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기업정보

DB하이텍 (000990) DB HiTek Co.,Ltd.
동부그룹 계열의 시스템 반도체 전문 제조기업
거래소 / 화학
기준 : 전자공시 사업보고서(2014.12)


II. 사업의 내용


1. 사업의 개요

가. 산업의 특성

 반도체는 모든 IT제품에 들어가는 핵심 부품입니다. 따라서 컴퓨터를 비롯해 통신기기, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계, 컨트롤 시스템 등 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 반도체는 정보를 저장하고 기억하는 메모리 반도체와 암산과 추론 등 논리적인 정보처리 기능을 하는 시스템 반도체로 크게 구분됩니다. 2014년도 세계 반
도체 시장규모는 약 3,230억불(이하 “미 달러 기준”)에 이르렀으며 이 중 당사가 영위하고 있는 시스템 반도체는 전체 반도체 시장의 약 79%를 차지하고 있습니다. 시스템 반도체는 고기술, 고성장, 고부가가치의 유망산업으로 스마트폰, 태블릿, 디지털TV, 자동차, 보안장비 등 다양한 분야에 활용되고 있습니다.

나. 업계의 현황


2014년 세계 반도체시장은 전년 대비 6% 성장하였으며, 2015년은 스마트폰, 태블
릿 등 지속 성장 영향으로 전년대비 9% 수준의 성장률을 보일 것으로 예상되며 파운
드리 시장은 이보다 높은 17%의 성장이 예상됩니다.


2015년 제품별 반도체 시장은 전년대비 메모리17%, 마이크로콤포넌트10%, 옵티컬
반도체8%, 아날로그7%, 로직4%의 성장률을 보일 것으로 전망되며, 어플리케이션
별로는 커뮤니케이션 19%, 산업용13%, 자동차용7%, 컨슈머 2%, 데이터 프로세싱
0.5%수준 성장이 예상됩니다.


. 회사의 현황

 
회사는 서울에 본사를 두고 있으며, 부천(FAB1)과 상우(FAB2) 두 곳에 공장을 운영하고 있습니다. 또한 해외 영업을 위해 미국법인 및 대만, 일본, 유럽, 중국 지사를 운영해 오고 있습니다.
 회사의 주요 사업부문은 웨이퍼 수탁 생산 및 판매를 담당하는 Foundry 사업과 디스플레이 구동 및 Sensor IC 등 자사 제품을 설계, 판매하는 Brand 사업을 운영하고 있습니다.


라. 영업개황


(1) 지배회사 및 종속회사

[지배회사] 동부하이텍

회사는 부가가치가 높고 시장이 큰 Analog 파운드리를 강화하고 있으며, 이와 병행하여 자사 제품 사업 영역을 확장해 가고 있습니다.


파운드리 사업은 공정 Shrink를 통한 효율 향상, Product Life Cycle 연장, 특화 공정 확대를 통한 수익률 제고 등을 추진하고 있습니다. 또한 Mixed Signal 제품 및 고객 확대, Analog 공정 특성 강화 및 신규공정 개발에도 주력하고 있습니다.


CIS (CMOS Image Sensor) 공정은 Mobile 용 제품의 지속적 매출 확대 및 Security, Automotive, Medical, 조도센서 등 Non-Mobile 용 제품에 대해서도 개발, 신규 고객 발굴로 매출이 점차 증가하고 있습니다.


Flash 공정의 경우 기존 Standalone Flash 외 미래 성장을 위한 고부가 공정기반의 Embedded Flash(eFlash) 공정개발을 완료하여 첫 양산에 성공하였으며, 사업확대를 위해 MCU, Touch Sensor 시장 등을 목표로 전략 고객 프로모션을 강화하고 있습니다.


최근 회사의 Analog& Power 공정에 대한 수요 증가로 국내 및 해외 전략고객에 대한 제품 생산을 확대하고 있습니다. 또한 경쟁사 대비 용도별 최적화된 공정기술과 핵심기술을 확보하여 Analog 반도체 전문기업으로서의 위상을 높여 나가고 있습니다.


브랜드 Display 구동IC 사업은 TV 및 IT용 뿐만 아니라 Mobile 및Tablet용 등으로 디스플레이와 관련된 제품 포트폴리오를 확대하고 있습니다. 또한 고객은 국내 외에 중국, 대만, 일본 등 해외 프로모션을 강화하고 있습니다.


[종속회사] Dongbu HiTek USA


 2003년 2월 미주 지역의 Foundry 및 신사업 촉진을 위한 영업ㆍ마케팅 활동과 선진기술 도입을 목적으로 미국 캘리포니아주 산타클라라에 설립되었습니다.

미국 지역의 Foundry 고객에 대한 밀착 지원 및 신규 고객에 대한 Promotion과 RF Tuner Chip을 설계 및 개발을 주요 사업으로 하고  있습니다.

(2) 공시대상 사업부문의 구분
 회사는 단일사업인 반도체사업만을 영위하고 있습니다.

(3) 시장점유율 등

최근 3년간 각 부문별 시장점유율 및 경쟁사의 점유율은 다음과 같습니다.

구  분 동부하이텍 TSMC Global
Foundries
UMC SMIC
Foundry 2014년 2% 49% 11% 10% 5%
2013년 2% 49% 11% 10% 5%
2012년 2% 46% 11% 10% 5%
(*) 시장조사기관 자료 기준


마. 신규사업 등의 내용 및 전망

 

 회사는 Fab 특성에 맞게 Analog 응용분야에 주력함으로써 Specialty Foundry 분야의 선도기업 지위를 유지하기 위해 역량을 집중하고 있습니다.


또한 자사 Brand 사업은 Display Solution, Sensor Solution 및 TDI(Touch+LDI),  TED(T-con+LDI)등 융복합 제품 확대로 미래 성장을 준비하고 있습니다.


바. 조직도

이미지: 2014 조직도

2014 조직도

2. 주요 제품, 서비스 등

가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)
매출유형 품   목 구체적용도 주요상표등 매출액
제품
(Wafer)
Fab System-LSI
Wafer 외
신호처리용 Chip
제조용 Wafer 외
Samsung, Mediatek,
Texas Instruments 등
567,718


나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(단위 : $)
구 분 제62기 제61기 제60기
Fabricated
System-LSI Wafer
(반도체)
~0.13㎛ 380~2,344 394 ~ 2,442 400 ~ 3,500
~0.18㎛ 374~2,986 374 ~ 2,912 374 ~ 2,910
~0.25㎛ 399~1,050 413 ~ 1,050 250 ~ 1,050
0.35㎛~ 240~3,148 240 ~ 2,795 240 ~ 2,685


3. 주요 원재료에 관한 사항

가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원, %)
매입유형 품   목 구체적용도 매입액 비 율 비   고
원재료 Wafer 공정용 Wafer 양산공정용 45,019 49% LG실트론 외
Chemical 공정용 Chemical 양산공정용 23,858 26% 동우화인켐 외
Gas 공정용 Gas 양산공정용 6,204 7% OCI머티리얼즈 외
Target 공정용 Target 양산공정용 1,707 2% Nippon Mining 외
Reticle Photo Mask 양산 및 개발용 12,289 13% 토판포토마스크 외
부재료 기타 공정용부자재 Line 소모품 3,162 3% 한국닛또덴코 외
합          계 92,239 100%


나. 주요 원재료 등의 가격변동추이

(단위 : $)
구분 품목 제62기
(Unit Price)
제61기
(Unit Price)
제60기
(Unit Price)
비고
Wafer 국내/수입 공정용 Wafer $47.57
$47.57
$48.54 평균단가
산출
Chemical 국내/수입 Slurry Chemical 류 $15.91 $15.91 $16.24
국내/수입 Wet Process Chemical $0.97 $0.97 $0.99
Gas 국내/수입 공정용 Gas $857.40 $889.86 $1,017.80



(1) 산출기준

 - 산출대상 : 반도체 FAB Process용 원ㆍ부재료 중 매입액 상위 선정품목

 - 산출단위 : Wafer(Piece), Chemical(Liter, Gallon, Kg), Gas(Cyl)

 - 산출방법 : 평균단가


(2) 주요 가격변동 원인
 - 반도체 Wafer 및 Gas 의 단가 인하, Slurry Chemical 단가 인상

 - 국내외 시장의 수급상황에 따른 가격 변동

(3) 가격변동 세부내역
 - Wafer :  
 2014년 Wafer 단가 인하 및 Wafer별 구매 비중 변경으로 상위품목 기준으로 평균 단가가 변동하였습니다.  주요 Wafer의 사용 비중이(매입 상위 품목 기준) 전년도 대비 Epi Wafer의 비중은 줄고, 상대적으로 단가 경쟁력이 있는 Polished Wafer 사용량이 2배 가까이 증가되어 평균 단가 변동 요인으로 작용하였습니다.

- Chemical :  
 1) IPA 구내 단가 Trend
 2014년 3분기 대비 4분기 단가 변동 폭은 환율 상승으로 인상되는 Trend입니다.
* IPA연동단가 = 전전월 ICIS평균시세(U$/kg)*원단위(1.04)+부대비용/월평균TTM
* 월 단위 IPA단가

14년 7월 14년 8월 14년 9월 14년 10월 14년 11월 14년 12월
\1,868 \1,903 \1,921 \1,919 \1,941 \1,973


2) Ceria slurry 원재료(Ce-Carbonate 45~50%) 국제가 Trend
 Ceria Slurry 단가의 주요 원재료인 Ce-Carbonate 45~50% 의 4분기 국제가는
 세계적인 불황을 반영하여 3분기 대비 24% 하락하는 Trend 입니다.

14년 7월 14년 8월 14년 9월 14년 10월 14년 11월 14년 12월
$7,137 $6,869 $6,736 $6,145 $5,085 $4,480


4. 생산 및 설비에 관한 사항


가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

(1) 생산능력

(단위 : Wafer , 백만원)
품 목 사업소 제62기 제61기 제60기 연간
수량 금액 수량 금액 수량 금액
Fabricated
-LSI Wafer
부천 Fab 53,100 - 53,100 - 52,150 -
상우 Fab 42,730 - 42,730 - 40,795 -
소계 95,830 - 95,830 - 92,945 -
(*) 월단위 Standard Capacity 기준이며, Product Mix에 따라 Capacity별 금액 산출이 상이하여 금액을 미표시하였습니다.


(2) 생산능력의 산출근거

(가) 산출기준 및 방법 등

 ① 산출기준
   - 반도체 표준생산능력 : 부천 FAB 53,100 / Month, 상우 FAB  42,730 / Month

   
 ② 산출방법

부문 (품목) 산  출  방  법 평균가동시간
반도체 Loading Capacity (24 Hr/Day) X (31Day/Month) X 목표가동율(%)


(나) 평균가동시간

 - 상기 (가) 산출방법 등의 ② 산출방법 도표 참조하시기 바랍니다.


나. 생산실적 및 가동률

(1) 생산실적

(단위 : Wafer, 백만원 )
품 목 사업소 제62기 연간 제61기 연간 제60기 연간
수량 금액 수량 금액 수량 금액
Fabricated
-LSI Wafer
부천 Fab 485,196 - 373,006 - 506,960 -
상우 Fab 316,801 - 293,143 - 300,313 -
합    계 801,997 - 666,149 - 807,273 -
(*) Product Mix에 따라 Capacity별 금액 산출이 상이하여 금액을 미표시하였습니다.


(2) 당해 가동률

(단위 : 시간, %)
사업소(사업부문) 연간가동가능시간 연간실제가동시간 평균가동률
반도체 부천 Fab 3,672,297 3,078,250 83.82%
상우 Fab 2,799,792 1,746,342 62.37%
합  계 6,472,089 4,824,592 74.54%

* 산출기준은 아래와 같습니다.

  ① 평균 가동률 : Loading rate(%) (= 연간 Input 총량/연간 Capa 총량)

  ② 연간 가동가능시간 : In-Line MFG 장비 댓수 × 일 24시간  × 연간 생산일수
  ③ 연간 실제가동시간 : 2014년 연간 가동 가능시간  × 평균 가동률


다. 생산설비의 현황 등

(1) 생산설비의 현황

[자산항목 : 토  지 ] (단위 : 백만원 )
사업소 소유형태 소재지 구분 (㎡) 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
(공시지가)
증가 감소
반도체 자가 부천 93,816 179,478 -  -  - 179,478 157,550
반도체 자가 음성 430,706 29,523 -  -  - 29,523 15,203
반도체 자가 여주 6,519 578  -  -  - 578 332
합 계 531,041 209,579 -  -  - 209,579 173,085


[자산항목 : 건  물] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 부천 -        62,775  -        7,240    55,535 -
반도체 자가 음성 -       132,527  -        353      4,902       127,272 -
반도체 자가 여주 -            718  -            26            692 -
반도체 자가 성남 -            979  -            33            946 -
반도체 자가 용인 -            466  -            14            452 -
합 계 -       197,464  -        353     12,215       184,896 -


[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 부천 -          2,026  -  -         437          1,589 -
반도체 자가 음성 -        14,627  -  -       2,056        12,571 -
반도체 자가 여주 -          1,456 -  -         192          1,264 -
합 계          18,109  -  -       2,685        15,424 -


[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 부천 -   61,478      8,527            1 17,856        52,148 -
반도체 자가 음성 -   108,865    13,834        912 37,162        84,625 -
합 계     170,343    22,361        913     55,018       136,773 -


[자산항목 : 차량운반구] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 음성 -          34  -  13 7 14 -
합 계       34  -  13 7 14 -


[자산항목 : 비  품] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 부천 -  3,366         398            2 1,233          2,529 -
반도체 자가 음성 -   1,020           16   323            713 -
종속회사
(DBH USA)
자가 미국 -   275     141            134 -
합 계 -     4,661         414            2       1,697          3,376 -


[자산항목 : 입목] (단위 : 백만원)
사업소 소유
형태
소재지 구분 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
반도체 자가 음성 - 1,040  - -  - 1,040 -
합 계 - 1,040  - -  - 1,040 -


(2) 설비의 신설ㆍ매입 계획 등


(
가) 진행중인 투자

(단위 : 억원)
사업
부문
구 분 투자기간 투자대상 자산 투자효과 연초투자
계획금액
당기
투자액
차년도
투자이월액
비 고
반도체 보완

2014.01.01
~

2014.12.31

기계장치외 생산능력
보완증설
394 298
0 capacity 보완
합 계 394 298 0 -


(나) 향후 투자계획

(단위 : 억원)
사업
부문
계획
명칭
예상투자총액 연도별 예상투자액 투자효과 비고
자산형태 금 액 제63기 제64기 제65기
반도체 보완 기계장치외 미정 616 미정 미정 capacity 보완 -
합     계 미정 616 미정 미정 - -
* 당사는 향후 Capacity의 보완을 위한 투자가 있을 것으로 예상되나, 그 금액은 확정되지 않았습니다.


5. 매출관한

가. 매출실적

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품 목 제62기 제61기 제60기
반도체 제품,
서비스
Wafer 수 출         204,846      183,254 216,560
내 수         343,136    291,290 346,656
합 계         547,981     474,544 563,216
기타 기타 - 수 출          10,790   12,156 10,733
내 수           8,947           7,052 9,953
합 계          19,737   19,208 20,686
합계 수 출         215,636     195,410 227,293
내 수         352,082       298,342    356,609
합 계         567,718      493,752 583,902


나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직 ( ( )은 보고서 작성기준일 현재 인원임 )
 - 파운드리사업본부 :
     전략마케팅 ( 8 ), Technology 마케팅 ( 15 ), 국내영업 ( 6 ), 해외영업 ( 8 ), 중국
     대만지사 ( 9 ), 미국법인 ( 5 ), 일본지사 ( 2 ), 유럽지사 ( 1 ), 영업관리 ( 10 )

  - 브랜드사업본부 :
      영업1 ( 5 ), 영업2 ( 10 ), 마케팅 ( 7 ), 사업관리 ( 11 )

(2) 판매경로

  - 대리점거래 : 국내 고객 및 일부 중국 고객  
  - 직   거   래 : 일본, 유럽 고객 및 국내, 대만 일부 고객
  - 해외법인을 통한 거래 : 미주고객

(3) 판매방법 및 조건

  - 대리점 거래의 경우 주문서 입수 및 납품, 수금을 모두 대리점을 통해 진행하며  
     결재조건은 보통 60일이나, 고객과의 계약조건에 따라 다름
  - 직거래의 경우 고객으로부터 직접 수주해 납품 및 수금을 진행하며 결제조건은        보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름
  - 해외법인을 통한 거래는 주문서의 입수 및 납품, 수금을 모두 해외법인을 통해
     진행하며, 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름

(4) 판매전략

  - Analog 제품 및 Mixed Signal 제품 위주의 Specialty Foundry 매출 확대  
  - 사업전략에 맞는 제품 Portfolio로의 빠른 전환을 통한 수익성 극대화  
  - 미국, 일본, 유럽, 중국 등 해외 거래처 확대

  - 신제품 조기 개발 및 양산을 통한 이익 극대화 / 고객 만족도 향상
  - 공정 감축, 원가절감 활동을 통한 수익성 제고
  - Market Trend  상시파악 및 선행조치를 통한 고객확보 및 매출 극대화

6. 수주상황


(단위 : wafer, K$)
품 목 수주일자 납 기 수주총액 기납품액 수주잔고
수 량 금 액 수 량 금 액 수 량 금 액
Fabricated
System -LSI Wafer
1월~12월 제품에 따라 다르나
평균2개월
837,887 578,092 782,282 539,728 55,605 38,364
합 계 837,887 578,092 782,282 539,728 55,605 38,364


7. 시장위험과 관리

가. 재무위험관리

연결회사의 재무위험관리는 주로 시장위험(외환위험, 이자율위험 및 주가변동위험),
신용위험 및 유동성위험에 대해 전사 각 사업주체가 안정적이고 지속적으로 경영성과를 창출할 수 있도록 지원하고, 동시에 재무구조 개선 및 자금운영의 효율성 제고를 통하여 금융비용을 절감함으로써 사업의 원가경쟁력 제고에 기여하는데 그 목적이 있습니다.


나. 자본위험관리

연결회사의 자본위험관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 순차입금비율 등의 재무비율을 매월 모니터링하여 필요한 경우 적절한 재무구조 개선방안을 실행하고 있습니다.

상기의 재무위험관리 및 자본위험관리에 관한 자세한 내용은 Ⅲ. 재무에 관한 사항

중 연결재무제표 및 별도재무제표의 주석사항 '35 재무위험관리' 에 자세히 기술되어 있습니다.

8. 연구개발활동


가. 연구개발활동의 개요


(1) 연구개발 담당조직

조직명 담당조직 주요업무
기술개발실 공정개발 5개팀
Logic Technology Foundry
CMOS Image sensor Technology Foundry
Mixed Signal Technology Foundry
Radio Frequency Technology Foundry
Flash Technology Foundry
LDI Technology Foundry
Analog Technology Foundry 0.25um/0.18um/0.13um/0.11um/90nm Foundry 공정개발
고객불량 분석 및 개선
Brand 사업본부 Display제품개발 1개팀
(6개파트)
연구소 1개팀(4개파트)
(연구소 1개파트 임시 TFT)
Medium/Large DDI Technology 개발
Timing Controller IC 개발
Design support
CMOS Image Sensor IC 개발
Image Signal Processor IC 개발
RF & Mixed Signal IC 개발
고객지원 및 불량분석


(2) 연구개발비용

(단위 : 천원)
과       목 제62기 제61기 제60기 비 고
원  재  료  비       3,819,003 4,481,242 5,262,083 -
인    건    비      25,246,187 25,662,643 27,345,469 -
감 가 상 각 비       3,691,491 6,531,637 7,479,666 -
위 탁 용 역 비      11,825,512 12,934,890 17,072,198 -
기            타       7,298,488 8,136,468 8,094,317 -
연구개발비용 계      51,880,681 57,746,880 65,253,733 -
회계처리 판매비와 관리비      41,994,560 47,428,782 51,364,741 -
제조경비                   0 0 0 -
개발비(무형자산)       9,886,121 10,318,098 13,888,992 -
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
9.14% 11.70% 11.18% -


나. 연구개발 실적


회사의 최근 5년간 연구개발 실적은 아래와 같습니다.

연구과제 연구결과 및 기대효과
0.25um SONOS 공정개발 SONOS NVM 제품공정기술
0.25um Foundry Business
0.18um 90% Shrink Logic 공정개발 High Performance Logic 제품공정기술
0.16um Foundry Business
0.18um Standalone Flash 공정개발 CMOS Standalone Flash 제품공정기술
0.18um Foundry Business
0.4um Power MOSFET 공정개발 High Voltage, High Power 제품공정기술
0.3um LDI 공정개발 High Voltage, High Power 제품
0.3um Foundry Business
0.25um Power Chip 공정개발 Power Chip 제품공정기술
0.18um CMOS Image Sensor 공정개발 CMOS Image Sensor 제품공정기술
0.18um Foundry Business
0.15um CMOS Image Sensor 공정개발 CMOS Image Sensor 제품공정기술
0.15um Foundry Business
0.13um CMOS Image Sensor 공정개발 CMOS Image Sensor 제품공정기술
0.13um Foundry Business
0.13um Standalone Flash 공정개발 CMOS Standalone Flash 제품공정기술
0.13um Foundry Business
BD350 PDK 개발 0.35um BiCMOS용 PDK
0.18um 95% Shrink Standalone Flash CMOS Standalone Flash 제품공정기술
0.18um Foundry Business
0.18um LDI제품개발 High Voltage, High Power 제품 공정기술
0.18um Foundry Business
0.15um SRAM 공정개발 SRAM 제품공정기술
0.15um Foundry Business
0.13um LDI 공정개발 High Voltage, High Power 제품 공정기술
0.13um Foundry Business
0.11um Logic 공정개발 High Performance Logic 제품공정기술
0.11um Foundry Business
RF130 PDK 개발 0.13um RF용 PDK
0.18um 85% Shrink Logic 공정개발 High Performance Logic 제품공정기술
0.15um Foundry Business
0.3um LCD공정 개발 0.3um LCD 공정개발 차별화
0.18um LDI 공정개발 0.18um LCD 공정개발
85V BCD 공정개발 0.35um Bipolar CMOS DMOS
130nm DAC/ADC 개발 0.13um Generic Logic (Al) 공정기술
0.18um 700MHz PLL  개발 0.18um Generic Logic 제품 PLL
Oxide Micro Lens 개발 CMOS Image Sensor Option 공정개발
30V/60V pLDMOS 개발 0.35um 30V/60V pLDMOS공정 Foundry
45n이하 구리 배선용 TaN 확산방지막 개발 반도체 소자 신뢰도 향상, 공정조건최적화
LCD Driver IC 개발 LDI 특화 공정
0.18um BCD 공정개발 Power 제품 공정개발
0.11um CMOS Image Sensor 공정개발 CMOS Image Sensor 제품공정기술
0.11um Foundry Business
0.13um RF CMOS 공정개발 RF 제품 공정기술
0.35um 40V Gate 공정개발 0.35um급 Display 제품 공정기술
0.30um 13.5V Source 공정개발 0.3um급 Display 제품 공정기술
0.18um 13.5V /18V Source 공정개발 0.18um급 Display 제품 공정기술
0.35um 5.5V/20V BCD 개발 0.35um급 전력반도체 공정 개발
0.13um LDI 1.5/5.5/20V 0.13um급 LCD Driver IC 제품 공정 개발
0.30um Mixed Signal 공정 개발 Mixed Signal 제품 공정 개발
0.18um 6bit Source Driver 제품 개발 0.18um급 Display 제품 공정 개발
0.18um Mixed Signal 공정 개발 Mixed Signal 제품 공정 개발
0.18um 5.0V Low 1/f Noise 소자 개발 0.18um급 Logic 제품 공정기술
0.16um 1.8/18V Half Vdd 공정 개발 0.16um급 Display 제품 공정 개발
0.18um 3.3/13.5V Half Vdd 공정개발 0.18um급 Display 제품 공정 개발
0.35um Low Vgs LDMOS 공정 개발 0.35um급 전력반도체 공정 개발
0.11um FCT Hybrid 공정 개발 0.11um급 Logic 제품 공정기술
0.11um 1.2/30V LDI 공정 개발 0.11um급 LCD Driver IC 제품 공정 개발
0.16um 1.8/9V Half Vdd 공정 개발 0.16um급 Display 제품 공정 개발
0.18um 1.8/30V HV CMOS 공정개발 0.18um급 전력반도체 공정 개발
VGA급 CMOS Image Sensor IC 개발 VGA급 CMOS Image Sensor IC 제품 개발
0.18um 30V BCD 공정 개발 0.18um급 전력반도체 공정 개발
0.16um 1.8/13V LDI 공정개발 0.16um급 Display 제품 공정 개발
0.11um DDI sDTRAM 공정개발 0.11um급 LCD Driver 제품 sDTRAM 공정 개발
0.13um Embedded Flash 공정 개발 0.13um Embedded Flash 공정 개발
1.4um Pixel CIS 공정 개발 110nm CMOS Image Sensor Upgrade 공정개발
0.11um Cu UTM 공정개발 0.11um급 Mixed Signal 공정개발
0.18um HP CMOS 개발 0.18um급 High Performance CMOS 공정기술
0.18um 40V~60V BCD 개발 0.18um급 BCD 공정기술 확대
Low Cost BD350 공정개발 0.35um급 Low Cost BCD 공정개발
700V 조명용 Non-EPI 0.35um급 BCD 공정기술 확대
0.11um Mixed Signal Noise 개선 공정 0.11um급 Mixed Signal 공정기술 확대
0.16um 1.8/20V LDI 공정개발 (Fab2) 0.16um급 Display 제품 공정 개발
0.13um BCDMOS Low Voltage 공정개발 (Fab2) 0.13um Bipolar CMOS DMOS (Mobile향)
0.11um Light Guide CIS 공정개발 (Fab2) 0.11um급 Smartphone CIS 공정개발
0.11um 1.8/9V 공정개발 (Fab2) 0.11um급 Smart LDI 공정개발
0.11um급 Tablet향 LDI 공정개발 0.11um급 Smart LDI 공정기술 확대
0.11um급 BCDMOS Low Voltage 공정개발 (Fab2) 0.11um Bipolar CMOS DMOS (TV향)
0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발 (Fab1) 0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발
0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발 (Fab1) 0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발
0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발 (Fab2) 0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발
90nm CIS 기술개발 (Fab2) 90nm Mobile 고화소 CIS 기술개발
0.15um급 LDI 공정개발 (Fab1) 0.16um급 Display(FHD, UHD) 제품 공정 개발
0.18um BCDMOS Medium Voltage 공정개발 (Fab1) 0.18um급 BCDMOS Panel power bias IC 공정개발

9. 그 밖의 투자의사결정에 필요한 사항

가. 상표 또는 고객관리에 관한 중요한 정책


회사는 대형고객에 대한 제품공급을 늘리고 스마트폰 및 태블릿 기기용 전력반도체, 센서 등 부가가치가 높은 고수익 특화 제품중심의 파운드리 사업 비중을 지속적으로 늘려가고 있습니다. 특히 급격히 성장하고 있는 중국 스마트폰 및 대만 IT기기향 시스템반도체 공급물량을 늘려나가며 거대 IT 시장에 안착했으며, 일본 시스템반도체 시장에도 성공적으로 진출해 전력관리칩 등 다양한 아날로그반도체를 공급하고 있습니다.


최근에는 웨어러블 및 사물인터넷(IoT)용 초저전력 반도체와 센서용 제조공정기술을개발해 아날로그반도체 선두기업 프로모션에 적극 나서고 있습니다.


브랜드 제품 비즈니스는 국내 대형 고객을 중심으로 지속적으로 디스플레이 구동칩 공급물량을 늘려가며 안정적으로 성장하고 있습니다. 향후 스마트폰 및 태블릿 등 모바일 기기로 제품 포트폴리오를 확대하는 동시에, 터치스크린칩 및 UHD TV칩 등 시장이 크고 부가가치가 높은 제품물량을 늘리고 해외 대형 고객을 발굴함으로써 지속적인 매출 성장과 함께 수익성 개선을 이뤄나갈 것입니다.


회사는 칩 크기를 최소화하고 다양한 부가기능을 추가해 경쟁력을 높이고 있으며, 원칩(One Chip) 등의 융복합 솔루션 등 고효율 제품을 개발해 공급함으로써 디스플레이 구동칩 시장에서 차별화된 위치를 확보하고 있습니다.


또한 차별화된 고부가가치 공정기술과 제품개발에 역량을 집중할 계획이며, 생산능력도 획기적으로 늘려 견고한 성장발판을 만들어 갈 예정입니다.


한편 회사는 세계적인 반도체 설계자산 회사들과 전략적 제휴를 맺고 PDK, IP, Library, MPW서비스 등 세계 최고 수준의 설계자원을 적극 지원하며 고객의 다양한 요구 사항을 완벽하게 처리할 수 있는 최상의 설계 환경을 갖추고 있습니다.


또한 고객이 원할 경우 웨이퍼 가공뿐만 아니라 설계 지원, 테스트, 패키지, 모듈 제작 등 모든 서비스를 한번에 지원하는 원스톱 턴키(Turnkey) 서비스를 제공하고 있으며, 'Your Fab' 시스템을 운영하여 고객이 언제 어디에서든지 반도체의 가공 공정 진행 상황을 실시간으로 점검할 수 있도록 지원하고 있습니다.


나. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권) 등

회사가 영위하는 사업과 관련하여 중요한 특허권의 내역은 다음과 같습니다.

출원번호 등록번호 등록일 발명의 명칭 발명의 요약
10-2013-0017590 10-1392569 2014.04.29 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 기판에 제 1 불순물이 주입된 제 1 웰; 상기 제 1 웰의 일측에 형성되고, 제 2 불순물이 주입된 제 2 웰; 상기 제 1 웰에 형성되고, 이미터 영역을 정의하기 위한 제 1 소자 분리막; 상기 제 2 웰에 형성되고, 콜렉터 영역을 정의하기 위한 제 2 소자 분리막; 상기 제 1 소자 분리막의 일측에 제 2 불순물이 주입형성된 이미터; 상기 제 1 웰에서, 상기 제 1 소자 분리막의 타측과 상기 이미터의 일측에 제 1 불순물이 주입형성된 베이스; 상기 제 2 웰에서, 상기 제 2 소자 분리막 일측에 제 2 불순물이 주입 형성된 콜렉터; 및 상기 제 2 웰에서, 상기 콜렉터 일측에 제 2 불순물이 주입된 고농도 도핑 영역;을 포함한다.
10-2013-0017592 10-1392587 2014.05.29 고전압 정전기 방전 보호 소자 본 발명의 정전기 방전 보호 소자는, 제 1 웰 및 제 2 웰이 형성된 반도체 기판; 상기 제 1 웰과 제 2 웰 각각의 상부에 형성되고, PNPN 또는 NPNP 구조의 SCR 소자; 상기 SCR 소자를 구성하는 N+영역의 양측에 P형 불순물이 주입된 제 1 불순물 영역; 및 상기 SCR 소자를 구성하는 P+영역의 양측에 N형 불순물이 주입된 제 2 불순물 영역;을 포함하고, 상기 제 1 불순물 영역은 제 1 웰 상에 형성되고, 상기 제 2 불순물 영역은 제 2 웰 상에 형성되어, 상기 제 1 불순물 영역과 제 2 불순물 영역은 PN 접합을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역에 의한 PN 접합 구조
는, 상기 기판을 평면으로 보았을 때, 상기 SCR 소자와 교대로 배치된다.
10-2012-0127214 10-1402838 2014.06.27 조도 및 근접도 센서 본 발명은 적외선, 및 녹색광을 감지하고, 감지된 결과에 상응하는 제1 감지 신호를 출력하는 제1 센싱부, 가시광선을 차단하고 적외선을 감지하며, 감지된 결과에 상응하는 제2 감지 신호를 출력하는 제2 센싱부, 및 상기 제1 감지 신호로부터 상기 제2 감지 신호를 뺀 결과인 제1 차이 값을 이용하여 조도를 산출하고, 상기 제2 감지 신호로부터 상기 제1 차이 값을 뺀 결과인 제2 차이 값을 이용하여 근접도를 산출하는 제어부를 포함한다.
10-2013-0023046 10-1442962 2014.09.15 이미지 센서 본 발명의 이미지 센서는 픽셀 어레이 영역을 포함하는 이미지 센서로서, 상기 픽셀 어레이 영역은 액티브 픽셀 영역과, 상기 액티브 픽셀 영역을 둘러싸는 다크 픽셀 영역으로 이루어지고, 상기 다크 픽셀 영역에는 빛을 반사시키기 위한 다크 쉴드가 형성되고, 상기 다크 쉴드에 의한 빛의 반사를 통하여 다크 픽셀들이 형성되며, 상기 다크 쉴드는 SiCr 물질의 박막으로 이루어진다.
제안되는 바와 같은 이미지 센서에 의해서, 다크 픽셀을 형성하기 위한 다크 쉴드의 두께를 종래에 비하여 현저히 줄일 수 있으며, 그 반사율 특성 또한 유지할 수 있는 장점이 있다.
10-2012-0051775 10-1446722 2014.09.25 터치 스크린 패널 터치 스크린 패널은 서로 이격하는 복수의 센싱 전극들 및 서로 이격하는 복수의 드라이빙 전극들을 포함한다. 상기 복수의 센싱 전극들 각각은 주전극부, 및 복수의 확장부들을 포함하며, 상기 복수의 확장부들 각각은 상기 주전극부로부터 확장되는 부전극부, 및 상기 부전극부으로부터 확장되는 적어도 하나의 확장 전극부를 포함하고, 상기 복수의 드라이빙 전극들 각각은 상기 확장부들 중 대응하는 어느 하나의 주위에 위치한다.
10-2013-0026150 10-1450437 2014.10.06 LDMOS 소자와 그 제조 방법 본 발명의 실시예에 따른 LDMOS 소자는, 드리프트 영역, 상기 드리프트 영역 내에 일정간격 이격되어 배치된 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 상기 드리프트 영역 내에 형성되는 필드 절연막, 상기 필드 절연막 하단에 형성된 제1 P-TOP 영역, 상기 필드 절연막의 일부를 덮는 게이트 폴리실리콘, 상기 게이트 폴리실리콘 상부에 형성되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극, 게이트 폴리실리콘 및 필드 절연막을 관통하는 컨택 라인을 포함한다.


다. 법규, 정부규제에 관한 사항
 
"라." 항의 환경관련 사항을 참조하시기 바랍니다.

라. 환경 관련 사항

1) 녹색경영

  ① 회사는 저탄소 녹색성장기본법 발효에 따라 2010년 관리 기업으로 지정되어,
      온실가스 인벤토리를 구축하여 관리하고 있음

  ② 기후변화에 대한 정부의 규제에 능동적으로 대처하고 국내외 에너지 정세
      변화에 따른 영향을 최소화하기 위해 온실가스 및 에너지 절감 활동 및
      교육 실시

  ③ 2010년 4월 녹색기업으로 지정되어, 현재까지 유지되고 있음

2) 오염물질 배출 저감 활동

  ① 공정 변경, 원부자재 대체 등을 통해 오염물질 발생원에서부터 배출 저감

  ② 발생된 오염물질은 방지시설을 통해 법적 배출 허용기준보다 엄격한 사내 관리
      기준으로 배출

  ③ 방지시설의 설비별 점검 목록에 따라 주기적으로 점검함으로써 최적 상태로
      운영하고 있으며, 처리 효율을 검토하여 단계적으로 고효율 방지시설로 교체


3) 자원의 재활용

  ① 폐기물 발생량 감소 및 감량을 위해 제조 공정에서부터 폐기물 발생 최소화를
      위한 활동 및 재활용 품목 지속적 발굴

  ② 발생되는 폐기물 재활용율 고도화 추진


4) 유해화학물질 관리

  ① 취급하는 유해화학물질의 입고에서부터 사용, 폐기 등 전 과정의 관리 및
      모니터링 실시

  ② 누출 사고 예방을 위해 저장 시설의 감지기 및 차단 장치, 방지턱,
      비상시 사용할 수 있는 보호구 등을 비치 운영

  ③ 유출사고 대비 주기적인 비상대응훈련 실시


5) 제품환경 규제 대응

  ① 전세계적인 제품에 대한 환경기준 및 규제 강화 정책에 따라 R&D 및 구매
      단계에서부터 제품 내에 규제 물질이 사용되지 않도록 자재 구성 성분 조사
      및 완제품 시험 분석 등을 실시

  ② 또한 오염 물질 배출 및 천연자원의 사용을 최소화하기 위한 친환경제품
      제조 관리 시스템과 녹색 구매 시스템을 운영하고 있으며, Sony Green Partner
      인증 취득 운영


6) 기타 환경보호 및 사회공헌 활동

  - 회사는 기증, 기부, 무료 급식 봉사, 교육장학제도 등의 운영을 통해 지역사회에
     기여하고 있으며,  '1사 1하천 가꾸기' 및 '1사 1산 가꾸기' 등을 통해 지역 환경
     정화 활동을 실천하고 있습니다.


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  2. 네이처셀10,650↓
  3. 삼성전자46,700▲
  4. 우리기술투자4,475▲
  5. 셀트리온헬스101,100▲
  6. 제일제강5,400↑
  7. 신일산업1,865▼
  8. 피앤텔3,195▲
  9. 뉴프라이드3,850▲
  10. 셀트리온제약83,100▼