고 NAND 시장은 또한번의 도약을 할 것으로 예상됩니다.


[CIS (CMOS Image Sensor)]

이미지센서는 1990년대 중반 디지털 카메라에 장착되어 일반 소비자에게 선보인 이후 PC 카메라, 자동차 블랙박스, 휴대폰카메라, 감시카메라 등 다양한 분야에 활용되어 시장 규모도 크게 증가하는 추세입니다. 특히 스마트폰, 태블릿 PC의 카메라 시장의 수요 증가로 시장이 지속 성장할 것으로 보입니다. 가트너(Gartner, 2014년 12월, 금액기준)의 전망에 따르면 이미지센서 시장은 2012년 US$88억에서 2018년 US$107억 규모로 연평균 3.3%의 성장이 예상되며, 특히 당사가 생산중인 CMOS 이미지센서 시장은 다양한 응용기기로의 확대 적용과 수요 증가로 전체 이미지 센서 시장에서의 비중이 2012년 80.8%에서 2018년 92.9%까지 증가하며 연평균 5.7%의 성장이 전망됩니다.

(3) 경기변동의 특성
세계 반도체 시장은 제품 수명 주기가 매우 짧으며, 새로운 제품의 생산을 위해서는 대규모 투자가 필요한 장치 산업의 특성을 가지고 있습니다. 아울러, 과거에는 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며, 이는 주요 수요처인 미구주의 거시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 매우 컸습니다. 그러나 최근에는 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되고 경쟁력이 부족한 업체들이 일부 구조조정 되어 반도체 산업 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄었습니다. 실제로 메모리 반도체의 경우 미국와 유럽의 매출액 비중은 2012년 21%에서 2018년 12%로 축소가 예상되는 반면, 아시아 지역의 매출액 비중은 2012년 79%에서 2018년 88%로 지속 증가할 전망입니다.(Gartner, 2014년 12월, 금액기준)

[DRAM]
DRAM은 PC 수요에 상당 부분 의존하여 기업의 PC교체 사이클의 영향을 크게 받아왔습니다. 그러나 최근에는 스마트폰 및 태블릿 PC 등 모바일 기기의 폭발적 성장에 따라 DRAM의 주요 수요처가 PC에서 서버 및 모바일로 분산되고 있어, 경기 변동성이 과거에 비해 약화되는 모습을 보이고 있습니다.

한편, 수요의 계절성으로서는 미구주 지역의 신학기, 크리스마스 특수 등 하반기 수요 증가가 뚜렷했으나, 최근에는 아시아 시장의 성장과 스마트폰 신제품 출시 시기의 분산으로 인한 판매시장의 다변화로 전통적인 수요의 계절성이 일부 약화되는 모습도 나타나고 있습니다.


[낸드플래시(NAND Flash)]
낸드플래시는 과거 MP3 플레이어, 메모리카드 등의 수요증가에 힘입어 급속한 성장을 해왔습니다. 또한 최근에는 IT 기기가 스마트화되고 고성능화 됨에 따라 낸드플래시의 주 소비형태가 Controller와 Raw NAND가 결합되는 eMMC와 SSD 등으로 바뀌고 있으며 보다 높은 부가가치를 가지게 되었습니다. 아울러, 이들 eMMC와 SSD제품도 DRAM과 같이 스마트폰, 태블릿PC, 노트북, PC, Server, Storage, Flash Array 등의 다양한 제품에 장착되기 시작하며, 과거에 비해 경기변동성은 줄어들 것으로 예상됩니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]
이미지 센서 시장은 스마트폰, DSLR 등 전통적인 수요처의 강세가 지속되는 가운데, 자동차용 블랙박스, 후방카메라, 스마트TV 등 다양한 산업군과의 Convergence를 통해 시장이 더욱 확대되고 있습니다. 또한 이미지 센서 중 자사가 생산중인 CMOS 이미지센서는 휴대폰, 캠코더, PC 등 멀티미디어 기기 시장의 영향을 크게 받는 제품으로서 소비재의 특성상 경기변동과 기술변화에 민감할 뿐만 아니라 라이프 사이클이 짧은 특징을 가지고 있습니다.

(4) 경쟁요소

반도체 사업의 핵심 경쟁력은 1. 기술 및 원가 경쟁력, 2. 시장 대응 능력(고객확보, 제품 포트폴리오) 3. 설비투자 능력 등이 있습니다. 최근 대량생산이 용이한 표준제품 위주에서 응용분야가 점차 다양화, 융복합화 됨에 따라 시설투자와 생산성 향상을 통한 원가경쟁력 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁의 패러다임이 빠르게 전환되고 있습니다.


지금까지는 적극적 투자에 의한 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁 요소 였지만, 공정 미세화의 난이도 증가와 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대 등 사업환경이 변화함에 따라 앞으로는 생산기술의 고도화를 통한 투자 절감과 제품의 부가가치 증대를 위해 다양한 선행기술 및 응용기술 개발, 메모리 컨트롤러와 펌웨어가 결합된 응용복합제품의 개발이 중요한 사업 경쟁력이 될 것입니다. 아울러 DRAM분야에서의 TSV(Through Silicon Via) 및 New Memory의 원활한 초기시장진입과 eMMC나 SSD 제품의 시장확대를 위해서는 관련 기술업체와의 협업과 더불어 고객 만족도가 중요해짐에 따라 마케팅 및 고객 지원 활동도 핵심 경쟁 요소로 부각되고 있습니다. 이외에도 적기에 시장요구에 부합하는 제품을 출시(Time to Market)할 수 있는 시장 대응력 및 재무 건전성 확보 등이 요구되고 있습니다.




나. 회사의 현황


(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황

지난 2014년은 DRAM 및 NAND 시장 전반에 걸쳐 수요증가와 함께 안정적 가격환경이 조성된 가운데 당사는 미세공정 전환을 가속화하고 고부가가치 제품 비중 확대를 통한 수익성 중심 경영에 주력하였습니다.

당사의 연결 기준 매출은 전기 대비 약 21% 증가한 약 17조 1천 2백 5십 6억 원을 기록하였으며, 연결기준  영업이익은 전기 대비 약 51% 증가한 약 5조 1천 9십 5억 원을 기록하였습니다. 연결기준  당기순이익은 전기 대비 약 46% 증가한 약 4조 1천 9백 5십 1억 원을 기록하였습니다.


(단위 : 백만원)
구 분 제67기 누계
(2014.01.01~
2014.12.31)
제66기 누계
(2013.01.01~
2013.12.31)
전기 대비
증감
매출액

17,125,566

14,165,102

20.9%
영업이익

5,109,466

3,379,785

51.2%
당기순이익

4,195,169

2,872,857

46.0%
※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성된 연결기준 실적입니다.


(나) 공시대상 사업부문의 구분

[제67기 누계]      (단위: 백만원)
구          분 매출액 매출액 비중 (%) 주 요 제 품
반도체 부문 17,125,566 100.0% DRAM, NAND Flash, MCP 등
합계 17,125,566 100.0%
※ 당사는 한국표준산업분류표상의 소분류에 의한 '반도체 및 기타 전자부품 제조업(분류번호: 321)'에 해당하며, 반도체부문의 매출액이 총매출액의 90%를 초과하므로 반도체부문으로 기재함.


(2) 시장점유율


구    분 '14년 3분기 '13년 '12년 '11년 '10년
DRAM 25.7% 26.6% 24.7% 22.8% 21.8%
NAND Flash 11.2% 10.7% 9.9% 11.7% 9.5%

출처: IDC, 2014년 12월, 매출액 기준


(3) 시장 경쟁요소 및 회사의 경쟁력

(가) 메모리반도체 사업

[DRAM]
컴퓨팅 메모리(Computing Memory) 사업의 경우 가격이 높고 품질의 신뢰성이 바탕이 되어야 하는 고용량(High Density) 서버용 제품 비중과 이동성 확대에 따른 노트북(Notebook) 및 울트라북(Ultrabook) 제품의 비중이 확대되고 있습니다.

PC 출하량은 Tablet 등 Mobile Device 성장에 따라 2013년 큰 폭으로 감소하였으나, 전년 이후Tablet 성장세 둔화 등에 기인하여 감소폭은 크게 줄어들 것으로 예상됩니다. 2015년은 ULT(Ultra-Light and Thin) form factor 및 Chromebook을 포함한 저가 PC 수요 증가로 Consumer PC 수요 회복이 전망되고 있습니다.


서버 메모리(Server Memory)는 클라우드 컴퓨팅(Cloud Computing)과 스마트 기기의 성장에 따른 인터넷 데이터 트래픽의 폭발적인 증가로 인하여 지속적인 수요 증대가 전망됩니다. 특히 Google, Facebook, Microsoft와 같은 대형 인터넷 포털 업체의 데이터 센터는 서버 시스템 수요를 빠르게 증가시키고 있는 추세입니다. 당사는 TCO(Total Cost of Ownership) 절감을 중요시하는 데이터 센터의 제품 효율성 요구 증대에 부응하기 위해 저전력과 고속의 서버용 모듈(Module) 제품을 공급 하고 있습니다.한편 2014년 출시된 Intel Haswell-EP CPU로 인해 서버용 DDR4 메모리 수요가 점차 증대되는 추세이며 이는 2016년 Broadwell-EP CPU의 출시 이후 본격적인 시장 증대가 전망됩니다.

그래픽스 메모리(Graphics Memory)는 동영상 및 3D 그래픽 기술의 발전과 함께 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 당사는 주요 그래픽 칩셋 업체들과의 전략적 관계강화를 통하여 데스크탑, 노트북용, HPC용 등 PC 그래픽 및 기존 Game외에 의료, 교육, Network Communication등 분야로 활용 영역을 넓히고 있는 차세대 게임콘솔 분야에서도 주도적인 위치를 공고히 하고 있습니다.

컨수머 메모리(Consumer Memory) 시장은 스마트 디지털TV, 디지털 셋톱박스(Set-top Box), 블루레이 플레이어(Blu-ray player) 등의 디지털 영상 가전제품, 프린터를 포함한 PC주변기기, 자동차용 네비게이션 제품 등에 다양하게 사용됩니다. 또 당사는 클라우드 컴퓨팅 확대에 따른 네트워크 인프라 장비에 맞는 고용량, 고속의 첨단 컨수머 메모리를 개발하여 경쟁력 있는 제품을 시장에 공급하고 있으며, 고온 및 저온에도 견딜 수 있는 극한 환경에 특성화된 IT(Industrial Temperature) 제품과 AT(Automotive Temperature) 제품을 개발, 공급하는 등 고객의 다양한 요구에 적극적으로 대응하고 있습니다.

모바일 메모리(Mobile Memory)는 휴대전화뿐만 아니라 모바일 특성에 연산 기능이 향상된 태블릿PC, 울트라북에도 사용되고 있으며, 디지털 카메라, 네비게이션, MP3 플레이어등과 같은 모바일 컨슈머 제품등에도 채용이 확대되고 있습니다. 라이프 스타일 변화에 따른 IT 수요 증가 및 무선 통신 환경의 발전, 정보통신 융합(Convergence)의 가속화로 현재 가장 성장성이 높은 제품입니다. 스마트폰과 테블릿의 성능 강화와 다양한 Wearable 기기 등장 그리고 신흥 시장의 스마트폰 보급률 확대 추세는 향후에도 모바일 메모리 제품의 수요를 견인할 것으로 예상됩니다.

[낸드플래시(NAND Flash)]

낸드플래시는 데이터 저장 용도로 쓰이는 대표적인 메모리 반도체로서, 빠른 테크놀로지의 진화로 매년 높은 성장률을 기록하였습니다. 낸드플래시 시장이 이렇게 성장을 지속하는 이유는 최첨단 IT기기 및 다양한 소비자 가전에서 낸드플래시 채용률이 지속적으로 높아지고 있기 때문입니다.

과거에는 플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처였으나, 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 분야에서 멀티 미디어 기능의 확대에 따른 채용량 증가로 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 또한, 스마트TV, 스마트카 등의 신개념 도입으로 인하여 과거에 저용량의 낸드플래시 메모리만 사용했던 분야에서도 고용량 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 최근에는 SSD(Solid State Drive)와 같은 낸드플래시를 기반으로 한 다양한 형태의 Storage Solution이 노트북은 물론이고 서버 시장에서도 주요 제품군으로 자리잡고 있어, 향후 낸드플래시 메모리시장의 지속적인 성장을 견인할 것으로 전망되고 있습니다.


이와 같은 낸드플래시 시장에서 당사는 저용량부터 고용량까지 다양한 단품 및 응용 복합 제품을 기반으로 고객의 수요에 보다 적극적으로 대응하고 있으며, 응용분야별 선택과 집중을 통하여 낸드플래시 경쟁력을 확보하고 시장 지배력을 높여 가고 있습니다. 또한, 높은 기술력을 바탕으로 Floating Gate 방식의 10nm대 Planar NAND 및 3D NAND를 개발, 빠른 NAND 시장 변화에 발 맞추어 대응하고 있습니다.

(나) 비메모리반도체 사업

회사는 지난 2007년 11월, 제품 포트폴리오를 더욱 다양화하고, 기존 메모리 사업 역량을 활용하여 안정적인 수익성과 높은 투자효율성이 기대되는 CIS 사업에 재진출하였습니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]
CIS는 모바일 폰, 노트북, 태블릿, 디지털 카메라 등 다양한 디지털 기기에서 필름 역할을 하는 반도체 소자이며, 2011년부터 2017년까지 연평균 성장률 약 16%의 시장을 형성할 것이라고 예상되고 있습니다.
(출처: Techno-Systems Research, 출하량 기준)

현재는 모바일 폰과 노트북, 태블릿에 가장 많이 쓰이고 있으나 최근 화질이 크게 향상되면서 의료 기기, DSLR 및 캠코더, 자동차, 보안 장비, 게임기, 가전 제품 등으로 응용 범위가 급속히 확대되고 있습니다. 전체 Application 중 수량 비중이 가장 큰 모바일 폰의 경우, 화상 통신이 가능한 전면부 카메라(Front Facing Camera)와 사진 촬영을 위한 후면부 카메라(Rear View Camera)용으로 두 개의 이미지 센서가 장착되고 있으며 이러한 경향은 태블릿에도 반영되어 기기당 이미지 센서 탑재 비율 역시 늘어나는 추세입니다.

최근 Smartphone 시장과 Phablet 시장에서는 서브 카메라로 2M/5M 제품과 메인 카메라로 8M/13M가 보편화 되고 있으며, Flagship model에는 16M/21M와 같은 초 고사양 제품이 후면 카메라로 채용되고 있습니다. 한편, 노트북 용 이미지센서 시장은 HD, FHD가 주류를 이루고 있으며 일부 저가 model에는 VGA 제품으로 전환 되는 경향을 보이고 있습니다. 나아
가 태블릿 역시 VGA~5M의 제품이 전면 카메라와 후면 카메라에 채용되고 있습니다.

당사는 센서 중 가장 많은 수량 비중을 점유하고 있는 모바일폰 응용시장과 이와 유사한 특징을 요구하고 있는 노트북 시장, 그리고 최근 급속한 성장세를 보이고 있는 Tablet과 Toy 시장에 집중하고 있으며, 고화소 시장으로의 진입을 위해 5M/8M 나아가 13M 라인업 구축을 위해 노력하고 있습니다. 아울러 응용 시장 확대를 통해 신규 시장 및 지역, 고객을 발굴하여 매출의 안정성 강화와 사업 수익성을 개선하고 있으며, 새로운 시장 및 고객을 창출하기 위해 IP개발과 신기술 확보를 통해 기술 및 가격 경쟁력을 보유한 제품 개발에도 주력하고 있습니다.


2012년 4분기에는 BSI(Back-Side Illumination) 기술을 적용한 제품 개발이 완료되었으며, 2013년부터 BSI 기술을 적용한 8M, 5M, FHD, HD 제품의 안정적 생산과 효율적인 고객대응으로 마켓 포지션을 강화하고 있습니다. 2014년 4분기에는 첫 13M 제품 출시를 통해 고화소 시장으로도 확대하고 있습니다.


시장의 니즈에 맞추어 제품을 개발하는 것 이외에도, Chipset, AP 업체 등과 협업을 통한 제품 기획과 판매가 최근 활발히 이루어지고 있으며, 최근 모바일 디바이스의 얇은 Bezel 특성을 맞추기 위해 두께를 낮추는 소형화 추세에도 발맞추어 가고 있습니다.


그리고 고객과 시장 확대를 위하여 국내, 중국, 일본 뿐 아니라 미구주 지역 등에서도 다양한 마케팅 활동와 고객 지원활동을 진행하고 있으며,
고객 확대와 애플리케이션 다양화로 CIS시장에서의 입지를 강화해 나갈 계획입니다.


(4) 조직도(제출일 기준)

이미지: 조직도

조직도


다.  사업부문별 재무정보

당사는 반도체제조업부문의 매출액과 자산총액이 전체부문의 90%를 초과하는 지배적 단일사업부문으로서 부문별 기재를 생략합니다.



2. 주요 제품, 서비스 등

가.  주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품   목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율)
반도체 부문 제품 외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용 전자기기 SK하이닉스 17,125,566 (100%)
합계 17,125,566 (100%)


나. 주요 제품 등의 가격변동추이

14년 DRAM 가격은 우호적인 수급환경에 힘입어 PC DRAM 등 전 제품에 걸쳐 안정적 가격 환경이 유지되었습니다.
또한 14년 NAND 가격은
상반기 채널향 제품 및 모바일향 응용제품의 가격 하락으로 가격 약세가 지속되었으나 하반기에 모바일향 수요가 개선에 따라 하락폭이 안정화되었습니다.



3. 주요 원재료에 관한 사항

당사의 메모리반도체 부문 생산공정에 투입되는 원재료는 크게 웨이퍼(Wafer), 리드프레임(Lead Frame) 및 섭스트레이트(Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고 기타 재료등으로 구성됩니다.

웨이퍼는 집적회로(Integrated Circuit, IC)를 제작하기 위해 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 규소(Ingot)를 얇게 절단하여 원판모양으로 만든 것으로서 반도체 소자를 만드는 데 사용되는 핵심 재료입니다.

리드프레임은 반도체 IC를 구성하는 또 다른 주요 요소이며 반도체 칩과 PCB 기판간의 전기신호를 전달하면서 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하고 지지해주는 골격 역할을 하는 부품입니다.

섭스트레이트는 리드프레임과 같은 기능을 하지만 전기신호를 전달하는 역할을 하는 다리를 기존의 금속 다리가 아닌 공(Ball) 모양의 연결부분을 이용한 부품입니다.

PCB는 그 위에 저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모 집접회로(Large-Scale Integration), 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시키는 인쇄 배선판입니다. 그 외 가스 및 화학약품 등이 반도체 제조 공정에 투입되는 원재료로 소요됩니다.


가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원, %)
사업부문 매입유형 품   목 구체적용도 투입액 비율 비   고
반도체 부문 원재료 Wafer F A B 418,717 13 -
Lead Frame&
Substrate
P K G 179,535 5 -
PCB M O D 123,286 4 -
기타
1,260,828 38 -
소계 1,982,367 60 -
저장품 S/P , 부재료
1,303,973 40 -
합  계 3,286,340 100 -


나. 주요 원재료의 매입처 및 원재료 공급시장과 공급의 안정성

당사는 일본, 독일, 미국, 한국 등에 생산시설을 보유한 5개사로부터 반도체 공정의 주요 원자재인 300mm 웨이퍼 완제품을 수입 하고 있습니다. 당사는 당사와 거래하는 매입처 등과 일상적인 영업활동 이외의 특수한 관계를 갖고 있지 않습니다. 당사가 거래하고 있는 상기 5개사는 전체 300mm 웨이퍼 시장의 90% 이상을 차지하고 있습니다.

웨이퍼는 그 원재료가 되는 폴리 실리콘의 수급 동향에 따라 300mm 웨이퍼 완제품 가격이 큰 영향을 받습니다. 특히, 폴리 실리콘은 웨이퍼 이외에도 태양전지(Solar Cell)의 원료로도 사용되기 때문에 태양전지의 수요에 따라 폴리 실리콘의 일시적 부족현상이 발생하면 웨이퍼의 공급에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서, 당사는 주요 원재료인 웨이퍼의 원활한 확보를 위해 유가 및 폴리 실리콘 시장의 가격동향은 물론, 동일한 원재료를 사용하는 태양전지 수급동향을 지속적으로 모니터링하고 있습니다.

최근 반도체 공정에 사용되는 웨이퍼 수요 증가 추세에 따라 당사는 웨이퍼 시장의 수급동향을 지속적으로 모니터링하고 있으며, 당사 주요 매입처와의 중장기적 협력 관계 강화를 통해 안정적 생산 지원 및 대응력을 강화해 나갈 것입니다.



4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

당사는 국내사업장 기준 4조 3교대로 운영되고 있으며, 휴일(공휴일 포함)을 포함하여 2014년 총 가동일은 365일로, 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 가동률을 고려하여 계산한 당사의 평균가동시간은 월 12,223,850시간입니다.

생산능력은 "해당 분기까지의 최대생산일의 생산량ⅹ누적일수ⅹ평균원가"의 방법으로 산출하고 있으며, 2014년 생산능력은 10,346,301백만원입니다.


(1) 생산능력

(단위 : 백만원 )
사업부문 제67기 연간 제66기 연간 제65기 연간
반도체 부문 10,346,301 9,685,779 9,942,732
※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다.


나. 생산실적 및 가동률

당사의 2014년 생산실적은 10,346,301백만원으로 집계되었으며, 동 기간 생산설비의 평균가동률은 100%를 유지하였습니다.


(1) 생산실적

(단위 : 백만원)
사업부문 제67기 연간 제66기 연간 제65기 연간
반도체 부문 10,346,301 9,685,779 9,942,732
※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다.


(2) 가동률

(단위 :시간, %)
사업부문 가동가능시간 실제가동시간 평균가동률
반도체 부문 146,686,200 146,686,200

100

※가동률은 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산함.


다. 생산설비의 현황

당사의 시설 및 설비의 장부가액은 작성기준일 현재 14조 903억원이며, 상세 내역은 다음과 같습니다.
(단위 : 백만원)
구    분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계
2014.01.01







취득원가 504,398 1,853,434 533,333 31,885,948 2,412 741,870 686,964 36,208,359
감가상각누계액
△518,446 △304,622 △22,299,425 △2,185 △530,357
△23,655,035
손상차손누계액
△24,840 △21,412 △356,844
△2,290 △10,393 △415,779
정부보조금
△332
△7,304
△112
△7,748
기초순장부금액 504,398 1,309,816 207,299 9,222,375 227 209,111 676,571 12,129,797
기중변동액







취득
59,216 11,985 153,594 98 28,014 5,160,565 5,413,472
처분
△1,114 △1,436 △197,242 △14 △734 △5,231 △205,771
손상차손
△23,620 △1,777 △4,139


△29,536
감가상각
△55,986 △21,260 △3,117,150 △177 △73,893
△3,268,466
대체 38,097 139,858 83,673 3,874,432 730 90,310 △4,228,188 △1,088
환율변동 등 457 5,371 3,707 42,431 △1 1,321 △1,360 51,926
기말순장부금액 542,952 1,433,541 282,191 9,974,301 863 254,129 1,602,357 14,090,334
2014.12.31







취득원가 542,952 2,020,429 621,345 34,956,922 3,037 772,843 1,602,357 40,519,885
감가상각누계액
△562,724 △319,991 △24,721,170 △2,174 △516,774
△26,122,833
손상차손누계액
△23,847 △19,163 △254,598
△1,646
△299,254
정부보조금
△317
△6,853
△294
△7,464
기말순장부금액 542,952 1,433,541 282,191 9,974,301 863 254,129 1,602,357 14,090,334


라. 투자계획

2014년 당사의 입고 기준 투자집행 실적은 다음과 같습니다.
[입고기준] (단위 : 십억원)
구 분 투자대상자산 투자효과 투자 기간 기투자액
(제67기 누적)
비 고
보완투자 등 기계장치 외 생산능력증가 2014.01.01~
2014.12.31
5,215 -
합 계 5,215 -



5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품 목 제67기 제66기 제65기
반도체 부문 제품 외 DRAM,
낸드플래시, MCP 등
17,125,566 14,165,102 10,162,210
합 계 17,125,566 14,165,102 10,162,210
※ 매출실적은 연결기준입니다.
※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다.


나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직

국내에서는 마케팅부문 내 AP영업팀 관할 하에 대리점 8개사를 운영하고 있습니다. 해외 판매법인은 미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국 등에 10개 법인이 소재하고 있으며 산하에 18개의 사무소 및 12개 대리점을 두고 있습니다.


(2) 판매경로

당사의 판매 경로는 크게 직판 거래와 대리점 거래로 나눌 수 있습니다. 직판 거래는 당사에서 일반 기업체 등 실 수요자에게 직접 판매를 하는 것이고, 대리점 거래는 당사가 대리점을통해서 일반 기업체 등의 실 수요자에게 판매하는 것입니다.


(3) 판매방법 및 조건

내수 판매는 국내 대리점 등의 수주 현황에 의거하여 현금 또는 어음 결제조건으로 거래하고 있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C에 의거하여 신용장 또는 D/A, D/P 조건 등으로 거래하고 있습니다.


(4) 판매전략

당사 판매 전략은 '비즈니스 포트폴리오 최적화', '수익 구조 개선', '고객 관계 유지', '지역별 포지셔닝 유지' 등 4가지를 근간으로 하고 있습니다.

비즈니스 안정성을 위해서 포트폴리오의 최적화를 추진하고 있으며 서버, 그래픽, 모바일,컨수머 등 응용분야의 매출 확대를 위해 제품 구성을 다양화 하고 있습니다.
수익 구조 개선을 위해서 고부가가치 제품 판매를 확대하고 시장 통찰 능력을 강화하여 미래시장 발굴을 추진하고 있습니다.
고객 관계 유지를 위해서 고객 가치 제안 활동을 강화하고 특화된 제품을 제공하여 고객 만족 제고를 추진하고 있습니다.
지역별 특성을 고려하여 차별화된 제품 전략으로 지역별 전략 고객 매출 확대를 추진하고 있습니다.


(5) 주요 매출처

반도체는 IT 컨수머 제품 전체에 걸쳐 그 수요처가 다양하며, 당사는 세계 유수의 Computing 관련 전자 업체와 모바일 디바이스 제조업체, 대용량 저장장치와 메모리 카드 생산 업체 등에 제품을 공급하고 있습니다.



6. 수주상황

당사는 주요 고객사들과 월별/분기별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있으며, 장기공급 계약에 따른 수주 현황은 없습니다.



7. 시장위험과 위험관리

가. 시장위험

(1) 환율변동위험

연결실체는 국제적으로 영업활동을 영위하고 있어 외환위험, 특히 주로 달러화, 유로화 및 엔화와 관련된 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 외환위험은 미래예상거래, 인식된 자산과 부채 및 해외사업장에 대한 순투자가 기능통화 외의 통화로 표시될 때발생합니다.

당기말 현재 연결실체의 화폐성 외화자산 및 외화부채의 내역은 다음과 같습니다.

(원화단위: 백만원, 외화단위: 외화 백만단위)
구  분 자  산 부  채
현지통화 원화환산 현지통화 원화환산
USD 4,729 5,198,150 2,844 3,126,097
EUR 3 4,508 50 67,141
JPY 11,558 106,347 26,580 244,575
합계   5,309,005   3,437,813


당기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 법인세비용차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위: 백만원)
구  분 10% 상승시 10% 하락시
USD 207,205 (207,205)
EUR (6,263) 6,263
JPY (13,823) 13,823
합계 187,119 (187,119)



(2) 가격위험

연결실체는 당기말 현재 공정가치로 평가하는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 않습니다. 따라서 연결실체는 재무상태표상 매도가능금융자산으로 분류되는 보유 지분증권의 가격위험에 노출되어 있지 않습니다.


(3) 이자율 위험

연결실체의 이자율위험은 미래의 시장이자율 변동에 따라 차입금에서 발생하는 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금에서 발생하고 있습니다. 변동이자율로 발행된 차입금으로 인하여 연결실체는 이자율위험에 노출되어 있으며 동 이자율위험의 일부는 변동이자부 현금성자산으로부터의 이자율위험과 상쇄됩니다.

연결실체는 이자율위험을 변동이자수취/고정이자지급 스왑을 이용하여 관리하고 있습니다. 이러한 이자율 스왑은 변동이자부 차입금을 고정이자부 차입금으로 바꾸는 경제적 효과가 있습니다. 일반적으로, 연결실체는 변동이자율로 차입금을 발생시킨 후 고정이자율로 스왑을 하게 됩니다. 스왑계약에 따라 연결실체는 거래상대방과 특정기간(주로 분기)마다, 합의된 원금에 따라 계산된 고정이자와 변동이자의 차이를 결제하게 됩니다.

연결실체는 당기말 현재 변동이자부 금융상품과 관련하여 이자율 위험에 노출되어 있습니다. 당기말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 하락 또는 상승시 향후 1년간 연결실체의 변동금리부 차입금 및 금융자산으로부터의 이자비용과 이자수익으로 인한 법인세비용차감전순이익은 15,267백만원 만큼 증가 또는 감소하였을 것입니다.


나. 회사의 위험관리 정책

(1) 위험관리의 일반적 전략

[위험관리규정]
당사는 보다 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 환위험 관리규정 제정, 외환관리위원회 구성 및 환리스크 관리를 위한 별도의 전담 인원을 배정하여 운영하고 있으며, 그주요 내용은 ①외환거래는 환 리스크를 회피하고 안정적 경영 수익을 확보하기 위해 실행되어야 하며, ②실수요와 공급에 의한 거래를 원칙으로 하고, ③환위험 관리의 정책은 자연적 헤지(Natural Hedge)를 기본으로 하되 필요시 선물환 등 외부적 관리기법을 일부 시행하고, ④회사의 환위험 관리는 주관부서에서 집중하여 관리하며, 주관부서는 환포지션을 파악하여 외환관리위원회가 설정한 지침에 따라 관리하고 있습니다.

[파생상품계약 운용]
현재 환위험 헤지 목적의 파생상품 운용은 없습니다.


(2) 위험관리조직 및 운영 현황

당사는 외환관리에 관한 의사결정기구로서 외환관리위원회를 운영하고 있으며, 외환관리위원회의 주요 업무는 다음과 같습니다.
① 외환 관리 정책, 전략 심의 및 의결
② 외환 관리 규정의 제정 및 개정
③ 외환관리 목표와 허용 손실한도의 설정
④ 외환위험 헤지 범위 및 헤지 비율, 관리수단 등의 조정
⑤ 외환포지션, 환율 변동 영향, 환율 전망 등 환관련 정보의 공유


다. 위험관리 관련 추진사항

당사는 영업상의 환율 변동 영향을 축소하기 위해 파생상품 거래를 체결하고 있습니다. 파생상품 거래를 매매목적의 거래로 분류하여 회계처리 하고 있으며, 발생된 손익은 기업회계기준에 따라 당기손익으로 인식하고 있습니다. 파생상품의 공정가액은 거래은행이 제공한 평가내역을 이용하고 있습니다.



8. 파생상품 거래현황

연결실체는 이자율 스왑 등을 통하여 이자율위험 등을 관리하고 있습니다. 또한, 내재파생상품인 해외전환사채에 내재되어 있는 전환권옵션을 분리하여 공정가치로 평가하여 당기손익으로 인식하였습니다.

당기말과 전기말 현재 기타금융자산 및 기타금융부채로 계상되어 있는 파생금융자산 및 파생금융부채의 내역은 아래와 같습니다.

(단위: 백만원)
구  분 당기말 전기말
부  채 자  산 부  채
유  동:
이자율스왑                  30 - 2,194
비유동:
이자율스왑                 708 272 245
내재파생상품          - - 106,849
소  계                 708 272 107,094
합  계                738 272 109,288


당기와 전기 중 파생상품 거래와 관련하여 금융수익 및 금융비용으로 인식한 평가손익 및 거래손익은 다음과 같습니다.
① 당기

(단위: 백만원)
구  분 평가이익 평가손실 거래이익 거래손실
이자율스왑                 215                 980              2,955                 237
내재파생상품 -           171,016 -              2,691
합  계     215 171,996     2,955 2,928


② 전기

(단위: 백만원)
구  분 평가이익 평가손실 거래이익 거래손실
통화선도 - - 3,630 5,308
이자율스왑 2,507 - 26 1,242
내재파생상품 - 93,085 - -
합  계 2,507 93,085 3,656 6,550




9. 경영상의 주요계약 등

계약 상대방 항목 내용 비고
삼성전자 계약 유형 특허 크로스 라이선스 계약
계약 기간 2013년 6월 1일~
목적 및 내용 삼성전자가 보유하고있는 반도체 관련 모든 특허에 대한 사용권을 확보하여 향후 잠재적 분쟁 가능성 원천적 해소
기타 주요내용 -
Rambus Inc. 계약 유형 특허 크로스 라이선스 계약
계약 기간 2013년 7월 1일~2018년 6월 30일
목적 및 내용 라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소
기타 주요내용 특허 및 반독점 소송 등 램버스와 진행중인 모든 소송 취하
실리콘화일 계약 유형 주식교환계약
계약 기간 2014년 1월 28일 계약 체결일
목적 및 내용 주식의 포괄적 교환을 통해 실리콘화일을 완전자회사로 편입하여
CIS 사업의 경영 효율성 증대

기타 주요내용 주식교환일: 2014년 4월 22일
주식교환비율: 에스케이하이닉스 보통주 : 실리콘화일 보통주
=1 : 0.2232438

Softeq Flash Solutions LLC 계약 유형

주식 인수


계약 기간

2014년 5월 15일


목적 및 내용

NAND Flash 개발 역량 향상을 위해 인수


기타 주요내용 -

Violin Memory 계약 유형

자산 인수


계약 기간

2014년 5월 29일


목적 및 내용

NAND 솔루션 역량 강화를 위해, Violin사의 PCIe Card 부문 자산 및 인력을 인수


기타 주요내용

PCIe Card 관련 특허에 대한 Cross-License 체결


Toshiba 계약 유형 공동 개발 계약
계약 기간 2015년 02월 05일
목적 및 내용 차세대 노광기술(Nano Imprint Lithography) 개발
기타 주요내용 -



10. 연구개발활동


가. 연구개발 담당조직

당사는 보고서 제출일 현재, 미래기술부문 및 미래기술연구원과 DRAM개발부문(DRAM기술본부, DRAM제품본부), NAND개발부문(NAND개발본부, NAND Solution개발본부)에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다.



이미지: 연구개발조직도

연구개발조직도


나. 연구개발비용

(단위 : 백만원)
과       목 제67기 제66기 제65기 비 고
원  재  료  비 50,849 44,940 42,571 -
인    건    비 573,698 440,289 335,212 -
감 가 상 각 비 157,476 129,047 132,448 -
위 탁 용 역 비 153,570 101,378 43,117 -
기            타 488,147 428,824 384,933 -
연구개발비용 계 1,423,739 1,144,477 938,281 -
회계처리 판매비와 관리비 1,242,363 954,206 807,704 -
제조경비  - - - -
개발비(무형자산) 181,376 190,271 130,577 -
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
8.3% 8.1% 9.2% -
※ 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다.


다. 연구개발 실적

구   분 연구과제명 기대효과
제67기 1) 2x나노급 Enterprise향 SSD 자체 개발한 컨트롤러 및 펌웨어를 채용한 자사 최초 2x나노급 Enterprise향 SSD 제품으로, Power Loss Protection 기능을 탑재하여 순간적으로 전원이 차단되어도 모든 데이터를 안전하게 보호할 수 있으며, 어떠한 환경에서도 지속적인 성능 및 Latency를 유지하도록 하여 서버 시스템에 최적화 되어 있음. 향후 지속적인 성장이 예상되는 데이터 센터에 사용하는 솔루션으로 자사 SSD 사업 확대를 통한 매출 및 수익성 확보에 기여할 것으로 기대됨.
2) 4G LPDDR2 모바일 2y나노 기술로 개발된 제품으로서 2x나노 Tech 모바일 DRAM이 사용되고 있는 시장의 Tech migration을 통한 Low cost 전략 제품임. 기존 대비 Net die 70% 증가로 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨.
3) 5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, FSI)
중국 시장에서 판매되고 있는 기존 제품 대비 수익성 증대를 위해 Net die를 11% 증가시킨 제품으로 원가 절감을 통한 제품 경쟁력 향상으로 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 보임.
4) 5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, BSI)
중국 및 한국 시장의 중저가 스마트폰향으로 전면 및 후면카메라에 5M 제품의 채용이 확대되고 있어 중저가폰의 고화질 제품으로의 판매 확대가 예상됨
5) 5M 1/5" (90nm, 1.12um pixel, BSI) 5M 제품의 픽셀 크기 축소되는 추세에 맞추어 이를 적용한 제품으로서 향후 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 예상됨.
6) 1x나노급 Client SSD 자사 SSD 제품에 10나노급 NAND를 채용하여 기존 20나노급 SSD 제품 대비 원가 경쟁력을 확보함으로써 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
7) 1.0M 1/6" (90nm, 1.75um Pixel, BSI) Notebook향 기존 제품의 원가를 개선한 제품으로 90나노 BSI Tech을 적용하여 기존 제품 대비 감도를 향상하였고 생산 효율성을 개선함으로써 향후 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨.
8) 2ynm 4Gb DDR3(x16) 2014년 이후 4Gb 시장 수요 수익 창출을 위한 Embedded 향 제품 개발. 원가 경쟁력 확보하였으며 고객 Sample 조기 대응으로 Consumer, Graphics, Computing 등으로 응용처 확대가 예상되어 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 예상됨.
9) 2ynm 4Gb GDDR5 DRAM 2y나노 기술을 적용한 Graphic 제품으로, 2014년 4분기 이후 Graphics 시장이 2Gb에서 4Gb로 전환되는 상황에서 생산 효율화를 통한 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨.
10) 2ynm 8Gb LPDDR4 Mobile 2y나노 기술로 개발된 차세대 Mobile DRAM 제품으로서 고사양 smartphone 및 tablet 시장의 12.8GB/s 이상 High bandwidth를 요구하는 제품에 채용 예정임.
Mobile 외 Computing향 제품에 채용될 것으로 예상되는 제품으로 향후 매출 및 수익성 확보에  기여할 것으로 예상됨
11) 2xnm 2Gb HBM TSV 기술 이용한 제품으로 Graphics에서 Post GDDR5 대체하는 신규 제품을 세계 최초로 개발 완료하였으며, 업계 최초 1.2V 동작 전압에서 초당 128GB 데이타 처리 가능한 고성능 제품임. 향후 HPC, Network 등 다양한 응용처로 확장되어 매출과 수익성 확대에 기여 할 것으로 보임.
12) 5M, 1/4" (90nm, 1.40um Pixel, SoC) 5M SoC 첫 제품으로서 보급형 스마트폰 시장을 목표로 개발된 제품으로 삼성 및 중국 시장에 진입 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨.
13) 2ynm 6Gb LPDDR4 Mobile 2y나노 기술로 개발된 차세대 Mobile DRAM 제품으로 고사양 스마트폰 및 태블릿향 제품 중 3GB를 요구하는 제품에 채용될 것으로 예정으로 LPDDR4 초기 시장 진입에 기여할 것으로 예상됨
14) 2ynm 4Gb LPDDR3 미세공정전환을 통한 수익성 개선 제품으로 mid-end 급 SmartPhone 向 위주로 Buisiness 전개 예상 됨.
15) 2ynm 8Gb DDR4 8Gb Base로 개발된 DRAM 2ynm DDR4 제품으로 Premium Server 시장 선도를 위해 전략적으로 개발되었으며 TSV 및 3DS  패키징 기술력을 바탕으로 주요 고객사에 인증이 완료되었음.
16) 2ynm 4Gb DDR4 DRAM 2y나노 기술로 개발된 DDR4 제품으로 Intel Broadwell System 기반 DDR4 Server 수요 증가 및 고객 채용을 예상하며 15년 이후 DDR4 초기 시장을 선점하여 DRAM 매출 및 수익성 확보에 기여할것으로 예상됨.
17) 1xnm 64Gb MLC 기존 1x나노 제품의 원가경쟁력을 강화한 제품으로 Wafer 1장당 얻을 수 있는 Chip수를 개선하였음에도 불구하고 특성과 신뢰성이 개선하여 매출증대에 큰 기여를 할 것으로 예상됨
18) 1xnm 128Gb TLC 자사 최초의 TLC 제품으로 1x나노 기술을 기반으로 개발됨. 동일 Cell에 3bit를 저장하는 방식으로 기존의 2bit를 저장하던 MLC 대비 높은 Bit growth를 실현한 제품으로 원가경쟁력 향상에 크게 기여할 것으로 기대됨.
19) 1xnm 2nd Client SSD 1x나노급 NAND를 채용한 자사 SATA Controller 탑재 SSD 제품으로 고용량 NAND를 채용하여 1T이상의 SSD 시장 대응이 가능하며, 주요 OEM 고객 인증으로 매출 및 수익성 확보에 기여 할 것으로 예상됨
20) 3D 1st 128Gb MLC 공정 미세화 한계 극복하고자 3차원 구조로 Cell 적층하는 기술 적용한 자사 첫 제품이며, 기존 2차원 구조 대비 높은 신뢰성과 특성을 가진 3D 시장진입의 교두보 확보할 수 있는 기술을 확보하였다는 의미가 있음.
구   분 연구과제명 기대효과
제66기 1) 4Gb GDDR5 GDDR5 제품중 20나노급 공정 기술을 적용한 첫 고용량 제품으로서 그래픽 시장의 프레임 버퍼(Frame Buffer) Size 증가 요구를 반영한 제품임. 저전력 고성능 구현으로 그래픽 시장을 리드할 것으로 기대되는 프리미엄 제품으로, 하이브리드 설계구조 적용으로 원가 경쟁력을 위한 와이어 본딩/8Gbps 솔루션으로 Flip Chip 동시 지원 가능.
2) 32/64/128/256GB mSATA SSD 지난해 인수한 SKHMS와의 시너지를 통한 첫 자체 2y나노 SSD(mSATA) 제품으로 기존 2x나노 SSD 제품 대비 우수한 성능과 원가 경쟁력을 가지고 있음. OEM향 노트북, 태블릿 시장에서 다양한 고객 요구에 대응할 수 있는 제품을 확보함에 따라 매출과 수익성 확대에 크게 기여할 것으로 기대됨.
3) 4/16/32/64GB e-NAND(eMMC4.5) 2y나노 eMMC4.5 제품으로 기존 2y나노 eMMC4.41 제품 대비 2배 이상 향상된 성능을 통해 Ci-MCP와 고용량 eMMC 제품의 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
4) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel, Hi-257) 중국 시장에서 저가형 스마트폰의 메인 카메라로 2M 제품 채용이 확대되고 있는 시점에서 Net Die를 기존 제품 대비 40% 증가시킨 제품으로서 당사의 시장점유율을 확고히 하는데 기여할 것으로 기대됨.
5) 4Gb DDR4 20나노급 공정 기술을 적용한 세계 최초의 DDR4 양산 제품으로 인텔 하스웰(Haswell) 시스템 개발 초기부터 참여하여PMO(Platform Memory Organization) 샘플 대응을 통해 시스템과 모듈간 Align을 진행. 자사 최초로 인텔 CDC(Columbia Design Center) FlugFest에 참석하여 Green Light 획득. DDR4 시장의 선도적 진입 및 리더십 확보를 위한 교두보를 마련하였음.
6) 2Gb GDDR5 20나노급 공정 기술을 적용한 제품으로 기존 30나노급 대비생산성 향상에 기여. 기존 제품 대비 퍼포먼스(저전력 및 고속 동작 지원)가 향상되어 그래픽 메모리 시장을 선도하며, 2Gb 제품의 주력 생산이 될 제품. High-end PC향 그래픽 및 서버 등에도 채용을 추진중으로 신규 시장 창출이 기대됨.
7) 2Gb SLC NAND 30나노급 기술을 적용한 4bit ECC 지원 제품으로 모바일향으로 개발되었으며, 기존 40nm급 대비 생산성이 29% 향상됨. 공정 미세화를 통한 수율과 품질을 확보하여 가격 경쟁력 확보 및 수익성 향상이 예상되며, 당사의 시장점유율을 높이는데 기여할 것으로 기대됨.
8) 64Gb MLC NAND 세계 최초 1x나노 공정을 적용한 핵심제품으로서 기존 고용량 20nm 64Gb 제품 대비 생산성이 크게 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으며, 최근 크게 수요가 증가되고 있는 모바일향 eMMC 및 PPN, 스토리지향 SSD 등 솔루션 제품 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨.
9) 64/128/256/512GB STD2.5" SSD,
64/128/256GB M.2 SSD
자체 개발한 컨트롤러를 채용한 2y나노 2.5인치 스탠다드SSD 및 M.2 SSD 제품으로 기존 2y나노 SSD 제품 대비 우수한 성능과 원가 경쟁력을 확보함으로써 향후 높은 성장성과수익성이 예상되는 PC OEM 시장 집중 및 고객 다변화로 SSD 매출 및 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
10) 4Gb LPDDR3 모바일 2x나노 기술로 개발된 제품으로 모바일 기기의 High performance 요구와 울트라북의 Low Power 제품 채용에 따른 모바일 DRAM 매출 확대에 기여할 것으로 예상됨.
11) 1Gb/512Mb DDR2 4x나노에서 2x나노로 전환한 컨수머향 DDR2 제품으로 nVIDIA社 Automotive향 Biz 진입을 통해 지속적으로수익을 창출하는 제품으로 자리잡을 것으로 기대됨. 또한 Half Chip 설계 기술 적용으로 512Mb Density 시장에 대해서도 전략적 대응이 가능.
12) 8Gb LPDDR3 모바일 2y나노 기술로 세계 최초 개발된 8Gb LPDDR3 제품으로 최근 요구되고 있는 모바일 기기의 High Performance 와 저전력 특성을 확보하였으며, 두께에 민감한 제품 수요에 대응할 수 있어 모바일 DRAM 매출 확대에 기여할 것으로 예상됨.
13) 16/32/64GB e-NAND(eMMC4.5) 1x나노 공정의 NAND 제품을 적용한 모바일 솔루션 제품으로 기존 2Ynm eMMC4.5 제품 대비 원가 경쟁력을 확보하였으며, Small PKG 고용량 제품 라인업 완성으로 자사 모바일 제품 경쟁력을 확보하여 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
14) 128,256GB M.2 2260 SSD 자사 2y나노 Tech NAND를 적용한 울트라북용 SSD 제품으로 차세대 Formfactor를 지원함으로써 신규 시장의 주요 OEM 고객 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨.
15) 4Gb DDR3 Main Memory 2y나노급 세계 최소 Cell Size 제품 개발로 원가 경쟁력 확보하였으며 R/H Free 대응으로 품질 경쟁력 확보 및 고용량 제품에 대한 지속적인 수요 대응으로 PC 및Server시장 매출 확대에 기여 할 것으로 예상.
16) 1G LPDDR2 Modem 통신 방식이 3G에서 LTE로 진화함에 따라 LPDDR1에서 LPDDR2 Migration이 발생하고, 이에 대한 SOC 업체의 SIP 대응을 위한 KGD 제품 개발로 매출 향상에 기여할 것으로 예상.
17)6G LPDDR3 PKG Height로 인해 8G LPDDR3로 대응이 불가능한 3GB Solution 대응을 위해 개발 추진. Time to Market을 위해 개발 기간 단축 달성 및 세계 최초 6Gb LPDDR3 개발. 자사의 개발 역량 표출 및 3GB Solution에서 시장선점과 매출 향상에 기여할 것으로 예상.
18) 64G MLC B-die 세계 최소의 1x나노 공정을 적용한 핵심제품으로써 기존 1x나노 64G MLC 대비 Net Die 개선을 통해 원가 경쟁력 향상에 기여하였으며, 이를 통해 최근 크게 수요가 증가되고 있는 Mobile향 eMMC 및 PPN과 Storage향 SSD 등 Solution제품 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨.
19) 128G MLC 세계 최소의 1x나노 공정이 적용된 자사 최초 128G High Density 제품임. SSD 적용 시 적층을 통해 1TB까지 지원이 가능하여 대용량 Storage 시장 공략을 위한 NAND Line Up을구축.
20) 32G MLC 기존 2x나노 32G MLC 대비 세계 최소 1x나노 공정 적용을 통한 Net Die 개선으로 원가 경쟁력 향상을 이끌어내었으며, 이를 통하여 eMMC 및 CiMCP에 적용되어 제품 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨.
21) 8/16/32GB e-NAND(eMMC5.0) 차세대 고성능 eMMC 인터페이스 규격을 지원하는 1x나노 eMMC5.0 제품 출시를 통해 eMMC 시장에서 원가 및 성능 경쟁력을 확보하였으며, 기존 OEM 고객 외에도 중국 등의 신규 고객 확보를 통한 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
22) 32/64GB M.2 2242 SSD 2x나노 Tech NAND와 Amber Controller를 적용하여 만든 Cache 용 SSD 제품으로 인텔의 차세대 SSD 규격인 M.2 2242를 지원하고, 최근 Trend인 Dual Driver(SSD Cache+HDD Main Storage) Ultrabook 시장 진입을 통해 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨.
23) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel) 2M MIPI I/F를 지원하는 Hi-256의 수익성을 개선한 제품으로 중국향 Low-cost 버전인 Hi-257을 기반으로 MIPI I/F를 추가하여 Net die를 Hi-256 대비 증가시켜 수익성 개선에 크게 기여함과 동시에 중국 시장의 MIPI I/F 채용 확대로 시장 점유율 확대에도 기여할 것으로 보임.
24) 1.7M 1/6"(90nm, 1.75um pixel) 이미지 센싱 기능 외에 근접센서/조도센서/Motion detection/Face Recognition 등의 부가 기능을 one-chip화 함으로써 부가 가치를 창출하고 틈새 시장에 진출하여 매출에 기여할 것으로 기대됨.
25) 8M 1/4"(90nm, 1.12um BSI pixel) BSI 1.12um Pixel을 적용한 첫 제품으로 모바일폰에서 가장 많은 점유율과 성장률이 예상되는 8M 제품 개발을 완료함으로써 향후 CIS 매출에 많은 기여를 할 것으로 기대됨.
구   분 연구과제명 기대효과
제65기 1) 64Gb MLC NAND 2y나노 공정을 적용한 핵심제품으로써 기존의 고용량 2x나노 64Gb 제품 대비 생산성이 40% 이상 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으며, 최근 크게 수요가 증가하고 있는 모바일향 솔루션 제품 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨.
2) 4Gb LPDDR3 30나노급 기술을 적용한 LPDDR3 제품으로 기 양산중인 LPDDR2 제품 대비 고속 및 저전력 동작이 가능함. PC에 채용되는 DDR3 제품의 속도를 구현할 수 있어 저전력 고속 동작을 요구하는 고사양 스마트폰 및 태블릿 PC에 채용될 예정임.
3) 1Gb DDR3(x16) 30나노급 기술을 적용한 컨수머 제품으로, 컨수머 어플리케이션에서의 Long Term Supportability를 확보하기 위한 제품임. 자사 최초로 Array E-Fuse 기술이 적용된 제품으로 향후 모든 DRAM에 적용 가능한 Array E-Fuse 설계 요소 기술을 확보하여 상용화를 달성하였으며, Cost Effective Test Baseline 구축 가능 효과가 있을 것으로 기대됨.
4) 2Gb DDR3 20나노급 공정을 적용한 DRAM 핵심제품으로 기존 30나노급 제품 대비 생산성이 크게 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으며, 설계 및 소자 기술의 혁신으로 저전력, 초고속 특성이 확보되어 수익성 향상에 큰 기여를 할 것으로 기대됨.
5) 32Gb MLC NAND 20나노급 공정을 적용한 eMMC향 제품으로 모바일 기기의 Small PKG 대응을 통해 제품 경쟁력을 확보하여 모바일향 솔루션 제품 수익성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대됨.
6) 16Gb MLC NAND 20나노급 공정을 적용한 저용량 eMMC 및 USD향 제품으로모바일 기기의 저용량 제품 대응을 통해 20나노급 제품 포트폴리오를 강화하여 모바일향 솔루션 제품 수익성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대됨.
7) 4Gb SLC NAND 30나노급 SLC 제품으로 기존 40나노급 제품 대비 생산성이크게 향상되어 Mid/Lowend Smartphone향 MCP 제품 경쟁력 확보 및 모바일 제품 수익성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대됨.
8) 4/8/16/32GB e-NAND(eMMC4.41) 20나노급 NAND를 사용 기존 20나노급 제품 대비 높은 성능과 원가 경재력을 확보하여 고성능 대용량의 스마트폰과 태블릿 PC등의 모바일 시장에서 수익성 향상에 크게 기여할 것으로 기대됨.
9) 64/128/256GB STD2.5"SSD 20나노급 NAND를 사용하여 만든 SSD(SATA 6.0Gbps) 제품으로 자사 브랜드로는 최초의 사용화 제품임. 최근 급성장하는 데스크탑, 노트북등의 SSD 시장에서 고부가가치의 NAND 솔루션 제품으로 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨.
10) 32/64/128GB mSATA SSD 20나노급 NAND를 사용한 mSATA 규격(SATA 6.0Gbps)의 제품으로 최근 급성장하는 울트라북 OEM향 SSD 시장에서제품 경쟁력을 확보하여 수익성 향상에 크게 기여할 것으로기대됨.
11) 1Gb CDR(x512) 소니社의 고객 System 개발과 연계하여 Biz를 이어나갈 제품으로 개발 되었으며 자사 최초로 Multi-Channel Wide IO(x512) DRAM을 개발하였고, 향후 모바일 플랫폼의 주요 기술인 Wide IO TSV기술 개발에 기여할 것으로 기대됨.
12) 4Gb DDR3 2012년까지 주력 제품이 될 High Density 제품으로 30나노급에 이어 원가 및 퍼포먼스 측면에서 경쟁력 있는 20나노급을 개발함으로써 수익성 향상에 기여할 것으로 기대되며,특히 온도에 따라 대기전류를 효율적으로 제어하는 기술을 통해 저전력 시장요구에 부합하는 제품으로 향후 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대됨.
13) 2GB e-NAND(eMMC4.41) 20나노 Base Emmc4.41 제품 확보로 Low Density 제품 라인업에도 경쟁력을 확보 함. 향후 컨수머향 Low Density 제품에 진입기회를 확보 할 수 있음.
14) 4Gb LPDDR2 20나노급 모바일 DRAM 기술을 적용하여 개발된 제품으로 최근 스마트폰 시장에서 수요가 급증하고 있어 기존 30나노급 제품 대비 수익성 향상에 기여할 수 있을 것으로 예상됨.
15) 2M MIPI CSP, 1.75um, 130nm 기 양산중인 Hi-255 제품을 기반으로 CSP 패키지가 가능하도록 개발된 제품으로 향후 중국 시장 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨.
16) 2Gb DDR3(x16) 그래픽&컨수머 시장의 주력 제품으로 30나노급 이후 20나노급 개발을 통해 수익성 향상에 기여한 제품으로, 특히 빠른 속도(1Ghz) 및 저전력(1.35V) 특성확보를 통해 그래픽&컨수머 시장의 리더쉽을 유지하는데 기여할 것으로 기대됨.
17) 60/120GB STD 2.5" SSD 20나노급 NAND 및 새로운 컨트롤러를 적용한 2.5" 스탠다드(SATA 6.0Gbps) SSD 개발로 기존제품 대비 높은 성능과 안정성을 제공할 것으로 예상됨.
18) 2Gb LPDDR 30나노급 모바일 DRAM 기술을 적용하여 개발된 제품으로 중국향 저가 스마트폰에 채용되는 기존 40나노급 제품 대비수익성 향상에 기여할 수 있을 것으로 예상됨.



11. 기타 투자의사결정에 필요한 사항


가. 최근 3년간 신용등급

[국내]

평가일 평가대상
유가증권등
평가대상 유가증권의
신용등급
평가회사 신용평가등급범위 평가구분
12.02.16 회사채(수시평가) A NICE신평 AAA ~ D 수시평가
12.02.17 회사채(수시평가) A 한기평 AAA ~ D 수시평가
12.02.17 회사채(수시평가) A 한신평 AAA ~ D 수시평가
12.05.24 회사채(정기평가) A NICE신평 AAA ~ D 정기평가
12.05.24 회사채(정기평가) A 한기평 AAA ~ D 정기평가
12.05.24 회사채(정기평가) A 한신평 AAA ~ D 정기평가
12.05.24 회사채(212) A 한신평 AAA ~ D 본평가
12.05.24 기업어음(본평가) A2 NICE신평 A1~D 본평가
12.05.24 기업어음(본평가) A2 한기평 A1~D 본평가
12.05.24 기업어음(본평가) A2 한신평 A1~D 본평가
12.08.22 회사채(213) A NICE신평 AAA ~ D 본평가
12.08.22 회사채(213) A 한기평 AAA ~ D 본평가
12.08.22 회사채(213) A 한신평 AAA ~ D 본평가
12.12.24 기업어음(정기평가) A2 NICE신평 A1~D 정기평가
12.12.24 기업어음(정기평가) A2 한기평 A1~D 정기평가
12.12.27 기업어음(정기평가) A2 한신평 A1~D 정기평가
13.06.20 회사채(정기평가) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가
13.06.20 회사채(정기평가) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가
13.06.27 회사채(정기평가) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가
13.06.20 기업어음(본평가) A2+ 한기평 A1~D 본평가
13.06.20 기업어음(본평가) A2+ 한신평 A1~D 본평가
13.06.27 기업어음(본평가) A2+ NICE신평 A1~D 본평가
14.05.30 회사채(정기평가) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가
14.06.18 회사채(정기평가) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가
14.06.20 회사채(정기평가) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가
14.06.19 기업어음(본평가) A1 한기평 A1~D 본평가
14.06.18 기업어음(본평가) A1 한신평 A1~D 본평가
14.06.20 기업어음(본평가) A1 NICE신평 A1~D 본평가
14.12.12 기업어음(정기평가) A1 한기평 A1~D 본평가
14.12.18 기업어음(정기평가) A1 한신평 A1~D 본평가
14.11.13 기업어음(정기평가) A1 NICE신평 A1~D 본평가


[해외]

평가일 평가대상
유가증권등
평가대상 유가증권의
신용등급
평가회사 신용평가등급범위 평가구분
12.02.14 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가
12.02.15 발행회사 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가
13.02.22 발행회사 BB S & P AAA ~ D 수시평가
13.08.20 발행회사 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가
13.12.05 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가
14.11.21 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가
14.12.12 발행회사 Ba1 Moody's Aaa ~ C 수시평가
※ 상기 S&P 및 Moody's의 본점 소재지는 미국임.



[참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 등급정의
신용등급 등급의 정의
AAA 원리금 지급확실성이 최고 수준임
AA 원리금 지급확실성이 매우 높지만, AAA등급에 비하여 다소 낮은 요소가 있음
A 원리금 지급확실성이 높지만, 장래의 환경변화에 따라 다소 영향을 받을 가능성이 있음
BBB 원리금 지급확실성이 있지만, 장래의 환경변화에 따라 저하될 가능성이 내포되어 있음
BB 원리금 지급능력에 당면문제는 없으나, 장래의 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포되어 있음
B 원리금 지급능력이 부족하여 투기적임
CCC 원리금의 채무불이행이 발생할 위험요소가 내포되어 있음
CC 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 높음
C 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 지극히 높음
D 현재 채무불이행 상태에 있음
※  AA ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함.



[참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 기업어음의 등급정의
신용등급 등급의 정의
A1 적기상환능력이 최상이며, 상환능력의 안정성 또한 최상임
A2 적기상환능력이 우수하나, 그 안정성은 A1에 비해 다소 열위임
A3 적기상환능력이 양호하며, 그 안정성도 양호하나 A2에 비해 열위임
B 적기상환능력이 적정시되나, 단기적 여건변화에 따라 그 안정성에 투기적인 요소가 내포되어 있음
C 적기상환능력 및 안정성에 투기적인 요소가 큼
D 상환 불능상태임
※  A2 ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함.



[참고] 해외 신용평가사 Moody's 등급 정의
신용등급 등급의 정의
Aaa 최소한의 신용 리스크를 보이며, 최고의 신용상태를 가진 것으로 판단됨.
Aa 신용상태가 우수한 것으로 판단되며 신용리스크가 매우 낮음.
A 중상위 등급으로 간주되며 신용 리스크가 낮음.
Baa 신용 리스크가 보통 수준임. 이들은 중위 등급으로 간주되며 그에 따라 일부 투기적 특징을 가질 수 있음.
Ba 투기적 요소가 있는 것으로 판단되며 신용 리스크가 상당한 수준임.
B 투기적인 것으로 간주되며 신용 리스크가 높음.
Caa 신용상태가 불량한 것으로 판단되며 신용 리스크가 매우 높음.
Ca 투기성이 매우 높고 부도상태이거나 부도에 매우 근접해 있을 가능성이 높으며 원리금 회수 가능성이 어느 정도 있음.
C 채권의 최하 등급. 일반적으로 부도상태이고 원리금 회수 가능성이 거의 없음.
※ Aa부터 Caa까지 각 일반 등급 분류에 1,2,3의 숫자를 부여함. 숫자 1은 해당 등급 분류 내에서 상위에 있음을, 숫자 2는 중위에, 숫자 3은 하위에 있음을 나타냄.



[참고] 해외 신용평가사 S&P 등급 정의
신용등급 등급의 정의
AAA 채무상환능력이 극히 높음. 최상 등급임.
AA 채무상환능력이 매우 높음, 상위 등급과 크게 차이는 없으나 최고 수준은 아님.
A 채무상환능력이 높음, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.
BBB 채무상환능력은 충분하나, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.
BB 가까운 장래에 채무불이행이 발생할 가능성은 비교적 적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 충분히 고려됨
B 현재로서는 채무상환능력이 있으나, 상위 등급의 기업에 비해 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 높음.
CCC 현재 채무불이행 가능성이 있으며, 채무이행 능력은 경영, 재무, 경제 상황이 호의적일 경우에만 있다고 보여짐.
CC 채무불이행 가능성이 현재로서 상당히 높음.
D 채무만기시 1건 이상의 채무를 상환하지 못한 기업을 의미함.
※ AA등급에서 CCC등급까지는 해당 등급에서의 상대적인 위치에 따라 '+', '-'를 추가로 부여할 수 있음.


나. 회사의 고객관리 정책

당사는 IT 산업을 대표하는 글로벌 기업으로서 당사 매출기여도가 매우 높고 당사 판매 전략과 부합하는 고객을 '전략 고객(Strategic Account, S/A)'으로 정하여 관리하고 있습니다. 당사의 S/A 고객은 본 보고서 작성일 현재 총 15개사로 각 응용 분야별 전략 고객의 관리를 통하여 안정적인 매출 기반을 확보함은 물론 제품 구성을 다양화하여 수익성을 극대화하고 있습니다.


다. 지식재산권 보유현황

2014년 12월 31일 현재 당사는 반도체와 관련하여 총 13,244건의 지식재산권을 보유하고있습니다. 통상적으로 등록권리는 해마다 증가하나, 매년 기 등록된 권리를 평가하여 등록유지 또는 포기여부를 결정하고 있어 포기된 권리로 인해 그 수치가 다소 감소할 수있습니다.

당사 지식재산권은 총 61인으로 구성된 전담조직에서 출원, 등록 및 사후관리, 분쟁대응등을 담당하고 있습니다.

특허권 및 상표권은 각국 특허법 및 상표법에 근거하여 보호되고 있습니다. 특허권의 존속기간은 출원일로부터 20년이고, 상표권은 등록일로부터 10년이며 상표권은 갱신등록절차를 통해 존속기한을 연장할 수 있습니다.


라. 정부나 지방자치단체의 법률 규정 등에 의한 규제사항

'산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 제11조'에 의하여 국가핵심기술로 지정된 반도체 제조기술을 해외로 이전하는 경우, 수출자는 산업통상자원부에 신고할 의무를 지니고 있습니다. 이에 당사는 제품개발 경쟁력 강화를 위한 해외 생산공장 및 기술센터에 반도체 기술 이전 시 관련법 및 절차를 준수 이행하고 있습니다.


마. 환경보호 정책 및 현황


(1) ESH경영시스템 인증

당사는 국제 인증규격 ISO14001(환경경영시스템) 및 OHSAS18001(안전보건경영시스템)과 국내 인증규격 KOSHA18001(안전보건경영시스템) 인증을 받고 있으며, 이를 통해 ESH경영활동의 객관성 확보 및 효과를 극대화하기 위한 활동들을 수행하고 있습니다. ESH 경영시스템 내부 전문심사원을 양성하여 기업활동으로 인해 발생하는 환경안전보건 영향요인을 모니터링 및 관리하고 있으며, 환경안전보건분야의 지속적 개선 추구를 통해, 환경영향을 최소화하고 건강하고 안전한 사업장을 구축하기 위한 노력을 지속 수행하고 있습니다.


(2) 기후변화 협약 대응

당사는 기후변화와 관련된 유무형의 위험과 기회 관리를 위해 기후변화 관련 규제를 준수하며 적극적으로 대응하고 있습니다. 또한 기후변화로 인해 발생할 수 있는 비용 및 제품 품질 관리를 위한 전략을 마련하고 고객 및 정부의 신뢰도를 지속적으로 확보하여 환경에 대한 새로운 가치를 창출할 수 있도록 전사적 수준의 대응을 하고 있습니다.

[온실가스 에너지 목표관리제]
당사는 정부에서 시행하는 온실가스 에너지 목표관리제 관리업체로서 2011년부터 당사의온실가스 배출량을 측정, 검증하여 보고하고 있으며, 매년 온실가스 저감 목표를 수립하여 달성을 위해 노력하고 있습니다.
공정가스인 PFCs 배출 저감을 위해 대체가스 적용, PFCs 저감 장치 효율 관리를 위한 EPA 방법론 도입 및 운영, 공정 최적화, 촉매가스 활용 등 다양한 아이템을 지속적으로 추진하고 있으며 에너지 절감 활동에서는 전사 Task Force 운영을 통해 저감 아이템 발굴 및 이행, 저감 로드맵 수립, 운영현황 공유 등 체계적인 관리 하에 에너지 저감 활동을 강화하고 있습니다.

[CDP(탄소정보 공개 프로젝트) 탄소경영 최우수기업 5년 연속 선정, 명예의 전당 입성]
당사는 탄소정보 공개 프로젝트(CDP: Carbon Disclosure Project) 한국위원회가 선정하는탄소경영 최우수 그룹인 '탄소경영 글로벌 리더스 클럽'에 5년 연속 편입되어 국내 최초, 국내 유일 기업으로 명예의 전당에 입성하였습니다.


(3) 친환경제품을 위한 노력

[전과정 평가(Life Cycle Assessment, LCA)/Eco-efficiency/탄소성적]
2013년 10월에는 환경부로 부터 20나노급 4G DDR3 제품에 대하여 반도체 업계 최초 환경성적표지 인증 획득했을 뿐 아니라 2014년에는 20나노급 64Gb NAND Flash 제품까지 인증을 확대 하였습니다. 또한 회사는 2008년도부터 Eco-efficiency를 개발하여 각 제품별 환경성을 공개하고, 환경영향을 감소시키기 위한 지표로 활용하고 있습니다.

당사는 2013년 12월 20나노급 4G DDR3 제품에 대해 영국 로이드 인증원으로 부터 국내 최초 탄소라벨링 인증을 획득하였으며, 2014년 4월에 20나노급 4Gb LPDDR2 제품과 4Gb LPDDR3 제품에 대해 환경부로부터 저탄 소제품 인증을 획득하였습니다. 이는 2009년 탄소성적표지 최초 인증 이후 10 번째로 받은 인증으로 회사는 앞으로도 주요 DRAM 및Nand Flash 제품에 대해 지속적으로 탄소성적표지 인증을 획득 할 계획입니다.


(4) 기타 환경보호 정책

2009년 5월, 환경경영에 대한 투명성 및 진정성을 확보하기 위해 국내 대표적 NGO인 환경운동연합 및 환경경영 전문가로 환경경영검증위원회를 구성하여, 당사 환경경영성과에 대한 검증을 진행하고 그 결과를 환경경영검증위원회 보고서로 발행하였습니다.

2010년도 부터는 검증위원회에서 자문위원회로 변경, 환경경영자문위원회를 개최하여 오고 있으며, 당사의 전반적인 환경경영 및 환경전략관련 의견을 수렴 후, 경영활동에 반영하고 있습니다. 2014년 11월, 건강한 일터를 만들어가기 위하여 외부 전문가 와 노사대표로 구성된 SK 하이닉스 산업보건검증위원회를 구성하여 운영 해 오고 있습니다.





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