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기업정보

광전자 (017900) AUK Corporation
광반도체 및 광센서 전문업체
거래소 / 전기전자
기준 : 전자공시 반기보고서(2014.06)


II. 사업의 내용


1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

1) 반도체 산업의 특성

반도체 산업은 보다 편리한 삶을 영위하고자 하는 인간에게 필수불가결한 부품산업 입니다. 스마트 폰, 태블릿PC, 스마트가전, 자동차산업, 항공. 우주산업 등 첨단산업에 없어서는 안 되는 기반이자 기초가 되는 산업입니다. 반도체 산업은 최신기술의 집합체로써 미래의 첨단산업 분야의 기술향상을 이끄는 중요한 동력원입니다.

또한 모든 백색가전 및 IT기기를 넘어 효율적인 전력관리를 위한 전력반도체까지 반도체는 모든 산업에 걸쳐 핵심 부품으로 실장이 되어 수출산업으로 국가경쟁력 향상을 제고하는 부가가치 높은 산업 입니다.


세계 반도체 시장은 외적인 경기변동의 영향을 받으며 경기순환에 따라 호황과 불황을 반복해 오는 특징이 있으며 대체로 4년마다 반도체 생산액의 성장률이 최고에 이르고 이듬 해에 성장률이 최하로 떨어져 호황과 불황이 각각 4년 사이클로 나타난다는 실리콘 사이클의 형태를 보입니다.

.

반도체 산업에서 경쟁우위를 갖기 위해서는 대규모 투자를 통한 고품질, 고효율, 고기능의 제품을 구현해야 하며 차별화된 기술력과 규모의 경제, 높은 가동률 등을 통한 생산인프라를 갖추어 원가절감을 이루어야 합니다.


2) 반도체 산업의 현황과 전망


반도체 산업은 세계 경기 불황 장기화와 각국의 긴축정책 등으로 2012년부터 시작된 소비침체가 장기화되는 듯 하였으나, 2014년 선진국의 수요 회복에 힘입어 2014년 상반기 호조를 보이고 있습니다. 이는 MS社 XP 서비스 중단에 따른 PC교체와 스마트 폰, 태블릿PC 등 모바일 기기의 판매증가에 따라 스마트 폰 및 태블릿PC 등 수요가 증가하는 고부가가치 제품 비중이 확대되고 수요증가에 따른 수급여건 개선을 기대하기 어려워진 업체들이 비용절감 등의 적극적인 체질개선에 나서고 있습니다. 이러한 영향으로 수급불균형이 점차 완화됨에 따라 업황은 회복세를 이어갈 것으로 전망됩니다.


WSTS에서 발표한 자료에 따르면 2014년에는 디스크리트 시장은 7.1% 성장을 시작으로 2015년에도 4.6% 지속 성장하여 204억불에 달할 것으로 전망하고 있습니다.


나. 회사의 현황

(1) 영업개황

광전자는 불확실성이 증대되는 어려운 경영환경에서 한정적인 자원을 보다 효율적이고 합리적으로 활용하여 체질개선을 통한 근육질 경영을 실현하고 있습니다.

첫째, 제품 및 공정에 대한 VE활동을 지속적으로 실현함으로써 원가경쟁력 확보에 주력하고 있습니다. 원가경쟁력을 통해 확보한 가치를 품질경영 시스템을 구축하는 등 고객가치 향상에 투자하고 있습니다.

둘째, 영업 루트에 대한 다각화를 통해 고객 중심의 맞춤형 솔루션을 실현할 수 있는 영업환경을 구현하고 있으며 국내뿐 아니라 글로벌 무대로 진취적인 영업활동을 확대하여 VOC에 항상 귀 기울이고 있습니다.

셋째, 경기침체에도 적응 가능하고 성장 가능한 신 성장 동력 제품 개발을 위해 한중일 협력 체제를 구축하여 개발 및 영업 협력을 통한 아낌없는 투자를 진행하고 있습니다.

이러한 노력으로 1,315억원 매출을 달성하였으며 2014년에도 계속해서 성장할 수 있는 경영활동을 수행해나가겠습니다.


2) 시장 점유율 및 안정성

WSTS가 발표한 자료에 의하면 당사의 주력 사업분야인 디스크리트 시장 규모는 2014년을 기준으로 195억불에 달하고 있습니다. 전체 시장규모를 기준으로 추정할 때 당사는 전세계 디스크리트 시장의 0.5%를 점유하고 있으며 지속적으로 시장점유율을 늘려나갈 계획입니다.


세계적으로 스마트 그리드, ESS, 신 재생 에너지 등 녹색/에너지 관리분야에 관심이 집중됨에 따라 모든 전자기기들에 대한 전력 절감기능이 요구되고 있습니다. 따라서 태양광, 풍력 등 신 재생 에너지 부분에 대하여 고효율 전력 전환 기기의 수요로 인해 전력변환 기술의 핵심인 전력 반도체 제품과 함께 고효율LED와 같은 제품의 수요가 늘어날 것으로 전망되고 있습니다.


자동차 전자장치 시장은 평균이상의 성장세를 유지하고 있으며, 태양광·풍력 등 신 재생 에너지, 휴대용 전자기기, 보다 효율적인 전력공급을 필요로 하는 장비 시장의 높은 수요로 인해 세계 전력반도체 시장이 2015년 341억 달러, 2017년 367억 달러로 연평균 5.2% 성장할 것으로 전망되고 있습니다.


당사의 주력사업분야인 파워 디스크리트, 광 센서, LED는 고유기능을 통해 에너지 효율 제고 및 시스템 안정성과 신뢰성을 좌우하는 역할로 친환경과 에너지 절감이라는 글로벌 이슈 해결에 기여할 것으로 기대하고 있습니다.


(3) 조직도

이미지: 조직도

조직도



2. 주요 제품 등

가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품   목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율)

전자
제품
제조

제품
상품
TRANSISTOR 전자기기 부품 AUK 등 55,026 41.83
PHOTO SENSOR 전자기기 부품 AUK 등 46,290 35.19
LED/LDM등 전자기기 부품 AUK 등 9,538 7.25
기타 전자기기 부품 AUK 등 20,687 15.73
- 131,542 100.00


나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(단위 : 원)
품 목 제 31기 반기 제 30기 제 29기
TRANSISTOR                       22 20 22
PHOTO SENSOR                     148 163 180
LED/LDM등                       49 15 14


※ 산출기준

  - 산출기준은 기간별 가중평균가격을 계산하였음.
     - 산식은 매출액(품목별매출금액) ÷ (품목별 매출수량)

※ 외화매출은 원화로 환산하여 계산하였음.

3. 주요 원재료의 현황

가. 주요 원재료의 현황

(단위 : 백만원 )
사업부문 매입유형 품   목 구체적용도 매입액(비율) 주요매입처
전자부품제조 원재료 CHIP 제품제조 1,950 11.16% 서울반도체(주) 등
전자부품제조 원재료 WAFER 제품제조 4,503 25.78% AUK(DALIAN)등
전자부품제조 원재료 LEAD FRAME 제품제조 2,792 15.98% (주)AUS 등
전자부품제조 원재료 기타 제품제조 8,225 47.08% (주)AUS 등
- - - 17,470 100.00%

※ 연결 기준으로 작성되었습니다
※ 2014년 반기말 기준 AUK(DALIAN)와 (주)AUS는 당사의 계열회사입니다.

나. 주요 원재료의 가격변동추이

(단위 : 원)
품 목 단위 제31기 반기 제30기 제29기
CHIP PCS 25.48          26.48           30.56
LEAD FRAME KPCS 1061.97       1,144.44      1,198.49

(*산출기준 : 대상 원재료의 산술평균 매입단가)

4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 가동률
당사는 국내 및 해외(중국)생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 2014년 품목별작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있습니다. 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22시간을 1일 작업시간으로 적용하였습니다. 이러한 기준으로 집계한 결과 당사의 2014년 반기 평균가동율은 68% 로 집계되었습니다.

나. 생산설비의 현황 등
당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사와 국내 공장(전북 익산), 해외공장(중국대련,중국심양)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산)등의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다.

1) 생산설비의 현황

(단위 : 천원)
구     분 토지 건물 구축물 기계장치 공구와기구 기타유형자산 건설중인자산 합     계
취득원가 20,823,672 24,938,477 3,137,589 134,761,090 12,244,402 3,515,926 77,914 199,499,070
감가상각누계액 - (8,322,145) (914,735) (102,028,198) (9,304,690) (2,726,334) - (123,296,102)
정부보조금 - - - (4,700,000) - - - (4,700,000)
장부금액 - (770,286) - - - - - (770,286)

20,823,672 15,846,046 2,222,854 28,032,892 2,939,712 789,592 77,914 70,732,682


2) 향후 투자계획

(단위 : 백만원)
사업
부문
계획
명칭
투자총액 연도별 예상투자액 투자효과 비고
자산
형태
금 액 제 31기
(2014년)
제 32기
(2015년)
제 33기
(2016년)
광전자 증설 및 합리화 기계장치 외 11,600 3,135 3,762 4,703 생산능력증가

※ 향후 투자에 대한 예상계획이며, 사업환경 변화에 따라 투자계획은 변동될 수
    있습니다


5. 매출에 관한 사항

당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIRECT 수출 및 해외 현지 법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중은 내수판매가 25%, 수출판매가 75%입니다. 당사의 판매조직은 별도의 영업본부가 있으며 신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, Technical Service의 강화, 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있습니다. 당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를정확하게 예측하기 어렵기때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월단위 확정하고 있습니다.)

[ 당사의 31기  품목별 수출 및 내수 판매 현황 입니다.]

(단위 :  백만원)
사업
부문
매출
유형
품 목 제31기 반기 제30기 제29기
전자
부품
제조
제품
상품
TRANSISTOR 수 출 50,711 115,175 144,169
내 수 4,316 19,548 10,844
합 계 55,026 134,723 155,013
LED/LDM등 수 출 844 12,578 27,966
내 수 8,694 27,632 10,764
합 계 9,538 40,210 38,730
PHOTO
 SENSOR
수 출 37,035 101,121 102,830
내 수 9,255 22,069 20,846
합 계 46,290 123,190 123,676
기타 수 출 9,816 131 402
내 수 10,872 9,408 735
합 계 20,687 9,538 1,137
합 계 수 출 98,406 229,005 275,367
내 수 33,137 78,656 43,189
합 계 131,542 307,662 318,556


6. 위험관리

(1) 자본위험관리

연결실체의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조의 유지 또는 조정을 위하여 연결실체는 배당을 조정하거나, 주주에 자본금을 반환하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시할 수 있습니다..

연결실체의 자본구조는 차입금에서 현금및현금성자산을 차감한 순부채와 자본으로 구성되어 있으며, 연결실체의 전반적인 자본위험 관리 정책은 전기와 동일합니다. 한편, 당반기말 및 전기말 현재 연결실체가 자본으로 관리하고 있는 항목의 내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구     분 당반기말 전기말
차입금총계 - -
차감: 현금 및 현금성자산 8,789,293 20,031,732
순차입금 (8,789,293) (20,031,732)
자본총계 224,814,772 209,021,286
순차입금자본비율(*) - -

(*)당반기말 현재 순차입금이 (-)로 산출되어 순차입금자본비율을 산정하지 아니하였습니다.

(2) 금융위험관리

연결실체는 금융상품과 관련하여 시장위험(외환위험, 이자율위험, 가격위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결실체의 위험관리는 연결실체의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 연결실체가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다.


1) 외환위험
연결실체는 외화로 표시된 거래를 하고 있기 때문에 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당반기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채의 장부금액은다음과 같습니다.

(원화단위: 천원)
구분 자산 부채
외화금액 원화금액 외화금액 원화금액
USD 63,529,825 64,444,655 9,356,814 9,491,552
JPY 199,586,454 1,995,865 - -
합계
66,440,520
9,491,552


연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 당반기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구     분 10% 상승시 10% 하락시
USD 4,286,342 (4,286,342)
JPY 155,677 (155,677)
합     계 4,442,019 (4,442,019)


2) 이자율위험당반기말 현재 연결실체는 이자율위험에 노출된 자산 및 부채를 보유하고 있지 아니합니다.


3) 가격위험
연결실체는 당반기말 현재 가격변동위험에 노출되어 있는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 아니합니다.


4) 신용위험
신용위험은 계약상대방이 계약상의 의무를 불이행하여 연결실체에 재무적 손실을 미칠 위험을 의미합니다.


연결실체의 신용위험은 보유하고 있는 대여금및수취채권을 포함한 거래처에 대한 신용위험 뿐 아니라, 매도가능금융자산(채권), 금융기관예치금 및 지급보증한도액으로부터 발생하고 있습니다. 금융기관의 경우, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 일반거래처의 경우 고객의 재무상태, 과거 경험 등 기타 요소들을 고려하여 신용을 평가하게 됩니다.

당반기말 현재 대여금및수취채권, 매도가능금융자산(채권) 및 만기보유금융자산의 신용위험 최대노출액은 장부금액과 유사합니다.


5) 유동성위험
연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.


당반기말 현재 비파생금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구     분 1년 이내 1년 초과~5년 이내 합     계
무이자 46,197,770 202,391 46,400,161


상기 만기분석은 할인하지 않은 현금흐름을 기초로 연결실체가 지급하여야 하는 가장 빠른 만기일에 근거하여 작성되었으며, 원금 및 이자의 현금흐름을 포함하고 있습니다.

(3) 공정가치의 추정

활성시장에서 거래되는 금융상품(단기매매금융자산과 매도가능금융자산 등)의 공정가치는 보고기간 종료일 현재 고시되는 시장가격에 기초하여 산정됩니다. 연결실체가 보유하고 있는 금융자산의 공시되는 시장가격은 종가입니다.

활성시장에서 거래되지 아니하는 금융상품(예: 장외파생상품)의 공정가치는 평가기법을 사용하여 결정하고 있습니다. 연결실체는 다양한 평가기법을 활용하고 있으며 보고기간 종료일 현재 시장상황에 근거하여 가정을 수립하고 있습니다. 장기부채 등 이용가능한 금융부채에는 고시시장가격 또는 유사상품에 대한 딜러호가를 사용하고 있으며, 그 밖의 금융상품에는 추정현금흐름할인법과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공정가치를 산정하고 있습니다.

한편, 연결실체는 합리적으로 가능한 대체적인 가정을 반영하기 위한 관측가능하지 않은 투입변수의 변동이 공정가치 측정치에 유의적인 변동을 가져오지 않을 것으로 판단하고 있습니다.

1) 매출채권 및 기타채권의 경우, 손상차손을 차감한 장부금액을 공정가치 근사치로 보며, 공시목적으로 금융부채 공정가치는 계약상의 미래현금흐름을 유사한 금융상품에 대해 연결실체가 적용하는 현행시장이자율로 할인한 금액으로 추정하고 있습니다. 다만, 상각후원가로 측정되는 금융상품은 장부금액과 공정가치가 거의 유사할 것으로 판단하여 장부금액을 공정가치로 평가하였습니다.


2) 공정가치로 후속측정하는 것이 원칙이나  공정가치를 신뢰성 있게 평가할 수 없어원가로 측정한 금융자산의 내역 및 관련 장부금액은 다음과 같습니다.


(단위: 천원)
범    주 내     역 당반기말 전기말
매도가능금융자산 비상장주식(*1) 7,852,376 6,164,130
(*) 당해 비상장주식은 공정가치 측정에 필요한 신뢰성 있는 재무정보를 입수하기 어렵거나 입수하였더라도 공정가치측정치의 범위가 유의적이고 다양한 추정치의 발생확률을신뢰성 있게 평가할 수 없기 때문에 원가로 측정하였습니다.


3) 전기말 현재 연결실체가 공정가치 산정을 위해 적용한 이자율은 9.8%입니다.

4) 연결실체는 재무상태표에 공정가치로 측정되는 금융상품에 대하여 공정가치 측정에 사용된 투입변수에 따라 다음과 같은 공정가치 서열체계로 분류하였습니다.

구   분 투입변수의 유의성
수준 1

측정일에 동일한 자산이나 부채에 대한 접근 가능한 활성시장의 (조정되지 않은) 공시가격

수준 2 수준 1의 공시가격 이외에 자산이나 부채에 대해 직접적으로 또는 간접적으로관측가능한 투입변수
수준 3 자산이나 부채에 대한 관측가능하지 않은 투입변수


당반기말 현재 연결실체는 상기 서열체계에 따라 측정되는 금융상품을 보유하고 있지 아니합니다.


5) 연결실체는 수준 간의 이동을 가져오는 사건이나 상황의 변동이 발생하는 시점에 수준간의 이동을 인식하고 있습니다.


6) 연결실체가 보유하고 있는 금융자산과 금융부채의 공정가치에 영향을 미치는 당반기 중 발생한 사업환경이나 경제적 환경의 유의적인 변화는 없습니다.


(4) 당반기말 및 전기말 현재 회사의 상계되는 금융상품은 없습니다.

7. 파생상품 거래 현황

당사는 보고서제출일 현재 파생상품계약을 체결하지 않았습니다.

8. 경영상의 주요계약 등

당사는 보고서제출일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 없습니다.

9. 연구개발활동

당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여   연구실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.

[당사의 2014년 연구개발관련 비용 입니다.]

(단위 : 백만원)
과       목 제 31기 반기 제 30기 제 29기 비 고
원  재  료  비 55 1,159 1,844 -
인    건    비 0 1,615 3,921 -
감 가 상 각 비 125 67 115 -
위 탁 용 역 비 124 6 324 -
기            타 0 161 2,507 -
연구개발비용계 303 3,007 8,710 -
회계처리 판매비와관리비 및 제조경비 178 2,940 8,710 -
개발비 등 125 67 0 -
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
0.23% 0.98% 2.73%% -

*) 매출액 기준은 연결기준입니다.

# 연구개발 실적

1)  AST-0415 (80V Photo TR) 5inch 공정 개선 재 개발 1종 _Custom Device

과제명 AST-0415 (자사 0.415mm×0.415mm) 80V Photo TR 5inch 공정 개선 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.11 ~ 2012.02
연구결과 및 기대효과 금번 공정 개선 재개발을 통해 80V급 SEED 공정 확보하여 동급의 SET Application 제품에 확대 적용 및 WF Level 판매 BIZ 활성화로 AUK-D 공장 가동율 향상과 매출 기여 하고자 함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


2) AST-3415D (30V Photo TR) 5inch 신규 파생 개발 1종 _Custom Device

과제명 AST-3415D (자사 0.415mm×0.415mm) 30V Photo TR 5inch 신규 파생 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.08 ~ 2012.02
연구결과 및 기대효과 신규 단품 수광조사 제품의 정격에 맞는 Chip 파생 개발 및 내부 Photo TR 추가 Line-up
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


3) MMBT4401 (40V/0.6A, NPN_SWTR) 신규 개발 1종

과제명 Life-time killer 공정 적용 NPN_SW-TR (Chip명=BT-104E) 신규 개발  
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.01 ~ 2012.03
연구결과 및 기대효과 거래처의 개발품 대응 요구로 S/W 특성 비교를 통해 동등한 사양의 제품 개발
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


4) S1084/S1085 (5A/3A Quasi LDO Regulator)

과제명 S1084/S1085 (5A/3A Quasi LDO Regulator)
연구기관 당사 연구실
연구기간 2010.12 ~ 2012.03
연구결과 및 기대효과 설계 목표 대비 특성 만족 / ESD 및 신뢰성 시험 PASS
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


5) SN78RXX/SN278RXX (1A/2A 4PIN LDO Regulator)

과제명 SN78RXX/SN278RXX (1A/2A 4PIN LDO Regulator)
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.05 ~ 2012.03
연구결과 및 기대효과 설계 목표 대비 특성 만족 / ESD 및 신뢰성 시험 PASS
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


6) SF20A400H 개발

과제명 SF20A400H 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.12 ~ 2012.03
연구결과 및 기대효과 400V/20A, 35ns급 Single Type UFRD 개발
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


7) SF20A600H 온도특성 개선개발

과제명 SF20A600H 온도특성 개선개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.12 ~ 2012.03
연구결과 및 기대효과 600V/20A, 40ns급 UFRD의 설계/공정 최적화로 고온 IR 특성 개선개발
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


8) 선박용 광전송 모듈 안정화 기술 및 고도화 기술 개발

과제명 선박용 광전송 모듈 안정화 기술 및 고도화 기술 개발
연구기관 당사 연구실 [국책과제]
연구기간 2009. 10. 01 ~ 2012. 04. 30
연구결과 및 기대효과

크루즈 선박이나 레져요트에 적용할 수는 네트워크 광모듈 개발 완료.

사업화 여부(상품화) 상품화 완료


9) 수송용 멀티미디어 네트워크 초소형 광부품 모듈 개발

과제명 수송용 멀티미디어 네트워크 초소형 광부품 모듈 개발
연구기관 당사 연구실 [ 국책과제 ]
연구기간 2011. 09. 01 ~ 2012. 08. 31
연구결과 및 기대효과 자동차의 멀티미디어에 적용할 수 있는 네트워크 광모듈 개발
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


10) Full color 조명용 고휘도 ROY 발광다이오드 개발

과제명 Full color 조명용 고휘도 ROY 발광다이오드 개발
연구기관 당사 연구실 [ 국책과제 ]
연구기간 2010.05.01 ~ 2015.07.31
연구결과 및 기대효과 ROY 당사 제품 대체 효과
ROY 국내 시장 진입 및 이로인한 매출 증대 기대.
사업화 여부(상품화) ROY AlGaInP AS LED 신뢰성 검증 중.(4차년 과제진행 중)


11) SN1937(36V Boost type LED Drive IC)

과제명 SN1937(36V Boost type LED Drive IC)
연구기관 당사 연구실
연구기간 2010.10 ~ 2012.04
연구결과 및 기대효과 2013년부터 매출증대에 기여 예상
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


12) AST-3508 (30V급 20mil Photo TR) 5inch 신규 개발 1종 _Custom Device

과제명 AST-3508 (자사 0.508mm×0.508mm, 20mil) 30V Photo TR 5inch 신규 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2011.11 ~ 2012.04
연구결과 및 기대효과 금번 신규 개발 평가품 모든 규격을 만족하며, 동급의 SET Application 제품에 확대 적용
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


13) AST-1818 (80V급 18mil Photo TR) 5inch 신규 개발 1종 _Custom Device

과제명 AST-1818 (자사 0.46mm×0.46mm) 80V급 18mil Photo TR 5inch 신규 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.01 ~ 2012.06
연구결과 및 기대효과 Rank별 평가 결과 모두 Chip 규격을 만족
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


14) S52DMXX ( 0.5A/23V 급 ULDO )

과제명 S52DMXX ( 0.5A/23V 급 ULDO ) : 1.5V, 9V, 12V 3종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.05 ~ 2012.07
연구결과 및 기대효과 설계 목표 대비 특성 만족 / ESD 및 신뢰성 시험 PASS
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


15) S52DXX ( 1.0A/23V 급 ULDO )

과제명 S52DXX ( 1.0A/23V 급 ULDO ) : 1.5V, 9V, 12V 3종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.05 ~ 2012.09
연구결과 및 기대효과 설계 목표 대비 특성 만족 / ESD 및 신뢰성 시험 PASS
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


16) SMN08Z25D2 (250V/8A Built-in Zener FET) 제품 개발

과제명 SMN08Z25D2 (250V/8A Built-in Zener FET) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.03 ~ 2012.10
연구결과 및 기대효과 Power switching 소자인 Power MOSFET은 내부에 얇은 Gate oxide 층을 가지고 있는데,
Set 실장 과정이나 사용중 정전기에 노출되면 이 Gate oxide가 파괴되어 동작 불능을 가져올 수 있음.이 ESD 특성을 개선하기 위하여 소자 내부에 Zener diode를 내장함으로써 외부에서 발생한 정전기를 Zener diode로 Bypass 시킬 수 있는 구조 및 공정을 확보하였고, 이를 적용함 제품을 개발함.
기존 MOSFET 특성을 그대로 유지하면서 정전기 내성을 크게 향상시킨 제품으로 적용 Set를 확장하고, 매출 증대 및 Field 불량을 크게 감소시킬 것을 기대함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


17) SF20A400H (400V/20A UFRD 신뢰성 개선품) 제품 개발

과제명 SF20A400H (400V/20A UFRD 신뢰성 개선품) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.04 ~ 2012.7
연구결과 및 기대효과 소자 구조 및 단위 공정을 개선하여 FRD 제품의 고온 특성 및 신뢰성을 개선한 제품을 개발함.기존품 대비 고신뢰성으로 Field 불량 방지 효과가 있어서 매출 증대를 기대함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


18) SF20S300HLD2 / SF20A300HLD (300V/20A Low VF FRD) 제품 개발

과제명 SF20S300HLD2 / SF20A300HLD (300V/20A Low VF FRD) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.03 ~ 2012.7
연구결과 및 기대효과 Set 효율 개선 및 발열 감소를 바라는 고객의 요구에 맞추어 낮은 VF 특성을 갖는 300V급 FRD를 개발함.Reverse 특성 / Switching 특성의 변화없이 Forward 특성을 개선하기 위하여 각 공정 조건을 최적화 진행함.시장 요구에 맞는 개선 제품을 출시함으로써 매출 증대를 기대함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


19) SR20A400HD (400V/20A Low VF FRD) 제품 개발

과제명 SR20A400HD (400V/20A Low VF FRD) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.04 ~ 2012.8
연구결과 및 기대효과 Set 효율 개선 및 발열 감소를 바라는 고객의 요구에 맞추어 낮은 VF 특성을 갖는 400V급 FRD를 개발함.Reverse 특성 / Switching 특성의 변화없이 Forward 특성을 개선하기 위하여 각 공정 조건을 최적화 진행함.시장 요구에 맞는 개선 제품을 출시함으로써 매출 증대를 기대함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


20) SDB160G (60V/1A Schottky Diode) 제품 개발

과제명 SDB160G (60V/1A Schottky Diode) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.04 ~ 2012.9
연구결과 및 기대효과 기존 60V SBD 제품군에서 신규로 시장에서 요구하는 전류 정격의 제품을 Line-up 개발함.새로운 정격의 제품 출시로 신규 Set에 판매함으로써 매출 증대를 기대함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


21) SN45XX(Dual OP-AMP)

과제명 SN45XX(Dual OP-AMP) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.05 ~ 2012.12
연구결과 및 기대효과

설계 목표 대비 특성 만족 / ESD 및 신뢰성 시험 PASS

13년부터 매출증대에 기여

사업화 여부(상품화) 상품화 완료


22) STA105IS, STA105Q (-80V/-1A) ... PNP_Medium PWTR 신규 제품 PKG 파생 개발 2종

과제명 DELTA향 신규 PNP_Medium PWTR (Chip명=BT-2108S) 신규 제품 PKG 파생개발 2종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.06.01 ~ 2012.10.30
연구결과 및 기대효과

고객 DELTA향 TO-92/L → SOT-89 전환 대체 Medium Power TR 신규 개발 요청 및 자사 Line-up 개발 진행
SOT-89 외에 IPAK-S, SOT-223 추가 파생 개발 요청 동시 진행
물량 비중 SOT-223(50%), IPAK-S(30%), SOT-89(20%)
사용량 : 각 1,000K/M (ASAM 기준)
선 개발 완료한 STA105F 결정 조건 Wafer 공유 적용하여 PKG 파생 개발 추진
자사 PNP_-50V급 공정 공유 적용하여 신규 개발 Line-up
내압 마진 우수하며 , 특히 VCE(sat) & hFE Linear 특성 경쟁사 대비 우수함 . Low VCE(sat) 특성을 가짐

사업화 여부(상품화) 상품화 완료


23) SSDP530D (Attenuator PIN Diode)  6inch  Conversion 개발

과제명 SDP530D 6inch Conversion 개발 _Chip명 = 6BD-302
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.08.14 ~ 2012.10.31
연구결과 및 기대효과 KC와 공동 추진중인 AM PJT 관련하여 , 연계된 ITEM 1종에 대해서 자사 Chip으로 대응 협의
기존 5inch BD-302 제품 적용 SPL 대응 하고자 하였으나 생산량 Zero 및 EPI 성장 한계로 인해 자사 6inch Conversion 개발 대응하고자 함 … 별도 Mask 투자 없이 기 보유 Mask 공유 활용 가능함
내압 마진 우수하며 , 특히 CT 특성이 기존 양산대비 Active 면적이 커졌음에도 불구하고 규격에 만족  Intrinsic EPI 비저항 Level 구현으로 안정적인 특성 구현
기존 AM사와 동일한 DC & AC 특성 구현 요청으로 ACTIVE 확대 개선 별도 진행함
AM사에 SPL 대응 평가까지 완료함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


24) AST-3520 (30V급 장방향 Photo TR) 5inch 신규 개발

과제명 AST-3520 (자사 0.45mm×0.60mm) 30V Photo TR 5inch 신규 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.09.12 ~ 2012.11.20
연구결과 및 기대효과 CFAB-사업부 신규 장방향 Photo TR 긴급 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up
CF영업팀 Everlight향 Photo TR OPB0604(외주소싱) 공급 중인데 최근 외주 소싱 업체 공급 단종 통보로 인해 동일 사양의 내부 대체 Photo TR Chip 개발 필요함
경쟁사 분석 내용을 토대로 자사 EPI 원자재 설정 성장 및 5inch BJT 기반 공정 공유 적용 개발 및  GOLDLESS 과제 연계 BMT 조건 변경 평가  병행함
금번 신규 개발 평가품 모든 규격을 만족하며, 동급의 SET Application 제품에 확대 적용 및 WF Level 판매
 활성화로 AUK-D 공장 가동율 향상과 매출 기여 하고자 함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


25)  SDZ7V5CG/SDZ8V2CG/SDZ9V1CG_ 1W급 Power Zener Diode 6inch 신규 개발

과제명 6BD-7V5WG/8V2WG/9V1WG _1W급 Power Zener Diode 6inch 신규 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.05.22 ~ 2012.11.26
연구결과 및 기대효과 TV SMPS 전원단의 정전압 및 Protection용으로 High PD Zener Diode 사용 증가 추세로 SOD-123 CLIP Type 적용 개발 요청 증가로 경쟁사 수준의 Line-up 확보를 위해 추가 Line-up 개발 추진
PD Up위한 SOD-123 CLIP Bonding  신규 PKG 채용하여 선 개발을 하였으나 PKG 투자 지연 발생
업체 및 사용량  : 삼성전기/SDI _각 1,000K/M  ( 6” WF 기준= 총 200매/월 )
자사 1W급 신규 PKG Power Zener Diode 공정 Set-up 및 SEED 품 평가 (6inch) 내용 기준으로  Vz Line-up 개발 진행 및 PKG 2-Wire 전환 진행 -->금번 MV-ZD의 경우 PGR 구조 적용
기본 DC 특성 및 PD (Power Dissipation) LEVEL … 규격 모두 만족함
경쟁사 대비 상대적으로 Chip Size 작고 PKG 형태(경재사 CLIP) 차이 감안시 경쟁사 대비 우세함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


26)  AST-1418 (80V급 14mil Photo TR) 5inch 신규 개발 1종

과제명 AST-1418 (자사 356um×356um) 80V급 14mil Photo TR  5inch 신규 개발 1종
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.08.20 ~ 2012.12.17
연구결과 및 기대효과 CFAB-사업부 Photo Coupler 적용 위한 신규 14mil Photo TR 개발 요청 (정격 80V급) 및 내부 추가 Line-up
CF영업팀 고객 E사에 IRED 판매중으로 시장 확대 측면에서 자사 PTR과 같이 Chip Level 판매 대응 목적
Photo Coupler 용, 소요량 20KK/M
고객사 기 사용중인 16mil TR 보다 가격 대응력 측면에서 14mil로 Shrink 개발 진행 추진함
자사 80V급 5inch 2단 EPI 성장 & 고객 SET 요구 조건 고온  ICEO 특성 개선 위한 공정 개선 개발
금번 AST-1418 Rank별 평가 결과 모두 Chip 규격을 만족하며, 고온 ICEO 특성 고객 규격 조건으로 개선되어짐
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


27) SF3A400H (400V/3A Fast Recovery Diode) 신뢰성 개선품

과제명 SF3A400H (400V/3A Fast Recovery Diode) 신뢰성 개선
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.07 ~ 2012.10
연구결과 및 기대효과 기존 400V/3A FRD 제품에 N+ Channel Stopper 삽입 및 표면 안정화를 위한 공정 조건 변경으로 신뢰성 고온 IR 개선. 기존품 대비 고신뢰성으로 Field 불량 방지 효과가 있어서 매출 증대를 기대함.  
사업화 여부(상품화) 상품화 진행


28) SMN0665RD (650V/5.5A D-PAK용 MOSFET) 제품 개발

과제명 650V/5.5A D-PAK용 FET 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.08 ~ 2012.12
연구결과 및 기대효과 시장 요구에 따른 SMD PKG(D-PAK) 제품 개발을 통하여 매출 향상 및 도입 Chip의 자사 Chip으로의 대체 개발을 통한 이익율 증대
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


29) STC6075F (90V/1.5A, NPN_PWTR) 제품 개발

과제명 STC6075F (LED BLU Drive용 90V/1.5A) NPN_PWTR 제품 개발  
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.12.10 ~ 2013.03.05 [2.6개월] _신뢰성 500시간 완료 일정 포함
연구결과 및 기대효과 자사 120V급 EPI 원자재 규격 최적화 & MBIT 설계 구조를 적용하여 hFE Linearity 특성 Optimization
내압 마진 우수하며 , 특히 VCE(sat) & hFE Linear 특성 경쟁사 대비 우수함 . Low VCE(sat) 특성을 가짐
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


30) SDP2311D _ PIN Diode 제품 개발

과제명 SDP2311D 개선 신규 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.12.10 ~ 2013.03.15 [3.0개월] _신뢰성 1000시간 완료 일정 포함
연구결과 및 기대효과 자사 Intrinsic EPI 성장 및 공정 optimize 설정 대응으로 A사 대비 상대적으로 제조원가 마진 충분함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


31) STC6075F (90V/1.5A, NPN_PWTR) 제품 개발 Line-up 1종

과제명 STC6075F (LED BLU Drive용 90V/1.5A) NPN_PWTR (Chip명=BT-139S) 제품 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.12.10 ~ 2013.03.05 [2.6개월] _신뢰성 500시간 완료 일정 포함
연구결과 및 기대효과 LG-Display 및 LG-IT향  LED Drive 2014년향 신규 모델 채택으로 PKG 파생 개발 요청_VOC
* 자사 120V급 EPI 원자재 규격 최적화 & MBIT 설계 구조를 적용하여 hFE Linearity 특성 Optimization
 → 내압 마진 우수하며 , 특히 VCE(sat) & hFE Linear 특성 경쟁사 대비 우수함 . Low VCE(sat) 특성을 가짐
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


32) STC6075F (90V/1.5A, NPN_PWTR) 제품 개발 Line-up 1종

과제명 SDP2311D 개선 신규 개발 _Chip명 = 6BD-502
연구기관 당사 연구실
연구기간 2012.12.10 ~ 2013.03.15 [3.0개월] _신뢰성 1000시간 완료 일정 포함
연구결과 및 기대효과 금번 개선품 P+ 영역 증가로 IF-VF 특성 curve는 AM사와 동일 수준 확보 되었고, CT 특성 또한 EPI 비저항
level 500Ω.cm↑재현성 확보되어 AM사와 유사 특성을 보이며, DC 항목은 모두 SPEC을 만족함.
 --> 자사 Intrinsic EPI 성장 및 공정 optimize 설정 대응으로 AM사 대비 상대적으로 제조원가 마진 충분함
  --> AM사 SPL 대응 평가 결과 내용 PASS 수신, 자사 신뢰성 1000시간 PASS
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


33) MMBT4401S (40V/0.6A, NPN_SWTR) _Au 확산 공정 개발 1종

과제명 Life-time killer(Au) 공정 NPN_SW-TR (Chip명=BT-4401) 신규 개발   ** 개선 공정 개발
연구기관 당사 연구실
연구기간 22012.01.24 ~ 2012.06.04 [4.4개월] _신뢰성 168시간 일정 포함
연구결과 및 기대효과 자사 Life-time killer 공정 _Au 적용 SW-TR 개선 개발 [고온 Leak 특성 개선] … 개발 결과 보고
선 개발 완료한 전자조사 공정에서 (Au 확산 + O2 Anneal) 개선 공정 적용 제품 개발
전자조사 적용시 AUD → KKR 왕복으로 인한 비용 증가 문제 해결
Au  확산 온도 조건 및 고온 Leak 특성 개선 위한 O2 Anneal 공정 조건 설정 평가
*Au 확산 + O2 Anneal 공정 적용 결과 경쟁사와 동등한 Switching 특성 확보함. 또한 고온 Leak 특성 개선
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


34) SUN0550 (500V/4.5A MOSFET) 제품 개발

과제명   500V/4.5A MOSFET 제품 개발, Cost down 30% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.01 ~ 2013.04  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용을 통한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


35) SMN0380D (800V/3A DPAK용 MOSFET) 제품 개발

과제명   800V/3A MOSFET 제품 개발, DPAK용 제품
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2012.07 ~ 2013.05  
연구결과 및 기대효과   시장 요구에 따른 SMD PKG(D-PAK) 제품 개발을 통하여 매출 향상 및 도입 Chip의 자사 Chip으로의 대체 개발을 통한 이익율 증대  
사업화 여부(상품화 양산 준비 중  


36) SN431N (Shunt regulator IC) 제품 개발

과제명   Shunt regulator IC 제품 개발, Cost down 20% target
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2012.11 ~ 2013.04  
연구결과 및 기대효과   출력특성 산포 개선 및 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


37) SUN0460 (600V/4A MOSFET) 제품 개발

과제명   600V/4A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.05 ~ 2013.07  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


38) SUN0760 (600V/7A MOSFET) 제품 개발

과제명   600V/7A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.05 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


39) SUN0465 (650V/4A MOSFET) 제품 개발

과제명   650V/4A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.05 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


40) SUN0765 (650V/7A MOSFET) 제품 개발

과제명   650V/7A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.05 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용을 통한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


41) SFN10A300H (300V/10A UFRD) 제품 개발

과제명   300V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.02 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


42) SFN10A350H (350V/10A UFRD) 제품 개발

과제명   350V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.02 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


43) SFN10A400H (400V/10A UFRD) 제품 개발

과제명   400V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target  
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.02 ~ 2013.10  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


43) SUN0260 (600V/2A MOSFET) 제품 개발

과제명   600V/2A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.09 ~ 2013.12  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


44) SUN1060 (600V/10A MOSFET) 제품 개발

과제명   600V/10A MOSFET 제품 개발, Cost down 20% target
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.09 ~ 2013.12  
연구결과 및 기대효과   특성 개선 및 신공정 적용한Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대  
사업화 여부(상품화) 양산 준비 중  


45) AST-0620 (80V급 신규 Photo TR) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명   AST-0620 (자사 0.62mm×0.62mm) 80V급 Photo TR 5inch 신규 개발 1종
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.05.04 ~ 2013.10.25  
연구결과 및 기대효과   신규 80V급 Photo TR 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up
고객의 신규 4PIN Mini-Photo Coupler에 적합한 Photo?TR 개발
사업화 여부(상품화) 상품화 완료  


46) AST-1618R (80V급 신규 16mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명   AST-0620 (자사 0.62mm×0.62mm) 80V급 Photo TR 5inch 신규 개발 1종
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.04.23 ~ 2013.11.25
연구결과 및 기대효과   신규 80V급 Photo TR 개선 개발 요청 및 내부 Photo TR 신규 추가 Line-up
AST-1618 Promotion 평가 결과 기 사용중인 제품과 동등한 광 VCE(sat) 특성 개선
사업화 여부(상품화) 상품화 완료  


47) SDP2310D PIN Diode 공정 및 신규 개선개발

과제명   SDP2310D 신규 개선 개발 _Chip명 = 6BD-231
연구기관   당사 연구실  
연구기간   2013.09.03 ~ 2013.12.19
연구결과 및 기대효과   개선품 rs 특성 curve는 AM사와 동일 수준 확보 되었고, CT 특성 또한 EPI 비저항  level 500Ω.cm↑재현성 확보되어 AM사와 유사 특성을 보이며,
DC 항목은 모두 SPEC을 만족함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료  


48) SDP2310D 신규 PIN Diode 공정 재현성 평가 결과

과제명   SDP2310D 신규 개선 개발 _Chip명 = 6BD-2310   , 공정 재현성 평가
연구기관   당사 연구실
연구기간   2013.10.25 ~ 2014.02.21
연구결과 및 기대효과   연계된 ITEM 1종에 대해서 자사 PIN Diode 보유 공정 적용 개선 개발.
AM사와 동일한 rs 특성 (저 전류 영역) 구현을 위해 EPI 비저항 Level 및 EPI 두께 설정하여 공정 개선 개발. Intrinsic EPI 두께에 대해 최종 조건 결정 완료
금번 재현성 공정 평가 및  EPI 비저항  level 500Ω.cm↑ 구현_I 층 두께별 재 검증 결과  rs 특성 curve는  AM사와 동일 수준 확보되어 AM사와 유사 특성을 보이며,
DC 항목은 모두 SPEC을 만족함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


49) BT-205S (-32V/-2A, PNP TR) 공정 개선 개발  1종

과제명   양산 BT-205S PNP-TR BVCBO 불량 개선으로 수율 향상 및 특성 안정화 _ 공정 개선 개발
연구기관   당사 연구실
연구기간   2013.09.12 ~ 2014.02.28
연구결과 및 기대효과   현 양산중인 BT-205S  BVCBO 불량으로 인한 수율 산포 발생 중 양산 수율 분포가 85%~97% 로 LOT to LOT, WF to WF 편차가 발생하고 있음
 PNP-TR 공정Review 결과로 부터 DEEPN+ 공정수순 변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선 및 기존 공정 대비 10~15% 수율 개선 확인
CNT 부 단면 FIB 확인시 안정화 확인
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


50) SFN10A400T/10B400T (400V/10A UFRD) 제품 개발

과제명

400V/10A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선 및 Cost down 10% target

연구기관

당사 연구실

연구기간

2013.11 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과

특성 개선 및 신공정 적용한 Shrink chip 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)

양산 중


51) SFN20A600T/20B600T (600V/20A UFRD) 제품 개발

과제명

600V/20A UFRD 제품 개발, trr 특성/무저항 HTRB 신뢰성 개선

연구기관

당사 연구실

연구기간

2013.11 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과

특성 개선 및 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)

양산 중


52) SFN20W200CI (200V/20A Welding Machine용 UFRD) 제품 개발

과제명

200V/20A Welding Machine용 신규UFRD 제품 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.01 ~ 2014.05

연구결과 및 기대효과

신규시장을 Target으로 신공정 적용한 제품 개발을 통하여 매출 향상과 함께 이익율 증대

사업화 여부(상품화)

양산 중


53) ASD-2109 (80V급 신규 16mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 파생 개발

과제명

AM PJT 연계_KV1862 VCD AUK Modify 공정 개발 및 제품 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2013.10 ~ 2014.01

연구결과 및 기대효과

자사 보유중인 VARICAP DIODE 공정 조건을 기본으로 하여 AM 이관 Process가 아닌  
자사 BF2 Modify 공정 및 제품 개발 _내압 개선 구조 재현성 평가 확보, IMPANT 공정 조건 재 설정
사업화 여부(상품화) 상품화 완료


54)6AST-1618 (80V급 16mil Photo TR) _6inch 공정 Conversion 개발 1종

과제명

6AST-1618 (Sb, 100) 80V급 Photo TR_2단 EPI 적용 6inch 공정 개발 평가 보고

연구기관

당사 연구실

연구기간

2013.11 ~ 2014.02

연구결과 및 기대효과

현 5inch 양산중인 AST-1618 6inch Conversion 공정평가
PhotoTR6inch 공정전환 SET-UP평가를 통한 생산Site 이원화 대응준비

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


55)BT-2106S (-60V/-1A, PNP TR) 공정 개선 개발  2종  _ STA104F, STA104Q

과제명

BT-2106S(-60V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR  공정 개선 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.01.03 ~ 2014.04.15

연구결과 및 기대효과

PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


56)BT-2108S(-80V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR  공정 개선 개발

과제명

BT-2108S(-80V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR  공정 개선 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.01.03 ~ 2014.04.10

연구결과 및 기대효과

PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


57)BT-2112S (-120V/-1A, PNP TR) 공정 개선 개발 2종_ STA3073F, STA3073Q

과제명

BT-2112S(-120V/-1A) 신규 PNP-Medium PWTR  공정 개선 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.01.03 ~ 2014.04.30

연구결과 및 기대효과

PNP-TR 공정 Review결과로부터 DEEPN+공정수순변경적용을 통해 내압안정화 및 수율 개선

사업화 여부(상품화)

상품화 완료

58)SDZ3V3D 개선 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규 구조 전환 개선

과제명

Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_3.3V 구조 변경 개선 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.03.11~ 2014.06.12

연구결과 및 기대효과

구조 변경을 통한 공정 안정 확보 : 기존 MESA 구조 --> P+ Poly Planr+Barrier Metal 구조 변경 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 98% 이상 확보

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


59)SDZ3V0D 신규 개발_ 200mW급 Low Voltage Zener Diode 6inch 신규

과제명

Low Voltage Zener Diode 자사 6inch_3.0V 구조 변경 적용 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.03.11~ 2014.06.18

연구결과 및 기대효과

P+ POLY 적용 구조 변경후 EPI 적용으로 열 공정에 의한 Vz 변화 최소화 하여 모든 특성 규격 조건을 만족하고, 수율 99% 이상 확보

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


60)AST-1818R (80V급 신규 18mil Photo TR_개선) _5inch 신규 Chip 개발 1종

과제명

AST-1818R (자사 0.46mm×0.46mm) 80V급 Photo TR_EM 면적 확대 설계,  5inch 신규 개발 1종

연구기관

당사 연구실

연구기간

2014.01.10~ 2014.06.27

연구결과 및 기대효과

고객 초기 대응한 AST-1818 Promotion 평가 결과 기 사용중인 제품과 동등한 광 CTR 특성 개선

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


61)6AST-1618 (111) _(80V급 16mil Photo TR) _6inch 공정 Conversion 개발 1종

과제명

6AST-1618 (Sb, 111) 80V급 Photo TR_2단 EPI 적용 6inch 공정 개발

연구기관

당사 연구실

연구기간

2013.12.12 ~ 2014.06.23

연구결과 및 기대효과

PhotoTR 6inch 공정전환 SET-UP평가를 통한 생산Site 이원화대응준비

사업화 여부(상품화)

상품화 완료


10. 기타 투자의사 결정에 필요한 사항

보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권 등의 현황입니다.

NO. 종류 명칭 등록일
1 특허 광결합소자 및 그 제조방법(13항) 2000-08-16
2 특허 광결합소자 및 그 제조방법(7항) 2001-06-05
3 특허 질화갈륨계발광소자의전극제작방법 2001-08-29
4 특허 미세구조물 패키징방법 2002-02-02
5 특허 반도체 실리콘 가속도센서 2002-02-23
6 특허 질화물 반도체 백색 발광소자 2002-05-23
7 디자인 광전수신소자 2002-08-22
8 특허 핸들러의 디바이스 감지 제어 장치(2항) 2003-06-27
9 특허 핸들러의 반도체소자 분리 감지장치(2항) 2003-08-01
10 특허 포토 인터럽터(3항) 2003-08-20
11 특허 칼라센서(4항) 2003-11-17
12 특허 인덱스워크홀더(1항) 2003-12-16
13 특허 리모콘 수신모듈 및 그 제조방법(5항) 2004-05-10
14 특허 포토 인터럽트의 제작공법(2항) 2005-02-22
15 특허(중국) A REMOCON RECEPTION MODUL AND
 MANUFACTURING METHOD
2005-08-10
16 실용 리모콘 수신모듈 렌즈 2005-09-13
17 실용 광신호 수신모듈 패키지 2005-11-14
18 특허 리모콘 수신모듈의 차폐구조(2항) 2005-12-19
19 특허 지향각 특성을 향상시킨 리모콘 수신모듈(1항) 2005-12-19
20 특허 칩온 보드 패키지의 몰딩장치(1항) 2006-01-19
21 특허 고방열고조를 갖는 반도체 패키지 2006-02-13
22 특허 리모콘 수신모듈의 렌즈(1항) 2006-02-27
23 특허 자기정렬을 통한 전력용 수직 더블게이트 모스페트의 구조 및 제조방법 2006-08-21
24 특허 형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법 2006-08-29
25 디자인 광수신 모듈용 차폐케이스 2006-08-29
26 디자인 광수신 모듈 2006-08-29
27 디자인 광수신 모듈 2006-08-29
28 디자인 광수신 모듈용 차폐케이스 2006-08-29
29 실용 지폐 식별 장치 2006-12-15
30 특허 발광 다이오드 어레이 모듈의 구동장치 및 구동방법 2007-01-29
31 특허 지향성발광다이오드의 구조 2007-04-02
32 특허 수광소자 및 전기적 기능소자를 포함한 발광다이오드 2007-04-13
33 특허 포터인터럽터의 광소자 삽입방법 및 장치 2007-05-07
34 특허 반도체패키지용 레이져마킹장치 2007-05-17
35 특허 광소자 2007-06-22
36 특허 씨오비 타입 수신모듈 패키지 2007-08-31
37 특허 레일을 이용한 성형틀 교환방식의 성형 프레스 2007-08-31
38 특허 이젝트핀 분리형 성형 프레스 2007-08-31
39 특허 칩 발광다이오드 패키지 2007-09-28
40 특허 포토 트라이악의 구조 2007-09-28
41 특허 포토인터럽터 2007-10-30
42 특허 금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 제조 방법 2007-10-30
43 특허 경사 감지 방법 및 이를 이용한 경사 감지장치 2007-11-27
44 특허 적층형 수동소자를 이용한 광소자 패키지 2007-11-27
45 특허 광소자 패키지 2007-12-28
46 특허 씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법 2008-01-29
47 특허 적외광 수신모듈 2008-01-29
48 특허 리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법 2008-01-29
49 특허 리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법 2008-01-29
50 특허 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법 2008-04-02
51 특허 자외선 엘이디 2008-04-02
52 특허 평행광을 향상시킨 엘이디 2008-06-05
53 특허 리모콘 수신 모듈 및 그 제조 방법 2008-07-11
54 특허 광원 위치인식센서용 모듈, 이를 이용한 자기위치 인식장치 및 자기위치 인식방법 2008-09-26
55 특허 적외선 수신기 2008-10-28
56 특허 아날로그-디지털 신호 변환장치 및 변환방법 2008-10-28
57 특허 센서 검사용 스트립 및 이를 이용한 센서 검사 장치 2009-01-20
58 실용 일체형 발광 다이오드 모듈 2009-05-19
59 특허 위조지폐 감별유니트 2010-02-24
60 특허 광변환소자의 표면처리방법 2010-05-12
61 실용 광소자 패키지 및 그 실장구조 2010-06-23
62 특허 고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법 2010-08-16
63 특허 광학식 액체 레벨 센서 2010-08-17
64 특허 주야간 촬영이 가능한 카메라 모듈 2010-08-17
65 특허 포토 인터럽터 및 그 제조방법 2010-11-16
66 특허 씨오비 타입 수신모듈 패키지 2010-11-16
67 실용 리드프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 2010-11-16
68 특허 반도체 소자, 이의 결합구조 및 제조방법 2011-02-07
69 특허 리모콘 수신모듈 및 이의 제조 방법 2011-02-07
70 특허 오염 방지막이 형성된 엘이디 칩 및 그 제조 방법 2011-03-11
71 특허 광커넥터 2011-04-27
72 특허 수광소자 패키지 2011-04-29
73 특허 카메라 오토 포커스용 엘이디모듈 및 그 제조방법 2011-04-29
74 실용 이너실드를 포함하는 리모콘 수신 모듈 2011-07-04
75 특허 리모콘 수신모듈 및 이의 실장구조 2011-08-19
76 디자인 발광다이오드 기판 2011-10-06
77 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
78 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
79 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
80 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
81 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
82 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
83 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
84 디자인 태양전지 모듈 2011-10-06
85 특허 연성광보드 상의 광소자 집적구조 및 의의 제조방법 2011-11-07
86 특허 리모콘 수신 모듈 2011-11-07
87 특허 정전기 보호용 반도체 소자 및 그 제조방법 2011-11-07
88 실용 내부실드가 형성된 에스엠디 형 리모콘 수신모듈 2011-11-07
89 특허 태양전지 모듈 및 그 제조방법 2011-11-23
90 실용 반도체소자 검사장치 2011-11-30
91 특허 웨이퍼 가공기법을 이용한 엘이디모듈 제조방법 2011-12-05
92 특허 발광부 및 수광부를 구비한 센서 모듈 제조 방법 2011-12-05
93 실용 광도파관 및 광소자의 집적구조 2011-12-05
94 특허 주변광을 이용한 엘이디 식물 생장 시스템 2011-12-28
95 실용 씨오비타입 수신모듈 패키지 2011-12-28
96 특허 광소자 패키지 및 그 제조방법 2011-12-30
97 특허 발광다이오드 패키지 2012-01-30
98 특허 발광칩 및 그 제조방법 2012-01-30
99 특허 이중몰드를 이용한 수광모듈제조방법 2012-03-30
100 특허 조도,근접센서 패키지 및 그 제조방법 2012-08-20
101 디자인 엘이디(LED) 투광등 2013-05-03
102 특허 밝기가 변하는 광원의 광량 증감을 감지하는 광량 비교 센서 2013-08-05
103 특허 n 형 AlAs 하부 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법 2013-11-29
104 특허 파워모듈용 알루미늄 베이스 플레이트 2014-02-19
105 특허 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법 2014-05-02
106 특허 분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 2014-05-02
107 디자인 엘이디(LED) 조명기구 2014-05-21
108 특허 비도핑 알루미늄인듐인 공정방지층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 2014-05-29
109 특허 n 형 GaN 윈도우 층을 가진 AlGaInP 발광다이오드 및 그 제조방법 2014-06-19



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