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기업정보

피델릭스 (032580) Fidelix Co.,Ltd.
메모리 반도체 전문기업
코스닥 / IT 하드웨어
기준 : 전자공시 반기보고서(2014.06)


II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

 지배회사인 (주)피델릭스와 종속회사인 (주)니모스텍이 영위하는 주요사업은 Memory반도체의 개발 및 판매이며 지배회사에서는 Mobile DRAM,초고속메모리,NOR Flash Memory,MCP 등의 사업을 영위하며 종속회사에서는 주로 Flash 사업을 영위하고 있습니다.

가. 시장여건 및 영업의 개황

  반도체 시장은 크게 Memory분야와 System IC분야로 구분할 수 있습니다. 이중 Memory 시장은 크게 3가지 분야인 SRAM, DRAM, Flash memory로 구별됩니다. 이동통신 시장의 발달로 Mobile Phone 단말기는 기존의 단순 음성통화 기능에서 사진, 동영상, 음악등의 Multimedia 기능이 추가됨에 따라 Mobile Phone에서 요구되는 Memory의 용량도 급격히 증가하고 있습니다. 당사가 주력으로 개발 및 판매하는 제품중 Mobile DRAM 은Memory 반도체 중 저전력을 요구하는  Mobile Phone의 Buffer Memory로 사용되는 PSRAM(Pseudo SRAM) 및 LP-SDRAM(Low Power SDRAM)/DDR(Double Data Rate)로서 단순 음성통화 기능의 Mobile Phone에서 다양한 Multimedia 기능과 3G를 기반으로 한 영상통화의 접목으로 인하여 점차 Memory의 수요가 Low-density부터 High-density의 다양한 Mobile Memory 수요가 늘어나고 있는 추세 입니다.
PSRAM은 DRAM의 설계기술을 이용 Cell의 내부구조는 DRAM과 유사하나 외부동작은 SRAM과 같이 작동하는 특징을 가진 Memory로 2002년 부터 본격적으로 시장에 출시되기 시작하였습니다. Mobile Phone에서 요구하는 Memory의 용량은 증가하는 반면 Phone의 Size는 오히려 축소되어 기존의 SRAM은 Chip Size가 커 이러한 요구에 한계가 발생하여 적절히 대응하지 못하는 반면 DRAM의 경우에는 대용량 Memory의 요구에는 대응할 수 있으나 Mobile Application에서 필수적으로 요구되는 저 전력소비 문제를 해결할 수 없는 문제가 있었습니다.
당사의 PSRAM은 상기 DRAM과 SRAM의 한계를 극복하기 위하여 개념이 도입된 특수 Memory로 DRAM의 장점인 작은 Chip Size와 SRAM의 장점인 저전력 소비를 동시에 만족할 수 있도록 개발된 제품입니다.
또한 Camera Controller IC업체 및 Multimedia Controller IC 업체를 중심으로  LP-DDR의 비중을 높혀가고 있는 상황이며 향후에는 Mobile Phone  이외의 Mobile Digital Consumer Application의 주 Buffer Memory시장에서도 그 비중을 점차 높혀갈 것으로 예상되고 있습니다.
한편 Nor Flash Memory 는 2009년 개발을 시작하여 2011년1분기부터 본격적인 매출을 시작하였으며, Low-End Handphone의 주메모리 뿐만 아니라, ODD, Blue Ray Disc 및 Smartphone ISP(Image Sensor Processor)등으로 사용 범위가 확대되고 있습니다. 한편 Feature Phone 급 이하 핸드폰의 주 memory로 사용되는 Flash도 2012년에 설립하여 종속회사로 편입된 (주)니모스텍을 통하여 개발 진행중에 있으며 2014년 이후 주력사업으로 성장할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.
또한 2011년 하반기 부터 매출 시작한 네트워크 통신장비용 초고속 Memory는 높은 기술력을 요하는 사업으로, 소수의 Memory 업체가 시장 참여하고 있으며, 2013년부터 주력사업으로 성장하였습니다.
주로 Low-End 핸드폰용으로 공급되는 MCP 제품은 대기업의 철수 또는 주력하지 않는 시장으로, 2012년부터 당사의 주력사업으로 성장하였으며 Low-End 핸드폰 시장의 지속과 함께 향후에도 일정규모 이상의 시장을 유지할 것으로 예상됩니다.

나. 회사의 현황

당사 제품의 최대 수요처는 휴대폰 시장으로서 당사의 매출은 휴대폰 시장의 규모 및 향후 성장에 크게 영향을 받을 것으로 예상하고 있습니다.

특히 핸드폰 시장은 2010년 이후 Smart Phone 이 급격하게 증가하고 있으며, 이와 함께 Feature Phone 및 Low-End 핸드폰도 일정 수준의 시장규모를 지속할 것으로 전망됩니다.
당사는 Smartphoe 향에서 Low-end Phone 향까지 Memory 제품군을 모두 갖추고 있어 핸드폰 시장의 변화에 대응할 수 있으며, 핸드폰 시장 확대와 함께 지속적인 성장이 가능할 것으로 기대하고 있습니다.

                                  <Worldwide Unit Production by Type>      

                                                                                              (Millions of Unit)

Mobile Device 2012 2013 2014 2015 2016 2017
Smart Phones 712 1,008 1,265 1,487 1,674 1,812
Feature Phones 459 281 176 123 92 82
Entry Level Phones 112 106 78 51 36 28
ULCH 147 139 107 88 69 60
Total 1,429 1,534 1,626 1,749 1,871 1,982

- Source : I-Supply (December 2013)


(1) 공시대상 사업부문의 구분

산업분류코드 산업분류명
26110 전자 집적회로 제조업

한국표준산업분류표에 의함


(2) 시장점유율 등

PSRAM 업종을 영위하는 업체는 국내외에 당사 및 EMLSI, Winbond 등의 업체가 있습니다. 또한 LP-SDRAM/DDR 시장은 삼성전자 등 Major Memory 업체를 포함 다수의 업체가 경쟁하고 있습니다.  각 시장참여자들은 자체 Fab의 보유여부, 보유 생산기술 등에 따라 생산하고 있는 제품은 다소 차이가 있습니다.
PSRAM 및 LP-SDRAM/DDR은 대부분 MCP(Multi Chip Package)의 형태로 최종 Customer인 Mobile Phone Maker에 공급되어 PSRAM 또는 LP-SDRAM만의 매출규모를 파악할 수 없는 바, 당사의 시장점유율을 객관적으로 계산하기는 힘듭니다만 당사는 Mobile Application에 사용되는 전세계 Buffer Memory시장의 20%를 목표로 하고 있습니다. 한편 Nor Flash Memory는 Spansion, Micron 등 대기업과 대만의 EON, MXIC등의 업체가 경쟁하고 있습니다. 전체 Nor Flash 시장의 10%를 목표로 개발제품의 수를 점차 확대할 계획입니다.


(3) 시장의 특성

 PSRAM 및 LP-SDRAM/DDR의 주요용도는 Cellular Phone을 중심으로 한 Mobile통신기기로서 향후 시장은 지속적으로 증가할 것으로 기대되고 있습니다.  당사는 생산설비를 보유하고 있지 아니한 Fabless 반도체 회사인 바, Fabless 회사에 있어 안정적이고 Advanced된 Technology를 보유하고 있는 Foundry 확보는 사업추진에 있어 필수적인 중요한 요소입니다. 2008년3월 하이닉스 반도체와의 전략적제휴 계약 체결을 계기로 주요 Mobile DRAM 제품은 하이닉스반도체를 이용함으로써, 안정적인 Foundry 확보는 물론 원가경쟁력 제고에 기여하게 되었습니다. 또한 Flash Memory Foundry를 위해 동부하이텍과 전략적 제휴계약을 체결하여 양산중에 있으며, 60nm 급 신규 개발 제품은 SMIC를 이용하고 있습니다. 한편 신규사업으로 추진중인 초고속 Memory 및 70nm 급 이하 DRAM은 대만의 Powerchip을 이용하고 있습니다.

 Buffer Memory의 주요 기술 및 가격경쟁력은 작은 Chip Size, 전력소비, 동작속도에 있으며 당사의 제품은 다음과 같은 경쟁 우위를 보이고 있습니다.
 ① Smaller Chip Size

반도체제품의 제조원가는 크게 Wafer Cost와 Test Cost로 구성되며, Wafer Cost는 Wafer당 Die의 수와 관계없이 결정되나 Test Cost는 Die수량에 따라 증가하나 정비례 관계를 가지지는 아니하여 한 Wafer당 Die의 수가 많으면 많을 수록 Die(Chip)당 생산단가는 하락하게 됩니다. 당사의 Wafer당 Die수는 동일 공정을 사용하는 타 경쟁사 대비 많은 것으로 알려져 있습니다.
② 적기 제품 공급 가능
현재 당사의 8M~64M PSRAM은 동일 공정을 사용함으로써 Design Error를 최소화 하고 개발에 소요되는 기간을 최단기화 할 수 있는 바, Customer가 요구하는 제품을 적기에 공급할 수 있는 장점이 있습니다. 또한 동일 공정을 사용하는 것은 제품의 개발기간을 최소화 할뿐 아니라 Customer로부터의 Qual기간도 최소화 함으로써 개발에서 매출까지의 기간을 단축시키는 잇점이 있습니다. 이러한 적기의 제품공급은 시장 선점의 효과를 누릴 수 있으며 MCP Business의 특성상 Customer의 변경은 시간을 요하는 것으로서 시장선점으로 일정기간 매출을 지속할 수 있는 잇점을 가질 수 있습니다.  
③ 제품의 Quality
당사 제품은 Buffer Memory의 특성 중 가장 중요한 요소인 Speed 측면에서 경쟁우위를 점하고 있습니다. 간결한 내부 Logic으로 구성되어 있어 내부 Logic연산시에 소요되는 시간을 최소로하여 Chip Speed를 빠르게 할수 있는 장점을 가지고 있습니다. 또한 고객에 따라 요구하는 제품의 특성이 다양한 바, 이에 응하기 위하여 다양한 Option기능을 활용함으로써 Customer에게 최적의 제품을 공급할 수 있게 설계되어 있습니다. 한편 PSRAM 에서 가장 중요한 요소중의 하나는  ISB1(Standby Current)이며, 적은 ISB1,즉 Low Power / Low Voltage 를 구현하는 기술은 PSRAM 뿐만아니라, Low Voltage SDRAM, 나아가 Low Power DDR 제품에서는 필수적인 요소입니다.  보다 적은 ISB1을 구축하기 위해서 Design상에서 DPD(Deep Power Down), PASR(Partial Array Self Refresh), RMS(Reduced Memory Size), Automatic TCSR(Temperature Controlled Self Refresh) Mode와 같은 Function들을 지원하고 있습니다.
④  Test 기술
Package Business와 달리 Wafer Business의 경우 Wafer Level에서 모든 Screen이 이루어 져야 하며 최적의 Screen을 위한 Test기술은 오랜 기간의 경험에서 오는 Know-how가 전제되어야 가능한 기술입니다. 이러한 Test 기술은 세계수준의 Flash Memory회사와의 거래를 위해서는 필수적일 뿐만 아니라 동 업체로부터의 Qaul은 당사의 제품수준에 대한 실증으로서의 효과를 가짐으로써 제품경쟁력을 확보하게 되고 또한 타사보다 높은 가격 Premium을 가질 수 있게 합니다.

(4) 조직도
 ① (주)피델릭스 조직도

이미지: (주)피델릭스 조직도-20140630

(주)피델릭스 조직도-20140630


② (주)니모스텍 조직도

이미지: (주)니모스텍 조직도-20140630

(주)니모스텍 조직도-20140630


2. 주요 제품, 서비스 등

가. 주요 제품, 서비스 등의 현황

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품   목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율)
제    조 제품매출 반도체 Mobile Application용 Memory Fidelix 38,464(99.9)
기타매출 반도체매출 외 기타 - 32(0.1)
합  계 38,496(100.0)


나. 주요 제품, 서비스 등의 가격변동추이

(단위 : 원)
품 목 제25기 반기 제24기 연간 제 23기 연간
PSRAM, LPSDRAM/DDR,
Flash
내수 336 552 772
수출 466 328 786


3. 주요 원재료에 관한 사항
가. 주요 원재료 등의 가격변동추이
- 당사 영업비밀상 비공개로 함

나. 주요 원재료 등의 주요매입처 현황등

(단위 : 백만원 , % )
사업부문 매입유형 품   목 구체적용도 매입액(비율) 비   고
제     조 원 재 료 Wafer 반도체 제조 23,894(100.0) 동부하이텍등


4. 생산 및 설비에 관한 사항

- 당사의 경우 별도의 생산설비를 보유하지 아니한 반도체 설계 전문기업으로서(Fabless 기업) 당사 제품의 생산은 Foundry 전문기업(Hynix, 동부하이텍, Powerchip)에 위탁가공생산방식으로 이루워 지고 있습니다.

5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적

(단위 :백만원 )
사업부문 매출유형 품 목 제25기 반기 제24기 제23기
제조 제품
기타
반도체 수 출 34,914 68,174 53,632
내 수 3,582 19,347 39,624
합 계 38,496 87,522 93,256
기타 수 출 - - -
내 수 - - -
합 계 - - -
합 계 수 출 34,914 68,174 53,632
내 수 3,582 19,347 39,624
합 계 38,496 87,522 93,256


나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직

본사영업팀,미주/중국 상주영업직,판매 대리점(국내,일본,대만,중국,유럽 등)


(2) 판매경로

본사영업팀 직접 매출 또는 대리점을 통한 매출

이미지: 판매경로

판매경로


(3) 판매방법 및 조건

① 내수판매 : 현금판매 및 외상판매 등 다양

② 수출판매 : 주로 T/T방식 결제

(4) 판매전략

국내 판매 정책 : 주요 Customer의 향후 신규 Memory 수요 파악

해외 판매 방식 : 해외영업을 강화하기 위하여 판매대리점 추가 물색중임

6. 수주상황

(단위 : 개, 백만원)
품 목 수주일자 납 기 수주총액 기납품액 수주잔고
수 량 금 액 수 량 금 액 수 량 금 액
Memory 반도체 14.02.17 ~ 14.06.30 14.04.01~'15.03.02 23,144,322 12,902 1,368,994 701 21,775,328 12,201
합 계 23,144,322 12,902 1,368,994 701 21,775,328 12,201


7. 시장위험과 위험관리
당사는 외화표시 자산과 부채의 환율변동에 의한 리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 예측 가능 경영을 통한 경영의 안정성 실현을 목표로 환리스크 관리에 만전을 기하고 있습니다.
  당사의 재무위험 관리는 영업활동에서 파생되는 시장위험, 신용위험 및 유동성위험을 최소화하는데 중점을 두고 있습니다. 당사는 이를 위하여 재무팀이 주관하여 각각의 위험요인에 대해 면밀하게 모니터링후 대응하고 있습니다.

(1) 시장위험
1) 환율변동위험
  당사는 글로벌 영업활동을 수행함에 따라 보고통화와 다른 외화 수입, 지출이 발생하고 있습니다. 이로 인해 환율변동위험에 노출되는 환포지션의 주요 통화로는 USD등이 있습니다.
  당사는 영업활동에서 발생하는 환위험의 최소화를 위하여 수출입등의 경상거래 및 예금, 차입 등의 자금거래시 입금 및 지출 통화를 일치시키는 것을 원칙으로 함으로써 환포지션 발생을 최대한 억제하고 있습니다.
보고기간말 현재 당사가 보유한 화폐성 자산부채의 내역은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)
구분 2014.06.30 2013.12.31 비고
자 산 부 채 자 산 부 채
USD 10,669,549 9,215,386 7,356,498 10,053,771 -
NTD 5,732 - 12,240 - -
합  계 10,675,281 9,215,386 7,368,738 10,053,771 -


당사는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 외화에 대한 보고통화의 환율 10%변동시 환율변동이 당기와 전기 중 세전손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원)
구분 2014.06.30 2013.12.31 비고
10% 상승시 10% 하락시 10% 상승시 10% 하락시
USD 145,416 (145,416) (269,727) 269,727 -
NTD 573 (573) 1,224 (1,224) -
합  계 145,989 (145,989) (268,503) 268,503 -

상기 민감도 분석은 당반기말과 전기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채를 대상으로 한 것입니다. 환율의 미래변화는 판매가격과 매출이익율의 변화에 영향을 줄 수 있습니다.

2) 이자율 위험
  당사는 고정이자율과 변동이자율로 자금을 차입하고 있으며, 이로 인하여 이자율위험에 노출되어 있습니다. 당사는 이자율위험을 관리하기 위하여 고정금리부차입금과변동금리부 차입금의 적절한 균형을 유지하고 있습니다.
 당사는 이자율에 대한 노출에 대해 다각적인 분석을 실시하고 있습니다. 재융자, 기존 차입금의 갱신, 대체적인 융자 및 위험회피 등을 고려한 다양한 시나리오를 시뮬레이션 하고 있습니다. 이러한 시나리오를 바탕으로 회사는 정의된 이자율 변동에 따른 손익 효과를 계산하고 있습니다. 이러한 시나리오들은 주요 이자부 포지션을 나타내는 부채에 대해서만 적용됩니다.
실행된 시뮬레이션에 근거할 때, 1% 이자율 변동이 세전손익에 미치는 영향은 아래와 같습니다.

(단위 : 천원)
구분 2014.06.30 2013.12.31 비고
1% 상승시 1% 하락시 1% 상승시 1% 하락시
법인세차감전손익 (55,065) 55,065 (100,000) 100,000 -


(2) 신용위험
신용위험은 보유하고 있는 수취채권 및 확정계약을 포함한 거래처에 대한 신용위험뿐 아니라 현금및현금성자산 및 장단기금융자산으로부터 발생하고 있습니다.
  당사는신용위험을 관리하기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있으며 주기적으로 거래처의 신용도를 재평가하여 신용거래한도를 재검토하고 있습니다.

당기 중 신용한도를 초과한 건은 없었으며 경영진은 거래처로부터 의무불이행으로 인한 손실을 예상하고 있지 아니합니다.

(3) 유동성위험
 당사는 적정 유동성의 유지를 위하여 주기적인 자금수지 예측, 필요 현금수준 추정 및 수입, 지출 관리 등을 통하여 적정 유동성을 위험을 유지, 관리하고 있습니다. 이에 따라 당사는 주기적으로 미래현금흐름을 예측하여 유동성 위험을 사전적으로 관리하고 있습니다.
  당사의 금융부서는 상기에서 언급한 예측을 통해 결정된 대로 여유있는 유동성이 확보될 수 있도록 적절한 만기나 충분한 유동성을 제공해주는 이자부 당좌예금, 정기예금, 수시입출금식 예금, 시장성 유가증권 등의 금융상품을 선택하여 잉여자금을 투자하고 있습니다.
  당사의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다. 당반기말 및 전기말 현재 금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 아래와 같습니다. 아래 표에 표시된 현금흐름은 현재가치할인을 하지 않은 금액입니다.
<당반기말>

(단위 : 천원)
구분 2014.06.30 비고
1년 미만 1년에서2년미만 2년이후
차입금 8,320,792 1,098,745 2,015,643 -
매입채무 9,386,755 - - -
기타지급채무 1,478,557 - - -
19,186,103 1,098,745 2,015,643 -

<전기말>

(단위 : 천원)
구분 2013.12.31 비고
1년 미만 1년에서2년미만 2년이후
차입금 5,254,044 2,141,945 3,059,339 -
매입채무 10,365,387 - - -
기타지급채무 1,645,941 - - -
17,265,372 2,141,945 3,059,339 -


(4) 자본위험
당사의 자본관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본비용을 절감하기 위해 최적 자본구조를 유지하는 것입니다. 자본구조를 유지 또는 조정하기 위하여 회사는 주주에게 지급되는 배당을 조정하고, 주주에 자본을 반환하며, 부채감소를 위한 신주 발행 및 자산 매각 등을 실시하고 있습니다.
  당사는 자본조달비율에 기초하여 자본을 관리하고 있습니다. 자본조달비율은 순부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있습니다. 순부채는 총 차입금에서 현금및현금성자산을 차감한 금액이며 총자본은 재무상태표의 "자본"에 순부채를 가산한 금액입니다.
보고기간말 현재 당사의 자본조달비율은 다음과 같습니다.

(단위 : 천원 , %)


구   분 2014.06.30 2013.12.31 비고
총차입금 11,013,010 10,000,000
차감:현금및현금성자산 (1,893,594) (7,851,845)
순부채(A) 9,119,415 2,148,155
자본총계 35,022,623 34,904,527
총자본(B) 44,142,039 37,052,682
자본조달비율(%) 20.66% 5.80%


8. 파생상품거래 현황

가. 파생상품 및 계약에 관한 내용

(1) 선물환

당사는 환율 변동에 따른 위험을 회피할 목적으로 선물환 약정을 체결하고 있습니다.

보고기간말 현재 당사의 선물환계약 체결 내역은 없습니다.

(2) 파생상품
1) 2010년 ㈜아토솔루션 제1회 신주인수권부 사채 10억원 인수를 하여 관련 신주인수권은 파생상품자산으로 인식하였으며, 전기중 행사가능기간이 종료됨에 따라 전액 소멸 되었습니다.

2) 파생상품 관련 세부내역
당사의 보고서 작성기준일 현재 파생상품은 전기중 전액 소멸 되었습니다.


3) 보고기간종료일 현재 파생상품계약과 관련하여 평가한 내역은 다음과 같습니다

(단위 : 개, 천원)
파생상품 취득가액 평 가 액 거래이익(손실) 평가이익(손실) 비고
당   기 전   기 당   기 전   기 당   기 전   기
파생상품자산
(신주인수권)
12,232 - - - - - (2,333) -


9. 연구개발활동

가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직
회사는 연구개발 업무를 전담으로 하는 기업부설 연구소를 별도로 설립하여 운영하고 있습니다.
 ① (주)피델릭스 연구소 조직도

이미지: (주)피델릭스 연구소 조직도-20140630

(주)피델릭스 연구소 조직도-20140630

② (주)니모스텍 연구소 조직도

이미지: (주)니모스텍 연구소 조직도-20140630

(주)니모스텍 연구소 조직도-20140630


(2) 연구개발비용
회사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다.

(단위 :천원 )
과       목 제25기 반기 제24기 제23기 비 고
원  재  료  비 915,377 2,047,213 1,734,140
인    건    비 1,818,447 3,411,199 3,351,151
감 가 상 각 비 32,222 59,854 66,917
위 탁 용 역 비 - - -
기            타 965,935 1,726,837 1,241,122
연구개발비용 계 3,731,981 7,245,103 6,393,330
회계처리 연구개발비 1,340,154 2,640,667 2,643,248
제조경비 - - -
개발비(무형자산) 2,391,827 4,604,436 3,750,081
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
9.7% 8.3% 6.9%


나. 연구개발 실적
회사의 최근 5년간 연구개발 실적은 다음과 같습니다.

구분 날짜 내용 비고
1 2009.01 64M SDRAM 개발 완료 -
2 2009.02 2nd 256M LPDDR 개발 완료 -
3 2009.03 3rd 128M LPDDR 개발 완료 -
4 2009.03 256M SDRAM 개발 완료 -
5 2009.06 128M SDRAM 개발 완료 -
6 2009.08 3rd 8M PSRAM 개발 완료 -
7 2009.11 3rd 32M PSRAM 개발 완료 -
8 2010.03 128M LPSDRAM(12 inch) 개발 완료 -
9 2010.08 1st 16M LPDDR 개발 완료 -
10 2010.09 4th 16M PSRAM 개발 완료 -
11 2010.10 16M SPI Flash 개발 완료 -
12 2011.01 32M SPI Flash 개발 완료 -
13 2011.03 4th 32M PSRAM 개발 완료 -
14 2011.05 1st 128M A/D Burst PSRAM 개발완료 -
15 2011.09 576M LLDRAM 개발완료 -
16 2012.01 3216 MCP 개발완료 -
17 2012.01 6432 MCP 개발완료 -
18 2012.02 32M QPI Flash 개발 완료 -
19 2012.02 64M QPI Flash 개발 완료 -
20 2012.05 5th 16M PSRAM 개발 완료 -
21 2012.07 288M LLDRAM 개발 완료 -
22 2012.09 16M QPI Flash 개발 완료 -
23 2012.09 2nd 16M SPI Flash 개발 완료 -
24 2013.01 1st 4M QPI Flash 개발 완료 -
25 2013.02 512M LPDDR 개발 완료 -
26 2013.12 3rd 256M LPDDR 개발 완료 -
27 2014.01 2nd 8M QPI Flash  개발 완료 -
28 2014.03 1st 1G LPDDR 개발 완료 -


10. 기타 투자의사결정에 필요한 사항

가. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권)등
 당사는 영위하는 사업과 관련하여 77건의 특허권을 취득하여 보유하고 있습니다.
  각 특허권의 내용은 다음과 같습니다.

순번 발명의 명칭 종류 등록일 등록번호 등록국가
1 반도체 메모리 소자의 어드레스 입력장치 및 방법 특허권 2003-07-08 6590828 미국
2 스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 및 그 라이트데이타 입력방법 특허권 2003-11-04 6643205 미국
3 반도체 메모리 소자의 어드레스 입력장치 및 방법특허완료 관납료 특허권 2004-06-22 10-0438375 대한민국
4 스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 의 리프레쉬장치 및 그 방법 특허권 2004-09-10 10-0449638 대한민국
5 온도센서를 구비한 리프레쉬 동작용 클럭발생기 특허권 2005-07-13 10-0502971 대한민국
6 리프레쉬 동작용 클럭발생기 특허권 2005-07-13 10-502972 대한민국
7 온도센서를 구비한 리프레쉬 동작용 클럭발생기 특허권 2005-10-18 6956397 미국
8 논 파워모드에서 전류소모 감소를 위한 메모리 시스템 특허권 2006-05-19 10-0583834 대한민국
9 어드레스 천이에 응답하여 리프레쉬가 수행되는 디램셀 에스램 특허권 2006-05-19 10-0583833 대한민국
10 스토리지 커패시터를 포함하는 셀을 가지는 에스램 및 그 라이트데이타 입력방법 특허권 2006-07-04 10-599411 대한민국
11 로우 바운더리 구간에서 리프레쉬가 수행되느 디램셀 에스램 특허권 2006-09-26 10-0630976 대한민국
12 리프레쉬 수행에서 노말 엑세스로의 복귀지연시간 제어 특허권 2006-09-26 10-0630975 대한민국
13 충돌 방지를 위한 반도체 메모리 장치 특허권 2006-12-13 10-0659554 대한민국
14 전류소모를 감소시키는 출력 드라이버 특허권 2007-01-30 10-0679077 대한민국
15 복수개의 포트를 가진 메모리 장치와 그 테스트 방법 특허권 2007-03-14 10-0697832 대한민국
16 독립적인 입출력 파워와 클럭을 가지는 다중포트 메모리 장치 특허권 2007-04-30 10-0715525 대한민국
17 공유 저장영역의 리프레쉬방법 및 그 방법을 수행하는 다중포트 메모리장치 특허권 2007-08-27 10-0754358 대한민국
18 복수의 공유블록을 포함하는 다중 포트 메모리 장치 특허권 2007-08-27 10-0754359 대한민국
19 공유저장영역의 안정적인 리프레쉬를 수행하는 다중포트 메모리장치 및 그 리프레쉬 방법 특허권 2007-08-27 10-0754360 대한민국
20 데이터 입출력 파워 공유가 가능한 다중포트 메모리장치 특허권 2007-08-27 10-0754361 대한민국
21 다중포트 메모리 장치 및 그 데이터의 출력방법 특허권 2007-11-26 10-0781129 대한민국
22 휴대형 장치 및 공유 메모리의 저전력 모드제어 방법 특허권 2007-12-18 10-0788980 대한민국
23 전압레벨 감지회로 특허권 2008-02-21 10-0807991 대한민국
24 휴대형 장치 및 공유메모리의 리프레쉬 제어방법 특허권 2008-03-20 10-0817316 대한민국
25 하나의 오실레이터를 구비한 메모리 장치및 리프레쉬 제어 방법 특허권 2008-03-20 10-0817317 대한민국
26 다중포트 메모리 장치 및 그 접근권한의 제어방법 특허권 2008-05-27 10-0834373 대한민국
27 접근권한 레지스터 로직을 갖는 다중 포트 메모리 장치 및 그 제어 방법 특허권 2008-06-27 10-0843580 대한민국
28 파워업 시에 오동작을 방지하는 딥 파워다운 발생회로 특허권 2008-10-24 10-0866052 대한민국
29 비휘발성메모리를프로그램하는방법 특허권 1998-10-26 10-0172831 대한민국
30 플래쉬 메모리 장치 특허권 1999-02-05 10-0193898 대한민국
31 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 특허권 1999-04-15 10-0208433 대한민국
32 비휘발성 메모리장치 특허권 1999-09-03 10-0232190 대한민국
33 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법 특허권 1999-10-05 10-0237019 대한민국
34 플래쉬 메모리의 소거 방법 특허권 2000-03-06 10-0257854 대한민국
35 플래쉬 메모리 장치의 파워 리셋 회로 특허권 2001-05-08 10-0296323 대한민국
36 비휘발성 메모리 센싱장치 및 방법 특허권 2001-06-18 10-0300549 대한민국
37 레퍼런스 메모리셀의 초기화 회로 및 그를 이용한 초기화 방법 특허권 2001-06-28 10-0301817 대한민국
38 플래시메모리의레이아웃및그형성방법 특허권 2001-11-15 10-0316060 대한민국
39 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로 및 그를 이용한 문턱전압 설정방법 특허권 2002-03-26 10-0331847 대한민국
40 플래시 메모리의 어드레스 버퍼 특허권 2003-01-03 10-0368315 대한민국
41 플래쉬 메모리 셀의 어레이 및 이를 이용한 데이터프로그램방법 및 소거방법 특허권 2003-03-27 10-0379553 대한민국
42 멀티 뱅크 구조의 플래쉬 메모리 장치 특허권 2004-10-13 10-0454144 대한민국
43 비트 카운터 및 이를 이용한 반도체 소자의 프로그램 회로및 프로그램방법 특허권 2005-02-22 10-0474203 대한민국
44 멀티레벨 플래시 메모리를 프로그램/리드하기 위한 센싱회로 특허권 2000-12-18 10-0284295 대한민국
45 플래쉬 메모리 장치 특허권 2000-01-06 NI-106578 대만
46 플래쉬 메모리 장치 특허권 2008-02-19 RE40076 미국
47 비트 카운터 및 이를 이용한 반도체 소자의 프로그램 회로및 프로그램방법 특허권 2006-12-01 3887304 일본
48 비트 카운터 및 이를 이용한 반도체 소자의 프로그램 회로및 프로그램방법 특허권 2004-06-15 6751158 미국
49 플래쉬 메모리의 소거 방법 특허권 1999-11-23 5991206 미국
50 레퍼런스 메모리셀의 문턱전압 설정회로 및 그를 이용한 문턱전압 설정방법 특허권 2001-07-31 6269022 미국
51 플래쉬 메모리 셀의 어레이 및 이를 이용한 데이터프로그램방법 및 소거방법 특허권 2003-07-22 6597604 미국
52 플래쉬 메모리 장치의 파워 리셋 회로 특허권 2001-02-06 6185129 미국
53 레퍼런스 메모리셀의 초기화 회로 및 그를 이용한 초기화 방법 특허권 2001-08-21 6278634 미국
54 비휘발성 메모리장치 특허권 1998-09-01 5801993 미국
55 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법 특허권 2000-06-13 6076138 미국
56 멀티 뱅크 구조의 플래쉬 메모리 장치 특허권 2002-12-24 6498764 미국
57 비휘발성메모리를프로그램하는방법 특허권 1996-10-15 5566111 미국
58 비휘발성메모리를프로그램하는방법 특허권 1996-09-01 NI-80877 대만
59 비휘발성메모리를프로그램하는방법 특허권 2001-07-19 3211146 일본
60 비휘발성메모리를프로그램하는방법 특허권 2003-03-26 ZL96102818.1 중국
61 멀티레벨 플래시 메모리를 프로그램/리드하기 위한 센싱회로 특허권 2000-08-01 6097635 미국
62 플래시 메모리의 어드레스 버퍼 특허권 2002-04-30 6381192 미국
63 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 특허권 1998-06-23 NI-93089 대만
64 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 특허권 1998-07-21 5784317 미국
65 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 특허권 2005-09-30 3725984 일본
66 플래시메모리의레이아웃및그형성방법 특허권 2000-05-23 6067249 미국
67 비휘발성 메모리 센싱장치 및 방법 특허권 2001-09-18 6292397 미국
68 비휘발성 메모리 센싱장치 및 방법 특허권 2002-09-03 6445616 미국
69 소거 신뢰성이 향상되는 플래시 메모리 장치 및 그의 소거방법 특허권 2013-05-03 10-1262788 대한민국
70 외부 배선의 수를 저감하는 멀티 칩 패키지 및 그의 구동방법 특허권 2013-10-01 10-1315864 대한민국
71 필라형 수직 채널 트랜지스터 및 그의 제조방법 특허권 2014-01-09 10-1351794 대한민국
72 수직 다중 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법 특허권 2014-03-04 10-1377068 대한민국
73 실린더형 멀티 레벨 스토리지 디램 셀 및 그의 제조방법 특허권 2014-03-17 10-1372307 대한민국
74 센싱 효율이 개선되는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 회로 특허권 2014-04-02 10-1383104 대한민국
75 더블 패터닝 기술을 기반한 모스 메탈 병합 커패시터 소자 특허권 2014-04-02 10-1383106 대한민국
76 필라형 수직 디램셀 및 그의 제조방법 특허권 2014-04-14 10-1386911 대한민국
77 천이슬로프 기반 에러 확인 회로 및 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 특허권 2014-05-08 10-1394950 대한민국




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