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기업정보

바른전자 (064520) "Barun Electronics Co.,Ltd."
Storage SIP 전문업체
코스닥 / IT 하드웨어
기준 : 전자공시 반기보고서(2014.06)


II. 사업의 내용


1. 사업의 개요

가. 업계의 현황
1) 반도체 산업

반도체 산업은 1947년 고체 소자 트랜지스터의 발명으로 태동하였고, 실리콘의 도입과 집적회로의 개발로 이어지면서 지난 30여년간 PC산업, Digital TV, 휴대폰 및 Consumer제품의 발달과 함께 CPU 등의 비메모리 반도체와 메모리 반도체 산업이 동시에 발전해 왔습니다.

반도체는 크게 정보를 저장할 수 있는 메모리반도체와 정보저장 없이 신호처리 연산이나 제어기능을 하는 비메모리 반도체로 구분할 수 있습니다.  대표적인 메모리 반도체는 휘발성인 DRAM과 비휘발성인 Flash Memory로 분류되는데, DRAM은 주로 PC용 주기억장치에 이용되고 처리 속도 및 능력에 따라 SDRAM, 램버스 DRAM,
  DDR, DDR2, DDR3 등이 있습니다.  Flash Memory는 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리반도체로, 저 소비전력과 빠른 접속속도 및 내구성 등의 장점 때문에 최근 그 수요가 증대되고 있습니다. 한편, Flash Memory는 NOR형(Program Code 저장용, M/S )과 NAND형(Data 저장용)으로 나누어 집니다.

메모리분야와는 달리 사용자의 요구에 의해 설계된 특정 회로를 반도체 IC로 응용 설계하는 비메모리 반도체는, 시장 규모가 전체 반도체 시장의 78% 이상을 차지할 정도로 규모가 크며, 메모리반도체와는 달리 가격변화가 적은 편이고 부가가치가  높은 분야입니다.

이러한 반도체 시장 수요를 결정하는 IT 등의 제품 시장은 기존의 PC 뿐만 아니라 최근에는 모바일 컨버전스 제품과 디지털가전 중심으로 급속히 전환되면서 변화를 가져오게 되었고, 메모리 제품의 경우 모바일 및 정보 가전 제품을 위한 수요가 증대되고 있으며, 비메모리 제품인 시스템 IC는 다양한 기능의 SoC(System On a Chip) 형태로 발전되고 있습니다.  이에 따라 반도체의 다양화 및 차별화를 위한 경쟁이 치열해지고 있으며, 기술은 미세화, 고속화, 저전력화 등의 형태로 발전하고 있습니다.


2) 당사가 영위하는 사업부문의 개요

당사는 종합 반도체 전문 회사로서, 반도체 후공정 제조 전문인 SIP사업부문, 비메모리(반도체 센서, LED, 전력소자 위주) 반도체 영업 마케팅 전문인 Solutions사업부문을 영위하고 있습니다.


■ SIP(System in a Package)는 System 또는 Sub-System 기능을 제공하기 위해서 여러 개의 Block을 각각의 개별 칩으로 구현한 후 단일 반도체 후공정 제조로 제품화된 것을 말합니다.  최근, 휴대전화나 태블릿PC, 디지털카메라, MID (Mobile Internet Device) 등과 같은 휴대용 단말기 등이 다양한 기능을 수행하면서도 제품 크기는 점차 소형화 되어가면서 작고 가벼운 제품의 수요가 늘어가기 때문에 원하는 기능의 칩들을 수직으로 적층하고 면적을 최대한 줄여 “단독 시스템 통합을 위한 구현 기술”의 결정체로서 다양한 복합기능을 발휘하는 SIP(System in a Package) 기술이 크게 요구되고 있습니다. 이는 단순히 실장면적의 감소뿐 아니라 개발기간의 단축, 고속동작화, 고수율과 개발비용의 감소 등의 효과를 얻을 수 있기 때문에 SIP시장은 점차 확대될 전망입니다.

당사는 반도체 솔루션의 풍부한 경험과 사업부문간 시너지 효과로 다양하고 경쟁력 있는  SIP 제품을 생산할 수 있는 장점이 있습니다.


 당사의 SIP 사업부문은 1) Storage, 2) 반도체 Sensor, 3) Smart SIP 분야로 구분되며, 각 부문별 사업의 내용은 다음과 같습니다.

먼저, Storage SIP는 Data 저장 기능을 수행하는 장치로서 낸드플래시를 이용한
  플래시메모리카드가 대표적입니다. 메모리카드의 종류에는 CompactFlash(CF), Secure Digital(SD), Memory Stick(MS) 등이 있으며 고기능 무선 핸드셋의 출시와 함께 초소형.고용량의 플래시메모리카드인 micro SDHC 등의 수요가 증대되고 있습니다.

플래시 메모리 카드 시장은 초기에 단순한 Data를 저장하는 Image Oriented 단계에서 Mobile Oriented 단계로 발전되어 카드 Size는 초소형화 되고, 고용량의 데이터를 처리할 수 있게 되었으며, 현재, 음악, 게임, 동영상, Security 등의 다양한
  Contents Oriented 단계로 발전하고 있습니다.

최근에는 휴대 및 Interface 기능이 편리한 UFD(USB Flash Drive)의 수요가 증대되고 있으며, NAND Flash의 특장점을 이용한 고용량 데이터 저장장치인 SSD(Solid
  State Drive)의 개발 및 판매가 활발히 진행 중에 있습니다. SSD는 비휘발성 NAND Flash Memory와 제어역할을 하는 Controller가 결합하여 만들어지는 저장장치로 데이터 접근속도가 빠르고 소비전력이 낮으며, 기계적 소음이 없고 내구성이 강한 특장점으로 향후 HDD 대체 뿐만 아니라 새로운 디지털기기를 탄생하게 하는 저장 솔루션으로 부상할 전망입니다.

특히, SSD의 특장점에도 불구하고 그동안 상용화 및 확산에 어려움을 겪었던 높은 가격 부담도 최근 크게 낮아지고 있습니다. 아직까지 HDD와 SSD와의 가격차이는 존재하지만  SSD의 특장점인 속도 및 발열, 안정성 등 다른 요소들을 감안할 때 향후 SSD의 시장 수요는 증가할 것으로 전망됩니다.


내장형 Flash Memory인 eMMC(embedded Muti Media Card)는 Flash Controller와 NAND Memory가 함께 내장된 BGA Package로 저소비전력 및 고속처리를 장점으로 스마트폰 및 태블릿PC 등에 주로 채택되고 있고 NAND Memory 총수요의 약20%를 차지하고 있으며, 향후 Consumer및 산업용 제품으로도 채용되어 계속 성장할 것으로 예측하고 있습니다.
 Smart SIP 부문은 기존의 Smart Card가 다양한 분야로 확장되어, 최근  전 세계적으로 강화되고 있는 보안 관련 기술을 기반으로 하는 사업입니다.

Smart Card는 휴대폰의 USIM Card와 금융카드가 현재까지의 주요한 시장인데,
  향후 인터넷 보안, Mobile banking의 확대, Contents 보안 등의 다양한 요구가 커지고 있어서, 기존의 단순 Smart Card에서 Convergence Smart card로의 전개될 경우성장성이 매우 기대되고 있습니다.

구체적인 제품으로는 기존 USIM Card에 Flash Memory 혹은 32-bit Application
  Processor를 탑재한 Convergence USIM Card, 인터넷에서의 금융거래, 보안  로그인 등에 필요한 USB Token, microSD Card에 Smart Card 기능을 추가한 Smart microSD Card 등이 있습니다.


■ Solutions 사업부의 사업 영역은 미국, 유럽, 아시아의 20여개 다국적 반도체 회사와 전략적 제휴를 통하여, 센서반도체, 전력전자반도체, LED 등을 관련 산업(휴대폰, LCD TV, LCD패널, 모니터, 셋탑박스, 가전제품, Computer, 통신 Network, 자동차 등)에 기술지원, 영업 및 마케팅을 주요 사업으로 하고 있습니다.  고객으로는 삼성전자, LG전자를 포함  국내 주요 전자업체에 첨단 반도체 Solution 및 이와 관련된 기술지원을 통하여 비즈니스가 이루어지고 있습니다.

당사는 해외20여개 주요 반도체 기업과 전략적 Partnership을 통해 국내 시장에
 대한 독점/비독점적 지위를 갖고 모바일, Display, 자동차, CCTV, 동작센서, 산업용GPS 등에Solution을 제공하고 있습니다


3) 제조 기술의 경쟁력

반도체 제조 기술에 있어서 휴대전화, 디지털카메라, PDA(개인정보 단말기), MP3 플레이어등의 음성 및 영상 저장매체로 사용되는 플래시 메모리카드(Flash Memory Card)는 고용량, 초소형의 반도체 후공정 제조 기술이 요구되는 분야입니다.

이러한 초소형 플래시메모리 카드의 경우 전체 두께가 1.0mm이므로 고용량의 기능을 갖기 위해서는 수개의 Chip을 적층하는 조립, 제조기술이 요구되며, NAND Flash Wafer의 두께를 40um이하로 가공하여 제조하는 Wafer의 BSG(Back Side Grinding), Die Attach, Wire Bonding 등의 초박막형 웨이퍼 가공 및 초정밀 조립기술이 필요합니다. 따라서 고신뢰성의 반도체 후공정 제조 기술이 요구되는 분야이며 고용량 메모리카드를 출시함으로써 시장 선점 효과가 큰 특징이 있습니다.

당사는 기존의 반도체 개발 및 반도체 후공정 제조 기술 위에 마케팅 및 시스템 응용 중심의 Total Solution 사업이 접목되어 사업영역의 다각화와 관련 사업간 시너지 효과가 증대될 전망입니다.

나. 회사의 현황


1) SIP 사업부문

A. Storage SIP

정보화 사회의 진전에 따라 Storage Device의 수요는 더욱 증가하고 고도화가 요구되고 있습니다. 다양한 멀티미디어 기기의 등장에 따른 Data의 저장장치는 보다 작은 크기에 보다 많은 데이터를 저장할 수 있는 기능을 요구하고 있으며, 당사는 비휘발성 메모리반도체인 낸드플래시를 이용하여 축적된 Wafer-Level의 칩 적층 기술을 바탕으로 초소형, 고용량 메모리카드 제품을 공급하는 한편, 컨텐츠 내장형 제품 등 고부가가치의 제품을 적극 개발하고 있습니다.

초창기 삼성전자에 SmartMedia Card 제품을 공급하기 시작하면서 플래시메모리카드 사업을 시작하였으며, 지금은 SD Momory Stick 제품군등 메모리카드 전종류의 제품을 양산 및 공급하고 있습니다. 최근에는 휴대가 간편한 대용량 저장장치로서 UFD의 수요가 늘어나고 있으며, 당사는 MSP(Multi Stack Package)기술을 응용한 COB Type 의 고용량 UFD (USB Flash Drive) 제품을 시장에 공급하고 있습니다.

또한, 2009년 하반기에 대용량 저장장치인 SSD / eSSD 제품을 개발 완료하였으며, 산업용 및 기업 서버용 등으로 Customized Product 위주의 Niche  Market 을 공략해 나갈 계획입니다.

2.5인치 Serial ATA(SATA) 방식의 SSD는 NAND Flash Memory 기반의 비휘발성 저장장치로서 기존의 HDD(Hard Disc Drive)보다 빠른 처리속도, 높은 신뢰수준 등의 장점을 지니고 있습니다.  당사는 개발 및 양산체계를 완료 하였으며, 사업화 추진 중에 있습니다.


내장형 Flash Memory인 eMMC(embedded Muti Media Card)는 Flash Controller와 NAND Memory가 함께 내장된 BGA Package로 저소비전력 및 고속처리를 장점으로 스마트폰 및 태블릿PC 등에 주로 채택되고 있고 NAND Memory 총수요의 약20%를 차지하고 있으며, 향후 Consumer및 산업용 제품으로도 채용되어 계속 성장할 것으로 예측하고 있습니다. 이에, 당사는 eMMC의 Sample 개발을 완료하고 주요 업체에 대한 인증 작업 및 OEM 고객에 대한 프로모션을 강화 하고 있습니다.


B. 반도체 Sensor SIP

당사는 조도 및 근접센서를 반도체 후공정 제조기술을 응용하여 휴대폰 시장과 디지탈 TV, 모바일PC를 대상으로 하는 사업화에 적극적으로 진행 및 양산 중에 있습니다. 또한 OFN(Optical Finger Navigation), Touch Sensor Module, IR LED ReceiverModule 등을 개발 및 양산 공급 중에 있습니다.


최근 출시되는 휴대폰은 사용자의 다양한 요구를 만족하고 편리하게 하기 위하여
  많게는 10개 이상의 반도체센서를 사용하는 추세에 있습니다. 이에 당사는 국내외 파트너들과 전략적인 협력을 통하여 다양한 반도체센서 관련 첨단제품을 개발, 생산, 판매 중에 있으며, 삼성전자 무선사업부의 휴대전화에 적용되는 근접 및 조도센서를 공급 중에 있습니다.

이밖에도 현재 주목받고 있는 LCD TV, PDP TV 시장에도 접목 가능한 Sensor Module로서 Touch Sensor Module, RF Motion Remocon용 IR LED Receiver Module, 조도센서 모듈 등을 개발 및 양산 공급 중입니다.


C. Smart SIP

Multi chip을 One Package화 하는 SIP기술은 앞으로의 Convergence Smart Card 분야에서 매우 중요한 요소로 당사는 업계 최고 수준의 공정기술을 바탕으로 SIP 부문에 상당한 경쟁력을 갖추고 있습니다. 이에 당사가 보유하고 있는 SIP기술과,
  당사 기술연구소의 연구 개발 능력으로 각종 Smart SIP를 개발 중에 있습니다.

Smart SIP 과제로는 기존 USIM에 Flash 메모리, NFC등의 다양한 기능의 부품을 추가한 Convergence USIM Card, USB Dongle에 Smart Card IC를 내장하여 인터넷 뱅킹용 공인 인증서 등을 내장할 수 있는 보안 Token, 여기에 안테나까지 추가하여 RF 기능까지 가능한 “USB Token with Antenna” 제품 등이 개발되고 있습니다. 또한 당사의 주요 생산품목인 microSD Card에 접목한 Smart microSD Card 는
  기존의 USIM 기능으로부터 독립적인 Security 기능을 수행 할 수 있으며, 휴대폰에서의 Contents 사업을 가능하게 하는 중요한 요소로서 각광을 받고 있습니다.

또한 최근 주목 받고 있는 지문인식 기술은, 최근 전세계적으로 강화 추세에 있는 보안산업에 또 하나의 사업 기회를 제공하고 있습니다. 당사는 현재 개발 중인Smart SIP 제품들이 완료된 후, 지문인식 기술을 접목하여 또 하나의 사업군으로 육성할 계획입니다.


D. 사업부문간 integration 활용한 사업전략

당사의 SIP제조 경쟁력 중의 하나는 사업분야가 가지고 있는 강점을 활용한 시너지 효과를 통하여 고부가가치의 신제품을 개발할 수 있는 영역이 존재한다는 것입니다. 즉, Storage / Sensor / Smart Card 부문의 상호 특장점을 접목하여 신제품 개발이 가능합니다.


(가) Storage + SmartCard : 대용량의 안전한 저장장치, 인증과 비접촉 데이터통신 기능을 제공하는 SmartSD Card는 대용량 플래시메모리 Storage 영역을 스마트카드 모듈을 위한 여분의 저장영역으로 사용될 수 있으며 저장된 데이터는 암호화 기술로 보호되므로 다양한 스마트카드 제품용으로 사용될 수 있습니다.


(나) Storage + Sensor : 당사는 근접 및 조도센서를 개발 완료하여 생산 중에 있으며, 이러한 센서류를 Card Form Factor에 접목하여 제품을 개발할 수 있습니다.  예를 들어 지자기 센서(Compass 기능)를 이용하여 네비게이션 기능을 지원할 수 있으며, 가속도 센서를 이용하여 스마트폰의 기능을 지원할 수 있습니다.


2) Solutions 반도체 칩

반도체 칩 Solution 부문의 사업 영역은 휴대폰, Display, Computer, 통신 Net-work, 자동차 등 관련 산업에 가장 적합한 반도체 부품을 전세계에서 Sourcing하여, 국내 삼성, LG를 포함 약 1천여개 전자업체에 첨단 반도체 Solution 및 이와 관련된 기술지원의 사업이 이루어지고 있습니다.

당사는 해외 20여개 주요 반도체 기업과 전략적 Partnership을 통해 국내 시장에 대한 독점/비독점적 지위를 갖고 Mobile, Display, 자동차 등에 Solution을 제공하고 있습니다.

특히  휴대폰 및 Display 응용에  각광을  받고 있는 주요 반도체 Sensor 제품,
 Analog 특히 LED 및 LED Driver IC 등을 당사의 우수한 반도체 기술영업을 기반으로 하여 최적의 조건으로 고객에게 공급하고 있습니다.



2. 주요제품 등
당사는 플래시메모리카드 제품 등의 SIP 제품과 반도체칩 솔루션을 공급하는 Solutions상품 매출, 그리고 반도체칩 설계 등의 용역 매출로 구성되어 있습니다.  각 사업부문별 매출액 및 총 매출액에서 차지하는 비율은 다음과 같습니다.

(단위 : 백만원)
사업부문 품   목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율)
SIP
(System In a Package)
반도체 Sensor,
메모리카드,
COB USB
Storage,
Mobile용 Sensor 등
Gold Flash 87,612(86.6%)
Solutions 반도체칩 관련
상품매출
반도체칩 - 10,610(10.5%)
Module LCD/LED TV 관련 Module TV IR Receiver등 - 2,968(2.9%)
합     계 - 101,190(100.0%)


SIP-Storage의 판매가격은 Density 및 Stack(적층) 별
로 상이하며, 주요 원자재인
NAND 가격의 변동에 따라 영향을 받습니다.

공시 기간별 플래시메모리 주요 매출 제품의 총 매출액을 판매 수량으로 나눈평균 판매가격 변동 내역입니다.

장에서는 고용량, 고속도의 메모리를 요구하고 있으며, 현재 8GB제품이 주로 매출되고 있습니다.

(단위 : 원)
품 목 제17기 반기말 제16기 연간 제15기 연간
플래시메모리카드(용량) 7,100(8GB) 8,000(8GB) 7,300(8GB)


3. 주요 원재료에 관한 사항
당사의 주요 원재료는 NAND Flash Memory 반도체 칩과 PCB 및 Controller 입니다. NAND FLASH는 SIP사업부문-Storage제품의 주요 원재료니다.
주요 원재료의 매입 현황은 아래의
표와 같으며 Solutions사업부의 경우 관련 제품의 종류가 매우 다양하므로 표기하지 않았습니다.

(단위 : 백만원,%)
사업부문 매입유형 품   목 구체적용도 매입액(비율) 비   고
SIP 원재료 Nand Flash 제품생산 48,005(68.0%) -
SIP 원재료 PCB 제품생산 8,294(11.7%) -
SIP 원재료 Controller 제품생산 4,236(6.0%) -
기타 - - - 10,088(14.3%)  
합  계 - - - 70,623(100.0%)  


4. 생산 및 설비에 관한 사항
당사는 경기도 화성 본사에 SIP 사업부문의 생산 라인을 구축하고 있습니다. 생산능력의 산출 기준은 화성 사업장을 기준으로 작성하였으며, 주요품목인 메모리카드 및 COB USB의 Wire Bonding(1NAND+1Controller) 기준으로 산출하였습니다.

. 생산능력 및 생산능력의 산출 근거
 (1) 생산능력

(단위 : 천개)
사업부문 품 목 사업소 제17기 반기말 제16기 제15기
SIP Storage SIP 본사 86,153 172,306 162,316

※ 2012년(15기), 2013년(16기) 생산라인 증설로 생산CAPA 증가.

 (2) 생산능력의 산출근거
Memory Card 자체생산 Line과 외주 생산 Line의 최대생산능력을 월별 Line 운용현황에 근거하여 산출하였습니다.

(단위 : 개, 시간 )
품목 생산기준
장비수(대)
단위시간당
생산량
가동율 일 작업시간 월 작업일 월간
생산능력
년간
생산능력
비고
SD외 69 361   91.5%   22.5   28일   14,358,793   172,305.517 W/B 기준  

* 플래시 메모리카드 : chip 가공(1NAND+1Controller) 기준
(제품 조합에 따라 생산 가능량 변동 됨, 생산능력 및 생산실적 부분은NAND 수량으로 기입됨)

나. 생산실적 및 가동률

(1) 생산실적

(단위 : 천개)
사업부문 품 목 사업소 제17기 반기 제16기 제15기
SIP SD 외 본사 78,638 108,589 100,534


(2) 당해 사업연도의 가동률

(단위 : 시간 )
사업부문 가동가능시간 실제가동시간 평균가동률
SIP 4,344 4,176 96.13%

* 제17기 반기까지의 누적 가동 시간 기준임(공장 가동 기준 가동율)

다. 생산설비의 현황 등
(단위:천원)

과  목 기 초 증 가 처 분 대 체 감가상각 기 말
토지 15,747,497         15,747,497
건물 8,254,421       -112,012 8,142,409
기계장치 11,507,004 2,478,301     -2,774,660 11,210,645
차량운반구 8,930   -8,170   -760 0
공구와기구 273,005 239,646     -57,881 454,771
비품 121,510 155,650 -15   -43,133 234,013
시설장치 926,859       -24,725 902,134
국고보조금 0         0
유형자산 계 36,839,226 2,873,598 -8,185 0 -3,013,170 36,691,469
금융리스자산 0         0



5. 매출에 관한 사
가. 매출실적

(단위 : 백만원)
사업
부문
매출
유형
품 목 제17기 반기
(2014년)
제16기
(2013년)
제15기
(2012년)
SIP 제품 반도체센서, 메모리카드 수출 61,557 122,437 116,139
내수 26,054 59,705 56,150
합계 87,611 182,142 172,289
Solutions 상품 반도체칩 수출 2,011 4,672 11,417
내수 8,599 33,080 12,912
합계 10,610 37,752 24,329
Module 제품 LCD/LED
Module
수출 1,665 11,352 12,051
내수 1,303 705 1
합계 2,968 12,057 12,052
기타 제품및
용역
제품,용역 수출     190
내수     238
합계     428
합 계 수출 65,233 138,461 139,797
내수 35,956 93,490 69,301
합계 101,190 231,951 209,098


나. 판매방법 및 조건

1) 판매경로

품목 구분 판매경로

Storage SIP
(메모리카드

COB USB,MCP,
SSD, eSSD, MSP)

수출

- 주요 Major 업체 및 Set Maker MKT

- OEM/ODM 개발 납품

내수 - 국내 총판 및 당사 자체 영업 조직을 통해 End Customer 직접 영업 및 판매

Sensor SIP
Module

수출 -자체 해외영업,마케팅 진행에 의한 판매
-고객 주문요청에 의한 판매
내수

- 고객의 개발 요청에 의해 마케팅팀이 시장 Survey 그리고 개발팀의 제품Design 및 개발하여 Customer 에게 납품함

Solutions 내수 - 국내 사무소 및 당사 Solutions사업부서 영업 조직을 통해 End Customer 직접 영업 및 판매


2) 판매방법 및 조건

- 판매 방법
① SIP 사업부 / Module 사업부
  고객사의 주문을 받아 주문형 OEM/ODM 매출과 국내 총판 및  영업 조직을 통해 End Customer에 직접 영업 및 판매


 ② Solutions 사업부

파트너사와 제품공급에 대한 국내판권 및 기술지원에 관한 계약체결 --> 제품개발
  로드맵 전달등 다양한 Technocal Marketing/Promotion 진행  -->고객사의 Design   Win(제품적용 승인)-->매출/ 커미션매출

 - 판매 조건
     NET 30DAY 또는 익월말 현금 조건

6. 수주상황
당사의 제품은 주로 고객사의 생산계획에 따른 단납기 주문생산방식으로 진행하고 있으며, 회사의 영업 전략상 수주상황의 기재는 생략합니다.

7. 시장 위험과 위험관리
가. 주요 시장 위험의 내용
사는 외화표시 매출 및 매입거래에 따라 환율변동에 의한 리스크가 상존하고 있으며, 이러한 환리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 지속가능한 경영 실현을 목표로 환리스크를 관리하고 있습니다.
특히 당사는 주요
제품의 해외수출로 인한 외화 수금이 수입 원자재 결재 대금인 외화 지출보다 많은 현금흐름을 가지고 있으므로 환율변동에 따른  환리스크 관리의 대상 입니다.

나. 위험관리 방식
사는 체계적이고 지속적인 환위험관리 업무를 자금담당부서에서 수행하고 있으며별도의 환헤지 금융상품에 가입하고 있지 않으나, 향후 추진 계획이 있습니다.
SIP-메모리카드 제품의
경우 주요 원자재인 NAND Flash 등이 US$ 베이스로 결제 되나, 원재료의 입고 시점 환율에 대응하여 보유 외화를 처분하여 환리스크를 최소화 하고 있습니다.

다. 주요시장 위험
1) 환율변동에 따른 위험

당사는 해외고객과의 외화거래로 외화 환율의 변동이 기업의 성과에 중요한 영향을 미칩니다. 당사의 중요한 외화현금흐름은 미국달러, 일본 엔 및 유로로 이루어지며, 해외고객과의 무역거래에서 발생하는 외화수금이 상품매입에 의한 외화지출보다 많은 현금흐름을 가지고 있음에 따라 환율하락에 따른 환차손이 환율변동에 따른 주요 위험이라고 할 수 있습니다.

당사는 환율변동에 따른 경제적, 거래상의 위험에 대한 노출을 최소화하기 위해, 외화로 표시되는 화폐성 외화자산부채의 환율변동위험을 최대한 자연적으로 일어나는 반대방향의 위험을 상쇄하는 방식으로 관리합니다. 또한, 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 국내외 금융기관과 환리스크 관리에 대한 의견을 지속적으로 교류하고 있습니다.

당반기말 및 전기말 현재 당사가 보유하고 있는 외화표시 화폐성자산 및 화폐성부채의 장부금액은 다음과 같습니다.


(단위: 천원)
구분 당반기말 전기말
통화 외화금액 원화환산액 환산이익 환산손실 통화 외화금액 원화환산액 환산이익 환산손실
외화자산:
외화예금 USD 2,699 2,738,349 - 22,240 USD 4,560 4,812,676 - 10,206
매출채권 USD 9,703 9,842,561 27 69,280 USD 8,570 9,044,405 84 25,188
미 수 금 USD - - - - USD 10 10,896 3,545  -
소    계

12,580,910 27 91,520

13,867,978 3,630 35,394
외화부채:
매입채무 USD 11,783 11,952,487 71,778 - USD 8,612 9,088,664 25,144 4,078
JPY 1,276 12,756 - 35 JPY - - - -
미지급금 USD 2,210 2,241,841 28,152 - USD 3,029 3,196,524 25,388 -
JPY - - - - JPY - - - -
차입금 USD 2,790 2,830,266 47,110 - USD
5,239 5,529,091 53,202  -
소    계

- 17,037,349 147,040 35

17,814,278 103,733 4,078
합계
  29,618,259 147,067 91,556

36,682,257 107,363 39,472


한편, 당반기말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 각 외화에 대한 원화의 환율10% 변동시 환율변동이 법인세차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.


(단위: 천원)
통    화 금    액
10% 상승시 10% 하락시
USD (444,368) 444,368
JPY (1,276) 1,276
합    계 (445,644) 445,644


2) 시장금리 변동 위험

당사는 차입금과 관련하여 이자율변동위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 시장이자율의 변동으로 인해 금융상품의 공정가치 또는 미래현금흐름이 변동할 위험을 고려하여 고정이자율차입금과 변동이자율차입금의 적절한 균형을 유지하고 있습니다.

당반기말 현재 회사의 변동이자부 차입금 현황은 다음과 같습니다.


(단위: 천원)
구 분 당반기말 전기말
유 동 비 유 동 유 동 비 유 동
차 입 금 20,902,110 4,832,050 21,554,180 6,723,760


당반기말 현재 시장이자율 1% 변동시 변동이자율 차입금 이자비용이 연간 법인세차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

, ,(단위: 천원)
구분 당반기 전반기
1% 상승시 1% 하락시 1% 상승시 1% 하락시
세전이익증가(감소) (257,342) 257,342 (282,779) 282,779


3) 상세한 시장의 위험은 별첨 "검토보고서"를 참조 하시기 바랍니다.

8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황
사는 외화표시 매출 및 매입거래에 따라 환율변동에 의한 리스크가 상존하고 있으며, 이러한 환리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 및 지속가능한 경영 실현을 목표로 환리스크를 관리하고 있습니다.

사는 체계적이고 지속적인 환위험관리 업무를 자금담당부서에서 수행하고 있으며별도의 환헤지 금융상품에 가입하고 있지 않으나, 향후 필요시 추진 계획입니다.

9. 경영상의 주요계약 등
국내외 업체와  계약을 진행하고 있으며, 일상적으로 자동 연장되고 있습니다.
상세 기재는 영업전략 노출로 기재를 생략합니다.

10. 연구개발 활동

가. 연구개발활동의 개요

(1) 연구개발 담당조직

기술 연구소장
Memory SIP 개발 Wireless Module 개발 신성장동력 제품 개발 Design 개발


(2) 연구개발비용

(단위 : 백만원)
과       목 제17기 반기 제16기 제15기 비 고
연구개발비용 계 1,163 2,791 3,083 -
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
1.1% 1.2% 1.5% -


나. 연구개발 실적

(1) 연구과제
  (가) Memory SIP

     : UFD / microSD / SD

 (나) Wireless Module

      : Sensor Module 및 RF Module류

 (다) 신성장 동력 제품

       : NFC on USIM, 금융microSD, eMMC, 비콘


(2) 연구기관

 상기의 전 과제는 당사의 기술연구소에서 주관한 것입니다.


(3) 연구결과 및 기대효과
  (가) Memory SIP 개발

① UFD 개발

Market Trend : 동영상 및 대용량의 파일을 편리하게 가지고 다닐 수 있는 휴대용 저장장치의 요구가 증대되고 있습니다.

- 개발 현황 : 대용량을 가지는COB Type의UFD(USB Flash Drive)를 제조하기 위해서는 NAND Flash를 여러 개 적층할 수 있는 기술이 매우 중요한 요소 입니다.  당사가 이미 보유중인Chip Stack 기술은 업계 최고 수준으로 경쟁력을 갖추고 있습니다.  이를 바탕으로 하여 같은 두께의Package 안에 더 많은Chip을 쌓을 수 있도록 계속적으로 기술개발을 하고 있습니다. 8stack 64GB UFD를 개발하여 양산 중이며, 또한PC에 장착하기 편한 기존size대비 절반크기의8stack 64GB인microUFD도 개발하여 양산 중입니다. 그 외 기존UFD2.0과 동일 용량에서 속도가10배 빠른UFD3.0도 양산 중에 있으며 또한USB OTG Cable을 사용하지 않고 동일한 기능이 가능하도록PCB 에COB 및micro USB Connector를Direct 연결하여 고객이 사용시 편리를 제공 하는USB OTG 제품도 양산 중에 있습니다. 또한USB COB 에micro USB Connector를 직접 장착한Type의USB OTG 제품도 개발이 완료되어 기존 제품보다1/2크기로 제품 생산이 가능하게 되었습니다.


② microSD/SD Card 개발

Market Trend : 휴대전화, 고화소 디지털 카메라와 더불어Black Box는 대부분의 모델이 대용량의 외장 Memory Card를 장착할 수 있도록 만들어지고 있습니다. 여러 종류의 메모리카드 중에서도 대부분이microSD 카드를 사용 하고 입니다.

- 개발 현황: microSD는 저 용량부터 대용량인8stack 64GB까지line-up구축하여 생산하고 있으며, 최근 바른전자의 뛰어난 초박형 칩 적층 기술로16개의 낸드플래시 칩을 적층 하여 현재 최고 용량의 마이크로SD 128GB sample을 확보하여 현재 마이크로SD card 중 세계 최대 용량을 개발하게 되었습니다.
또한 차량용Navigation에 사용되는 고 신뢰성을 가지는 SD 카드도 개발되어 양산 중입니다.  그 외에도20nm(나노미터)대의128Gb 낸드플래시(NAND Flash) 칩(Chip) 16개를 적층하는 기술을 사용하여 초고속, 저전력 및 대용량256GB의SD3.0 메모리카드를 개발 완료되어 본격적으로 양산 진행 중에 있습니다. SD3.0 Spec에 따라 설계되어, 현재 통용되고 있는 일반SD 카드 사양인SD2.0과 호환이 되면서 성능 측면에서 연속 읽기(Sequential Read)와 연속 쓰기(Sequential Write)의 성능이 각각90 MB/s, 40 MB/s 로 기존대비 약4배 이상 향상된 제품입니다.


(나) Wireless Module

- Market Trend : 급변하는 무선통신 시장에서 스마트기기들이 등장으로 근거리 무선통신 기반의 기술(WiFi, Bluetooth)들이 요구되고 있고, 모든 스마트기기에 필수적으로 장착되는 근거리 무선통신(WiFi, Bluetooth) 기기의 시장성은 지속적으로 급증 되고 있습니다.

무선 랜(WiFi) 시장은 무선 데이터 통신기기 장치로 국한되지 않고, 가전, 의료기기, 스마트 홈 등 통신의 전 분야로 그 활용성이 확장되고 있어, 무선 랜(WiFi)을 탑재한 스마트기기에 대한 수요가 증가하고 초고속 영상 데이터 스트리밍 서비스가 한결 수월하게 지원됩니다..

블루투스는 휴대폰과 주변기기간 무선으로 연결해주는 근거리 무선 통신 기술로 모바일 주변기기 및 활용 범위 확대로 다양한 모바일 앱 및 신규 비즈니스 모델의 확대가 가능하고, 저전력 솔루션인 블루투스 저에너지(BLE) 무선기술은 전력을 극소량만을 소모하며, 새롭게 떠오르는 블루투스 스마트기기 시장의 핵심 기술로 자리 잡고 있습니다.

RF(WiFi, Bluetooth) 모듈 개발로 인하여 다양한 무선 솔루션인 근거리 무선통신 기술 접목이 가능한 스마트 TV, STB, 홈엔터테인먼트 등의 기기들에 적용하여 스마트폰, 태블릿 및 PC등과 연동하여 사용자의 편의성을 한층 높여 줄 수 있는 기기들에 사용 가능하게 되었습니다.

향후 우리 주변 사물에 센서와 통신기능을 부여해 스스로 정보를 수집하고 공유하면서 상호 작용 하도록 만드는 사물지능통신(M2M , IoT) 기술에 접목할 수 있도록 할 계획입니다.


- 개발 현황: 당사가 개발한 Sensor Module은 사용자의 편의를 위하여 IR LED, Visible LED, 근접센서, 조도센서 및 RF등 통합으로 구성하여 제작되었습니다.
    당사의 Sensor Module 개발과 관련하여, 2010년에는 Smart TV에 들어가는 IR/LED/ALS(조도) 통합 모듈 개발 완료 및 양산을 시작했습니다.

근거리 무선 통신 모듈은 2011년 3분기까지 스마트 TV에 들어가는 Bluetooth 기반의 Smart TV 용 RF Receiver Module 개발 완료 및 3D TV용 RF Emitter Module 개발 완료하여 4분기부터 양산을 진행하고 있고, 2013년 4분기부터 Smart Set Top Box에 적용되는 Bluetooth Module을 양산 진행 중에 있습니다.

2013년 1분기부터 Bluetooth4.0(BLE) 기술을 적용하여 스마트폰의 App을 이용한 스마트폰 카메라 리모콘 제품 및 알람 기능의 제품을 개발 제작하여 3분기부터 세계적인 유통망을 가지고 있는 해외업체에 공급 진행 중에 있습니다

2014년 1분기부터 Smart Set Top Box, 가정용 난방제어, 가정용 조명제어 등에 적용되는 Wi-Fi Module을 개발하고 있으며, 스마트폰등과 연동되는 위치 인식 기반의 소형 Bluetooth4.0(BLE) Module을 개발하고 있어 다양한 무선 솔루션 기기들에 적용 될 수 있도록 개발하고 있습니다.
당사는 다양한 무선 솔루션의 Module 개발을 진행하고, Sensor Module 개발 경험과 현재 업계 최고의 경쟁력을 유지하고 있는 Memory Card Package 기술을 접목하여 RF Module Package화 및 센서등과 융합된 SIP(System In Package) 제품화도 추진하여 보다 경쟁력 있는 무선 솔루션 및 사물지능통신 시장에 진입을 추진할 예정입니다.


  (다) 신성장 동력 제품

① Convergence Card 개발

- Market Trend: 인터넷 및 Mobile Banking의 발달, 보안의 중요성이 대두 됨에 따라, Smart Card의 적용 분야가 지속적으로 확대 되고 있습니다. 기존의 단순USIM은 메모리가 대용량화 되어 가고 있고, 근접 Communication이 가능한 NFC 기능의 탑재되고 있어 USIM 자체가 하나의 Embedded System화 되고 있습니다. 인터넷 뱅킹에 필요한 공인인증서의 PC 저장이 수년 내에 금지 되는 법안들이 각국에서 통과되고 있습니다. 휴대폰이 단순한 통화 수단으로의 Voice 단말기가 아닌 다기능 Smart Phone으로 진화하고 있는데, 별도의 보안 모듈의 필요성이 커지고 있습니다. 이러한 시장의 요구는 점점 Smart SIP 기술/제품들의 사업의 큰 기회가 되고 있습니다.


- 개발 현황: NXP chip을 적용한NFC on USIM 제품에 대해서는Test 환경구축 및 양산Setup 완료되어 물량 출하 완료하였으며iVO Chip 적용한 금융microSD Card 추가6종 개발 출하 완료, Infineon Chip 적용한NFC on USIM 2종 출하완료 하였으며 iVO S3 Chip 적용한 보안 microSD Card 1종 추가 개발 진행 중입니다. 또한 SK C&C향으로 TMC 및 Fudan Chip적용한 원가절감형 Normal NFC on USIM 3종, Mini USIM 3종 개발 진행 중에 있습니다.


② eMMC 개발

- Market Trend: 모바일기기의 핵심 저장매체로 고용량, 고성능화의 필수제품으로 NAND Flash와 eMMC용 Controller를 단일 Package에 담은 제품으로Smart Phone중심으로 급성장하여 Global eMMC Memory 출하량이 2012년 474.9Munit 에서 2015년에 779.1Munit 예상되고 그 중 Handset과 Tablet이 전체 90%이상 점유 확대되고 있습니다.


- 개발현황: eMMC4.5규격의Micron L83A/L84A 적용한4종의eMMC를 개발완료 한데 이어eMMC4.51급Controller 와S32Gb/S64Gb 19nm TLC 적용하여4GB/8GB/16GB/32GB 4종제품을 개발완료하고 양산 진행 중 입니다. 동일 Controller와 L83A/L84A를 적용한4종의 제품도 검증 진행 중이며, 별도의Controller와L83A/L84A를 적용한4종의 제품도 검증 완료되어 신뢰성 시험 진행 예정 입니다. 또한 다양한 고객의 Needs에 대응하기 위해 eMMC5.0급 Controller를 적용한 eMMC 2종을 개발 진행 중 입니다. 이와 동시에 고품질의eMMC 제품확보를 위해SQA 및SPOR 품질 검증 및 평가시스템을 보다Upgrade하였으며 다양한 검증을 통해 고객의 다양한 욕구를 만족시킬 수 있도록 만반의 준비하고 있습니다.

(라) Solution 응용 개발  :  3G 휴대전화 적용 IR Flash LED Solution 응용 개발

- Market Trend : 휴대폰의 기술이 발전하면서 3G Phone은 화상통화까지 상용화 되었고 최근 널리 대중화가 되고 있습니다.  그러나 어두운 곳에서 화상 통화 시 상대방의 얼굴을 볼 수 없는 단점이 있었는데 이를 개선 하고자 IR Flash LED를 이용하여 상대방의 윤곽과 모습을 볼 수 있게 하는 새로운 개념의 기술을 응용 개발하였습니다.

- 개발 현황 : 현재 개발한 개념은 국내 굴지의 휴대전화 제조사에서 채택하여 한 모델에 적용을 시작으로 향후 많은 모델에 적용 예정입니다.

- 개발 예상 효과: 최근 주류로 자리잡은3G Phone의 기본 사양으로 되고 있으며 바른전자의 유통 사업부인Solution 사업부에서IR Flash LED를 휴대폰 제조사에 공급하게 됩니다

다. 지적재산권 보유현황(특허권 등)
특허권

No. 출원인 등록일자 명칭
1 ㈜바른전자 (화성) 2009.08.31 압전진동유닛을 포함하는 전자회로 패키지의 성형방법
2 ㈜바른전자 (화성) 2007.10.24 심카드 장착구조
3 ㈜바른전자 (화성) 2007.05.30 메모리카드
4 ㈜바른전자 (화성) 2003.08.13 칩 적층에 적합한 전극 패드 구조를 갖는 반도체 칩 및 이를 이용한 적층 패키지 소자
5 ㈜바른전자 (화성) 2002.11.01 초박형 적층 반도체 칩 패키지 및 이에 사용되는 리드프레임
6 ㈜바른전자 (화성) 2002.07.05 랜드 그리드 어레이 패키지
7 ㈜바른전자 최완균 (화성) 2002.02.16 칩 카드용 베이스 기판 및 그를 이용한 칩 카드
8 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2011.06.16 접합용 구조물 및 이를 이용한 기판 접합 방법
9 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2011.06.16 접합용 구조물 및 이를 이용한 기판 접합 방법
10 ㈜바른전자 (MEMS팀) 1999.01.20 (110)실리콘 가속도 측정 장치의 가속도 센싱부의 설계 및 제조방법
11 ㈜바른전자 (MEMS팀) 1999.02.11 LC 공진회로를 이용한 고정밀 실리콘 가속도 측정장치 및 그방법
12 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2002.03.30 단결정 실리콘 마이크로머시닝 기법으로 제작된 미세각속도계
13 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2007.01.18 미세구조물 패키지 및 그 제조 방법
14 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2007.06.20 다양한 단차를 갖는 미세 구조물의 제조 방법
15 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2008.12.16 각속도 센서 구조물
16 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2009.08.26 다채널 용량감지 회로
17 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2009.04.20 고감도 3축 가속도 센서
18 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2009.07.14 양방향 측정 가능한 수직축 가속도 센서
19 ㈜바른전자 (MEMS팀-분할등록) 2009.07.14 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법
20 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2009.03.06 관성센서를 이용한 모바일 단말기의 애플리케이션 구동 장치 및 방법
21 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2010.07.28 미세구조물의 잔류 응력 시험 패턴
22 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2010.03.03 인코더 및 가속도 센서를 이용한 위치 추정 시스템 및 방법
23 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2010.02.02 복층 범프 구조물 및 그 제조 방법
24 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2011.01.14 3축 가속도 센서
25 ㈜바른전자 (MEMS팀) 2011.03.24 접합용 구조물 및 이를 이용한 기판 접합 방법
26 주식회사 바른전자 2011.09.19 반도체 패키지
27 주식회사 바른전자 2013.01.25. 범용직렬버스 3.0을 포함하는 5-핀 접속부와 이를 포함하는 유에스비 메모리 패키지


해외특허

No. 출원인 등록일자 국가 명칭
1 ㈜바른전자
 (화성-TW)
2002.08.14 TW 초박형 적층 반도체 칩 패키지 및 이에 사용되는 리드프레임
2 ㈜바른전자
 (화성-USA)
2004.03.16 US Package stacked semiconductor device having pin linking means
3 ㈜바른전자
 (MEMS팀-US)
2012.12.25. US 다채널 용량감지 회로
4 ㈜바른전자
 (MEMS팀-US)
2009.10.27 US 각속도 센서 구조물
5 ㈜바른전자
 (MEMS팀-CN)
2012.07.18. CN 복층 범프 구조물 및 이를 이용한 기판 접합 방법
 (BUMP STRUCTURE WITH MULTIPLE LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE)
6 ㈜바른전자
 (MEMS팀-US)
2003.05.27 US MEMS 구조물의 전극 절연방법에 관한 특허
7 ㈜바른전자
 (MEMS팀-US)
2006.01.24 US SBM 공정을 이용한 MEMS micro-gyroscope 제작에 관한 특허
 (단결정 실리콘 마이크로머시닝 기법으로 제작된 미세각속도계)


11. 연결대상회사에 대한 사항
※ 바른전자 홍콩(종속회사)의 매출 및 손익이 (주)바른전자(지배회사)에 차지하는 비중이 미약하며, 2013년말 기준 바른전자 홍콩의 청산절차를 진행 중으로 외부감사인(현대회계법인)이 중요성이 없다고 판단하여, 2014년도(17기)부터 종속회사 및 연결제무제표 작성에서 제외 하기로 하였습니다.



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