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기업정보

디엔에프 (092070) DNF Co.,Ltd.
반도체 공정용 화학 소재 전문 제조업체
코스닥 / 화학
기준 : 전자공시 사업보고서(2014.12)


II. 사업의 내용



1. 사업의 개요


당사의 주요 사업분야는 반도체 박막 재료 부분입니다. 반도체 기술의 발전과 더불어 칩은 더욱 미세화 되어가고 있습니다. 최근 메모리 반도체 선두업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 25nm급 미세공정을 적용한 D램을 주력제품이었으나, 곧 23nm급 및 21nm급 D램으로 전환될 예정입니다. 낸드플래시 또한 20nm급 미세 공정에 이은 16nm급 미세공정과 3D-Type(Vertical 낸드플래시)을 적용하여 양산 중에 있습니다.
히 V-Nand 전용 Fab인 삼성전자 시안 사업장(SCS) 경우 2014년도 대비 2배에 가까운 증산 계획을 가지고 있습니다.  
이에 따라 반도체 공정은 20nm초반대급 미세공정의 D램과 10nm대급 낸드플래시 개발이 어려울 것이라는 예상을 뒤엎고 현재 10nm대로 공정 전환을 순조롭게 진행하고 있으며, 이러한 반도체 칩의 초미세화 추세에 따라 다양한 반도체 재료 시장이 형성되고 있습니다. 반도체 장비만으로는 해결할 수 없는 기술적 한계들을 재료의 변화를 통하여 극복하고 있는 상황에서 특히 당사가 생산하고있는 반도체 박막 재료는 반도체의 성능과 직결되기 때문에 반도체 공정 기술의 발전과 더불어 지속적인 성장이 가능한 사업 부문입니다.

당사에서 생산하고 있는 제품군에는 웨이퍼 패터닝 시 PR 보조역할을 하는 Hardmask용 ACL(Amorphous Carbon Layer) 전구체, 셀간 전기적 간섭을 막아주기 위한 STI Gap-fill용 및 최근 비메모리에서도 Thin-film 희생막용으로 적용을 확장한 SOD(Spin on Dielectric) 전구체, 메탈과 절연층과의 산화반응을 막아주는 확산 방지막용 전구체, 미세패턴 구현을 위한 패터닝용 희생막 재료인DPT(Double Patterning Technology)용 전구체, Capacitor 유전막 및 Metal Gate 절연막으로 사용되는 High-k 전구체, 기존 메모리 디바이스에 주로 Gate Spacer로 Low-T-SiO/SiN용 전구체로써 사용되고 있으나 향후 신개념 낸드플래시 메모리의 SiO/SiN Spacer용에도 사용될 Low-k 전구체, 기존 ACL을 일부 대체하고 SPT(Spacer Patterning Technology)공정에 희생막으로 Double pattern을 형성하는데 사용되고 있는 SOC(Spin on Carbon) 전구체, System LSI용Metal Gate 물질로 테스트 중인 Al ALD 전구체 등이 있습니다.
현재 당사의 주요 거래처는 세계 반도체(메모리 분야) 1, 2위 업체인 삼성전자와 SK하이닉스입니다. 이들 업체와의 거래를 통하여 제품 매출이 지속적으로 이루어지고 있으며,
2014년도에 Capacitor 유전막용 High-k 전구체, DPT용 전구체 및 Low-T-SiO/SiN용 Low-k 전구체 등의 제품 매출이 지속적으로 증가하고 있으며, 향후 1년간 신개념 낸드플래시용 Gate Spacer용 전구체 및 Cu Metal 의 Barrier 박막인 SiCN 박막재료, SOC 전구체, AMOLED 패널의 박막봉지용 전구체 등에 의해 추가적으로 매출 증대가 기대되고 있습니다. 해외 칩 메이커들의 영업현황은 2011년부터 Gap-fill용 SOD재료 및 ACL 전구체를 대만 시장에판매하고 있고, 기타 다른 아이템으로도 중국이나 일본 등으로 판매를 확대하려 노력하고 있습니다.

또한, 당사는 현재 상용화되어 생산, 납품하고 있는 제품군 외에 신규사업의 일환으로 추진되고 있는 개발 완료 및 사전 평가 제품군과 향후 신규사업 진출을 위한 연구개발 단계의 제품군으로 분류하여 전문적인 기술력과 혁신적인 연구활동 및 기업간 공동개발연구를 바탕으로 신규 제품 개발에 박차를 가하고 있습니다.


가. 산업의 특성

 집적화, 소형화된 첨단 전자기기의 수요증가 및 이들 제품, 전자 칩, 부품 등의 생산성 증대와 더불어 가격 경쟁력을 갖기 위한 업체간 경쟁의 심화로 인하여 반도체 칩은 계속 미세화 되어가고 있다. 특히, 2000년대에 들어서면서 반도체 회로의 집적도는 더욱 향상되어 매년 한 단계씩 선폭이 줄어들고 있는 추세이다. 미세공정이 한 단계 진행될 때마다 통상적으로 생산성은 40%정도 증가하기 때문에 반도체업체들은 치열한 경쟁에서 살아남기 위하여 지속적으로 공정의 미세화를 추구하고 있으며, 이러한 과정 중 회로 구현의 난점, 누설 전류의 발생, 동작 속도의 문제점 등이 발생하게 되었다. 이러한 문제점들의 해결 방법은 반도체 제조를 위한 공정장비의 개선 또는 새로운 장비의 개발 및 공정의 원료물질이 되는 화학적 전자재료의 소재 특성변화, 새로운 특성을 갖는 신규소재 적용 등의 방법이 있다. 그러나 이러한 기술적 난이도 극복을 위한 방법 중 새로운 장비의 도입은 개발과정 기간이 상당수 소요되며, 신규 장비 도입시 양산을 위한 안정화, 최적화까지 오랜 시간과 막대한 자본이 요구되는 관계로 새로운 화학적 소재를 이용한 새로운 공정개발 및 개선으로 위와 같은 문제점을 해결하고자 하는 욕구가 더욱 강하게 나타나고 있다. 이에 따라 반도체 제조와 관련된 새로운 재료 시장이 해마다 창출되고 있으며, 실제 양산을 위한 공정에의 적용 여부 및 소자 제조업체의 생산량에 따라 함께 성장되고 있다. 당사는 이러한 첨단 반도체 박막증착에 필수적인 증착 공정용 박막재료를 독자적으로 개발 또는 국내 반도체 장비 및 소자업체와 함께 개발하고, 이들 업체를 대상으로 사업을 영위하고 있다.


나. 산업의 성장성

  2014년의 반도체 제조시장에서는 과거 수년에 걸쳐 지나친 치킨 게임으로 불안정 하였으나, 그 시기를 지나 2013년도 부터 시작된 최근 몇 년간 볼수 없었던 호황기였다.  이는 대만업체 퇴출 및 마이크론 엘피다 합병 때문으로 인해 메모리 가격 하락 폭이 제한적이었기 때문이라고 볼수 있다. 또한 반도체 제조산업의 움직임이 고부가가치 제품의 변화로 움직임으로 강해지고 있다. 2011년 이전의 추세에서는 디지털가전 및 모바일 전자기기 보급에 의해서 디바이스 장치는 증가하는 한편, 평균 단가의 감소는 지배적이었으나, 2014년의 움직임에서는 첨단 디바이스를 수반하는 하이엔드 모바일 제품 보급에 의한 시장평균 단가의 상승에서 시장(금액)은 완만한 성장을 유지하는 한편, 범용 디바이스 수용의 정체에서 장치 시장이 정체라는 새로운 시장 추세로 변모하고 있다. 장기적으로는 IOT(Internet of thing) 등의 새로운 움직임에 바탕을 둔, 범용 디바이스 수요의 회귀가 예상되고 있는 것으로 2014년부터 선명화된 새로운 움직임이 산업을 지배하여 나갈 것으로 예상된다. 한편, 파운드리 부문에서는 28nm 공정제품의 수급 약화나 프리미엄 스마트폰 수요가 저하하고 있어서 설비투자의 조정이 현재화하는 것으로 보고 있어, 2014년은 전년대비 38% 감소한 마이너스 성장하였으나, 총체적으로 볼 때 2014년 반도체 설비투자는 메모리 부문의 부활함으로써, 전년대비 14% 정도의 증가를하였다. 반도체 시장의 전반적인 움직임으로서 수급 균형의 호전하여 Fab가동율도 향상될 것으로 예상된다. 또한 첨단 디바이스에서는 첨단 Fab을 위한 설비투자도 인식되어, Capa의 증가도 기대되고 있다.


다. 경기변동의 특성 및 계절성

2014년 경제지표의 움직임에 있어서는 여전히 긍정적인 것과 부정적인 결과가 교차하고 있고, 미시경제의 기초적 조건은 안정감을 결여시키고 있다. 총체적으로, 세계경제는 양극화의 움직임을 제시하고 있다. 유럽시장에서는 재정위기의 재연 위기는 후퇴하여 바닥을 보이고 있고, 미국 및 일본에서도 재정정책이 효과를 보여, 경제상태는 회복 기조를 보이고 있다. 특히 일본의 반도체 시장규모(일본에서의 반도체 판매액)에 관해서도 ′엔 하락에 따른 실적이 증가하고 있는 수출이나 내수 회복을 배경으로 2014년 시장규모는 일본 엔 베이스로 전년 대비 4.0% 성장한다′고 한 전회 예측으로부터 상향 수정하여 2013년 대비 7.1% 성장이 되는 3조 6,363억 엔(약 36조 3,630억 원)에 이른다.  또한 미 달러로 환산한 2014년 일본 국내 반도체 시장규모는 2013년 대비 1.3% 증가한 352억 3,900만 달러(약 3,523억 9,000만 원)이고 2015년 일본 국내 반도체 시장규모 성장률은 엔 베이스로 0.4% 증가, 2016년이나 0.9% 증가로 1% 정도의 약간의 성장으로 추이할 것으로 예측하였다.
이러한 것으로서, 재정정책 및 투기적 자금의 유입에 의해서 선진국의 주식 시황은 활성을 유지하는 한편, 실체 경제의 회복에 관련된 개인소비 회복 및 기업의 IT투자의 지속적인 회복은 아직은 한정적이어서, 반도체 생산수요는 스마트폰이나 태블릿으로 대표되는 신흥 적용상품에 관련된 분야에 한정적이 되는 상황이 계속될 예정이다. 이 때문에 수요는 계절 변동성이 높아서 안정성에 결여되는 움직임이 지배적일 것으로 보인다.  


라. 국내외 시장 여건

시장조사업체 IDC는 2015년도에 세계 반도체 시장 매출액이 지난해 대비 3.6% 성장한 3천466억달러 규모로 전망하였으며, 2014년도 전세계 반도체 매출액은 전년대비 7.1% 성장한 3천346억달러 규모로 집계됐다.

특히 지난해 반도체 시장은 모바일 PC 프로세서의 강세와 데스크톱 PC 프로세서의 회복에 힘입어 성장세를 기록했다.

그 가운데서도 메모리 제품 중에서는 D램 시장의 성장률이 높았다. D램 시장은 지난해 전년대비 32%의 높은 성장세를 보였으며 낸드플래시는 전년대비 1.8% 성장한 것으로 나타났다.

D램과 낸드플래시를 제외하면 작년 반도체 시장은 전년대비 4.6% 성장했다. 가장 높은 성장세를 보인 디바이스 부문은 미디어, 비디오, 오디오 및 그래픽 ASSP(특정용도표준제품), 마이크로컨트롤러, 아날로그 IC로 조사됐다.

추가로 반도체 시장은 2019년까지 연평균 3.1% 성장해 오는 2019년에는 3천894억달러 규모에 이를 것으로 예상했다.

몇년간 지속 되어 오던 불황에서 2014년도 부터 벗어나서 지속적인 성장세를 보일 것으로 반도체 시장에 힘입어 반도체 재료 시장 또한 그 이상의 성장세를 유지 할 것으로 생각 된다.


이미지: 반도체 시장 전망 (2014~2019년도)

반도체 시장 전망 (2014~2019년도)



마. 회사의 경쟁우위 요소

 반도체 재료는 공정 과정에 따라 다양한 종류의 물질이 필요하며, 이에 따라 공급업체들 또한 그 수가 매우 많이 있습니다.  반도체 제조공정은 전 공정과 후 공정으로 나누어 집니다. 전 공정은 여러 공정을 이용하여 웨이퍼 상에 수많은 메모리 단위들을 만드는 과정이며, 후 공정은 만들어진 웨이퍼를 메모리칩 단위로 잘라 PC나 전자기기에 사용할 수 있도록 패키징이나 와이어본딩 같은 공정을 하는 과정입니다. 전 공정에 사용되는 반도체 재료로는 포토 및 식각 공정과 관련된 포토마스크, 포토 레지스트, 현상액, 식각액 등의 재료, 이온주입 공정과 관련된 주기율표상의 3족 또는 5족의 특수가스재료, 배선 및 절연을 위한 CVD(화학기상증착) 및 PVD(물리기상증착)공정에 사용되는 재료가 있고, 칩의 평탄화 작업을 위해 사용되는 연마제 및 세정액 재료가 있습니다. 후 공정 재료로는 리드프레임, 본딩와이어 등의 재료가 있습니다. 이렇게 다양한 각각의 반도체 재료들 마다 소수의 회사들이 과점방식으로 공급하고 있는 상황을 보이고 있는데 이러한 현상은 반도체 재료산업의 진입장벽이 상당히 높기 때문입니다. 또한, 첨단 반도체 소자에 쓰이는 반도체 재료는 고도의 기술력을 필요로 하기 때문에 핵심 기술을 단기간에 축적하는 것은 매우 어려우며 시장 초기에 진입한 기업은 유리한 조건으로 사업을 영위할 수 있습니다.


당사는 유기금속 소재에 특화된 당사의 높은 기술력을 바탕으로 2003년도부터 국내 반도체 소자제조 업체와 공동개발을 시작하였고, 이후 양산을 위한 자체적인 플랜트 및 초고순도 정제 설비의 구축, 생산공정 개발, 정밀분석 장비 및 방법의 개발, 품질관리 체계를 통한 신뢰성 구축, 자체 제품공급을 위한 영업네트워크 구축을 통하여 2005년부터 이들 공동개발 제품을 차례로 소자 제조를 위한 양산공정에 정식 공급 중에 있으며, 특히, 이들 제품 중 Al 배선재료 및 ACL 재료는 시장 내에서 독보적인 우위를 점하고 있습니다. 2012년부터 공급이 시작된 DPT용 전구체, 2013년 하반기부터 본격적으로 공급을 시작한High-k 전구체 및 저온 Low-k 전구체는 올해 당사 매출의 근간을 이룰 것으로 예상되고 있습니다.


 이처럼 당사는 진입장벽이 높은 반도체 재료시장에 성공적으로 진입을 이루었으며, 그간 많은 협력업체들과 신뢰 및 협력을 바탕으로 한 끊임없는 연구개발로 차세대 반도체 소자 제조 공정용의 소재의 개발에 적극적으로 진행하여 당사의 많은 연구개발 제품이 장비업체 및 반도체 소자업체에서 평가를 진행하고 있습니다.


 또한, 반도체 칩의 발전 속도에 부합하는 제품의 개발능력 확보가 경쟁의 중요한 요소입니다. 때문에, 당사는 연구개발에 대한 지속적인 투자를 통하여, 새롭게 창출되고 있는 다양한 반도체 재료시장에 적응하고 기존 제품의 지속적인 품질 향상을 할 수 있는 회사를 만들기 위해, 기업 연구소 산하 특화된 연구팀을 운영하여 새로운 소재개발 및 품질 향상을 위한 노력을 지속하고 있습니다.


 반도체 재료는 일반적으로 장비업체의 사전평가를 거친 후 장비와 함께 칩 메이커에 납품되는 경우가 종종 있기 때문에 장비업체와 협력관계는 경쟁의 중요한 요소입니다. 이러한 사업적 특성을 잘 알기에 당사는 국내 및 세계적인 장비 제조 업체와 협력관계를 유지하며 당사 소재를 직접 공급하는 방식으로 신규장비의 개발을 도와 향후 시장 선점의 효과를 갖기 위한 전략을 효과적으로 추진하고 있습니다.


또한, 반도체 칩의 가격 및 품질에 있어서 반도체 재료가 미치는 영향력이 크기 때문에 재료업체들은 유리한 입장에 있으며 단가 인하와 같은 가격 경쟁 요소가 적은 편입니다.


바. 진행 및 향후 추진하려고 하는 사업

당사에서 기존 사업 외에 새로이 추진하고 있는 사업은 아래와 같습니다.


1) LT(Low-temp) SiN용 전구체

  기존 디바이스에서는 SiN형성하기 위해서는 고온의 공정이 필요하였으며, 이로 인해 후속 공정에서의 Diffusion(확산), Pore(빈공간) 생성등의 문제 점을 가지고 있습니다.
LT(Low-temp) SiN의 개발은 시장에서 지속적으로 요구되고 있었으나 , 공정상의 어려움으로 인해 저온  공정이 불가능했습니다. 하지만, 당사에서는 지속적인 개발 노력으로 2014년도 LT(Low-temp) SiN의 개발이 이루어졌으며 , 기존의 어떤 전구체보다 훌륭한 물성을 갖고 있음을 확인하였습니다. 현재 유수의 장비 업체와 평가 중에 있으며, 개발 완료  시에 시장에 큰 반향을 일으길 것으로 생각되며, 향후 당사 매출에 큰  영향을 미칠 것으로 예상됩니다.


2) 확산 방지막용 전구체

  확산 방지막용 제품으로서 Al, W의 Barrier Metal 박막인 TiN 박막재료는 2008년 하반기부터 납품을 시작하여 국내 고객사의 양산라인에 적용되고 있는 제품으로 반도체 전극재료로 사용되었으나, 신규 공정 적용으로 2012년도 공급을 중단하게 되었습니다. 하지만, 기존에 비메모리에서 TiN 전구체를 사용하던 고객사에서 당사에 요청있었으며, 이에 적극적 대응으로 2014년도 평가를 시작하였고, 2015년도는 양산 계획을 가지고 있습니다. 이는 당사가 비메모리 시장 진입을 하는 초석이 될 것이라 예상 되며, 그  사용량 또한 지속적으로 증가 할 것입니다.

3) ACL 대체 또는 SPT공정용 SOC(Spin on Carbon) 전구체

  SOC가 기존 ACL을 일부 대체하는 것은 맞지만 평가를 하고 있는 고객사에서는 대부분의 경우에 SPT(Spacer Patterning Technology)공정에 희생막으로 Double pattern을 형성하는데 사용되고 있습니다. ACL과 SOC는 용도는 같으나 ACL은 CVD 방식으로 증착되고, SOC는 Spin coating을 하는 것이 공정상 틀린 부분이다. D램 및 NAND플래시 메모리 모두 사용하는데 공정 적용온도가 틀리고, 적용 Layer가 많아서 양산적용시 매출에 영향을 크게 미칠 전망입니다. 2014년 4/4분기에 초도 납품을 시작으로 2015년도 물량  증대를 목표로 하고 있습니다.


4) En-capsulation용 전구체

  Flexible한 AMOLED 패널 사업화에 최대 난제인 깨지지 않고(Unbreakable), 구부러지는(Bendable) 디스플레이 구현을 위한 ALD 전구체로써 박막봉지용으로 2012년부터 대두되고 있는 재료입니다. 국내 고객사가 기술적으로 선도하고 있는 AMOLED 시장에서 세계 최초로 양산을 시도중인 모바일이나 태블릿 등 휴대용 단말기부터 적용이 예상되며, 시장에 미치는 파급효과는 클 것으로 예상됩니다. 아직 100%의 기술적인 완성단계에 도달하지는 못했으나 당사는 고객사와 긴밀한 협조 하에 개발을 진행 중이며, 평가를 통하여 2015년 내에 양산에 대응하려 계획하고 있습니다.


5) 고기능성 코팅제 : 당사의 고기능성 코팅제는 반도체 공정에서 SiO2 절연막의 원료로 사용되며, 뛰어난 부착력으로 인해 고기능성 코팅제로 널리 알려져 있는 폴리실라잔(polysilazane)을 주원료로 하는 실리콘계 코팅제입니다. 자동차용 외장발수 코팅제를 비롯하여 가전외장용 코팅제, 건축·산업용 외장발수 코팅제, 디스플레이·필름용 UV코팅제 등의 다양한 고기능성 제품군을 보유하고 있습니다.
또한 신규 제품으로 눈부심 방지용(Anti-glare, AG) 코팅액과 세라믹 절연용 코팅액을 개발하였습니다. 눈부심 방지용 코팅액의 경우에는 국내 터치패널 제조업체에 고정적으로 납품하고 있으며, 최근에는 눈부심 방지 기능 이외에 내지문(Anti-fingerprint, AF) 기능이 동시에 구현되는 AG+AF 코팅액을 추가로 개발하여 국내 대기업을 포함한 다수의 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다. 세라믹 절연용 코팅액의 경우에도 디스플레이 및 반도체 소자 관련 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있으며, 기술적인 교류을 통해 업체에서 요구하는 맞춤형 코팅액을 공동 개발하고 있습니다.



2. 주요 제품 등


 당사는 반도체 미세화 추세와 그에 따른 고집적회로 요구 등 고객의 필요에 따라 다양한 제품을 개발, 판매하고 있습니다.

2014년에는 현재 주요 제품군인 DPT용 전구체가 34.61%, High-k 전구체가 26.23%, HCDS 전구체가 23.56% 점유율로 신규 진입한 제품들에서 고른 성장세를 보였으며, 기존 제품군인 식각보조재료 ACL 전구체의 6.85%, SOD 전구체의 4.73%를 넘어서 주력 제품의 변화를 주도하였습니다.  또한 이 주력제품들은 공급량 확대가 추가로 예상되고 있어 향후 매출 신장에 크게 기여할 것으로 기대하고 있습니다.


2014년 제품군별 전체 매출액 및 매출액에서 차지하는 비율은 다음과 같습니다.

제품군

구체적인 용도

매출액(원)

비율(%)

1. DPT 제품 Double Patterning Tech.용 소재 21,327,282,134 34.61
2. High-k 제품 캐패시터 유전막용 소재 16,168,100,000 26.23
3. HCDS 제품 LT(Low-temp)Sio/Sin용 소재 14,519,632,205 23.56
4. ACL 제품 식각공정에 사용되는 하드마스크필름용 소재 4,220,341,641 6.85
5. SOD 제품 Gap-fill용 소재 2,918,011,350 4.73
6. 확산방지막 제품 확산방지막용의 소재 1,434,232,289 2.33
7. 기타 제품 연구(고유전체용, PRAM의 상변화물질용 소재)제품, 납품용기 및 건자재코팅용 소재 등 1,042,176,020 1.69

합   계

61,629,775,639 100.00

가. DPT(Double Patterning Tech.) 제품 : 30nm급 이하 미세패턴 구현을 위한EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) 장비 개발이 미흡하여 DPT공정이 도입되었고, 이 공정에 필요한 패터닝용 희생막 재료입니다. DPT 재료는 미세패턴 구현을 위한 핵심재료로 일시적으로 반도체 집적도 발전 속도를 따라가지 못하는 장비기술 간의 불균형 해소에 기여하고 있습니다. 당사는 수입에 의존했던 DPT 재료를 개발 및 평가 완료하여 2012년2분기부터 양산 공급을 하고 있으며, 2013년부터 기존 칩 메이커의 사용량 증가와 고객사 확대에 따른 매출이 추가로 발생하고 있습니다.후 미세공정 확대에 따라 사용량이 증가하여 당사 매출 변화에 큰 영향을 미칠 것으로 판단되는데, 이것은 DPT제품이 NAND Flash메모리와DRAM 메모리에 모두 사용되기 때문입니다.

나. High-k 제품 : DRAM 메모리에서 중요한 역할을 차지하는 캐패시터의 유전막으로 사용되며, 패턴의 미세화로 인해 점점 더 높은k값을 요구하고 있습니다. 이에 당사는20~30nm 미세공정에 대응이 가능한 전구체를 개발 및 평가를 완료했으며, 2013년 3분기부터 매출이 발생, 2014년부터 매출이 크게 증가하고 있습니다.  또한 차세대 High-k(고유전체)용전구체 연구 개발에도 박차를 가하고 있습니다.

다. HCDS 제품 : 저온 Low-k(저유전체)용 전구체로써 DRAM 메모리 및 NAND Flash 메모리에 적용되고 있습니다.  향후 메모리에서 사용량 증가 및 비메모리반도체에서도 적용될 것으로 예상되어 사용량이 클 것으로 예상되고 있습니다. 2013년 하반기에 고객사로부터 평가가 완료되어 바로 양산공급이 시작되었으며, 최근 그 사용량이 크게 증가하여 매출신장에 긍정적인 요인으로 작용하고 있습니다. 주요 고객사 증설 라인에 납품을 시작하면서, 2015년도 매출 증대가 기대되는 제품입니다.

라. ACL 제품 : 2008년 국내 및 국외 공급을 시작으로, 그 동안 당사의 매출 비율에서 중요한 역할을 차지했으나, 매년 감소추세에 접어든 제품입니다.  울산 사업장에서 생산하고 있는 Propylene은 국내 시장과 대만에 수출을 하고 있으며, 본사에서 생산되는 1-Hexene은 아직도 상당한 국내시장 점유율을 확보하고 있습니다.


마. SOD 제품 : SOD 제품은100% 수입에 의존했던 재료를 국산화한 제품으로 2010년 국내 칩 메이커로부터 사용 승인을 받아 2010년 하반기부터 매출이 발생하였으며, 2011년에는 대만에 공급이 시작되어 수출에도 기여한 제품입니다.  대만 고객사의 총 사용량 대비 점유율은 최근 50%로 감소했으나, 30nm DRAM 미세 공정 투자에 따라서 그 사용량이 점차 증가할 예정입니다.

바. 산 방지막용 제 : 메탈 박막재료는 2008년 하반기부터 납품을 시작하여 국내 고객사의 양산라인에 적용되고 있는 제품으로 반도체 전극재료로 사용되고 있으며, 적용 공정의 특수성으로 인해 사용량은 그리 많다고 볼 수 없습니다. 그러나, 미세 공정 적용 및 공정 변화로 인한 적용 공정의 증가는 추후 매출 증대로 이어질 수 있는 가능성이 잠재되어 있습니다. Si 박막재료는 2013년3분기부터는 양산 공급을 시작하고 있고, 향후 적용공정 추가에 따라서 매출증대가 기대됩니다.

사. 기타 제품 : 개발이 완료되지 않았거나 현재 진행 중인 제품군으로 국내 고객사와 지속적으로 평가를 받고 있는 연구제품, 납품용기 등이 있습니다. 신규 개발된 기능성 코팅제인 눈부심 방지용(Anti-glare) 코팅액의 경우에는 국내 터치패널 제조업체에 안정적으로 납품하고 있으며, 국내 대기업을 비롯한 다수의 신규 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다. 또한 세라믹 절연용 코팅액의 경우에도 국내 디스플레이 및 반도체 소자 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다.



3. 주요 원재료 등


당사는 제품 생산에 필요한 주요 원재료의 대부분을 미국, 일본, 유럽, 중국 등 일부 주요 선진국으로부터 수입하고 있습니다. 원재료마다 수입 의존에 상당한 비중을 차지하는 만큼 안전 재고 확보 등 Risk에 대한 상시 원재료 재고 관리에 만전을 기하고 있습니.
래 표는 2014년 주요 제품에 용된 원재료의 전체 입처 및 매입현황 등 주요 원재료의 가격변동 추이를 나타내고 있습니다.


가. 주요 원재료의 가격변동추이

(단위 : 원)
사업부문 매입유형 품   목 제14기
(20
14년)
제13기
(2013년)
제12기
(2012년)
제11기
(2011년)
반도체
전자재료
원재료 1-He(kg) 9,800 - 9,800  9,800
P1(kg) 9,500 9,500 9,500 9,640
P2(kg) 12,700 12,700 11,500 11,500
X4(kg) 5,000 5,000 5,000 4,183
D5(kg) 14,950 14,950 15,200 14,825
H1(kg) 6,889 7,100 7,100 7,185
T1(kg) 18,584 19,000 20,394 -
P4(kg) 3,080 4,280 5,440 -
HD(kg) $696 $802 - -
※ 공시대상기간 중 당사 사업부문의 수익성에 중요한 영향을 미치는 원재료는 존재하지 않습니다.


나. 주요 원재료 매입처에 대한 사항

(단위 : 백만원)
원재료명 매입액 주요매입처 특수관계여부 공급안정성
P1(kg)
571.9 대한유화공업㈜ 해당무 이상무
P2(kg) 209.7 SK케미칼 해당무 이상무
X4(kg) 107.9 켐바이오 해당무 이상무
D5(kg) 80.7 켐바이오 해당무 이상무
T1(kg) 393.3 씨엔피엔씨 해당무 이상무
※ 상기 표에 기재된 매입액2014년 1월 1일부터 2014년 12월 31까지의 래내역을 기준으로 작성 되었습니다.



4. 생산 및 설비

가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거
   (1) DPT 제품

사업장 주요 제품군 생산량 /
batch(kg)
최대 batch
/(주)
연간(주) 연간 생산능력
(kg)
평균 가동시간
/ batch
연간 생산
가동시간
생산방식
대전 본사 DPT 제품 110.0 3/(주) 52주         17,160             140    21,840
4조 3교대


   (2) Si 전구체 제품

사업장 주요 제품군 월 생산능력
(kg)
연간 생산능력
(kg)
평균 가동시간 연간 생산
가동시간
생산방식
대전 본사 저온 Low-k 제품 990.0 11,880 21 2,079 3조 3교대
대전 본사 확산방지막 제품 400.0 4,800 - - 3조 3교대


  (3) High-k 제품

사업장 주요 제품군 생산량 /
batch(kg)
최대 batch
/(주)
연간(주) 연간 생산능력
(kg)
평균 가동시간
/ batch
연간 생산
가동시간
생산방식
대전 본사 High-k 제품 120.0 3/(주) 52주         18,720               92     14,352
4조 3교대


 
 (4) ACL 제품

사업장 주요 제품군 생산량 /
batch(kg)
최대 batch
/(주)
연간(주) 연간 생산능력
(kg)
평균 가동시간
/ batch
연간 생산
가동시간
생산방식
대전 문평 ACL 제품 87.5 5/(주) 52주   22,750
             37        9,620 3조 3교대


사업장 주요 제품군 일 가동시간 연간 가동일 일 최대
생산량(kg)
연간 생산능력
(kg)
평균 가동시간
/ batch
연간 생산
가동시간
생산방식
울산 지점 ACL 제품 8 260 760 197,600
-       2,080 -


   (5) SOD 제품

사업장 주요 제품군 Batch 생산량
(B/T)
최대 batch
/(월)
연간(개월) 연간 생산능력
(B/T)
평균 가동시간
/ batch
연간 생산
가동시간
생산방식
대전 본사 SOD 제품 60.0 10/(월) 12(개월)      7,200
168      20,160 4조 3교대


나. 생산실적 및 가동률

실적 기준 사업장 주요 제품군 생산능력 생산실적 가동률(%)
2014년
전체
대전 문평 ACL 제품(kg) 22,750 4,987 21.9
대전 본사 DPT 제품(kg) 17,160 12,650 73.7
High-k 제품(kg) 18,720 6,720 35.9
저온 Low-k 제품 11,880 7,200 60.6
SOD 제품(B/T) 7,200 861 11.9
확산방지막 제품 4,800 2,776 57.8
울산 지점 ACL 제품(kg) 197,600 57,067 28.9
2014년 전체 가동률(%)
280,110 92,261 32.9


다. 생산설비의 현황 등

당사는 문평 사업장을 시작으로 2007년과 2008년에 완공된 울산 사업장 및 대전 대화 본사 사업장으로 구성된 총 3개 지역의 독립된 시스템을 갖춘 생산공장을 보유하고 있습니다. 한 경영활동과 생산을 위해 2013년에는 문평 사업장의 생산공장은 그대로 운영하면서 다양한 제품 개발 활동을 위해 본사 및 대화지점을 하나로 통합하여 대화본사로 새롭게 운영해 나가고 있습니다.

 대전 문평에 위치한 생산 사업장은 0.2㎥ 반응 설비 총 14기를 보유하고 있으며, 대전 본사 사업장도 마찬가지로 2㎥, 0.5㎥, 0.4㎥, 0.2㎥ 등 다양한 크기의 반응 설비 및 이하 유틸리티 설비를 갖추고 있습니다. 최근 신규 아이템 양산 적용에 따라 다양한 설비를 운용하고 있으며, 연구소 및 클린룸 등의 연구동 증축 및 이전으로 당사의 제반 활동 거점 지역으로 급부상하고 있습니다. 울산 사업장은 별도의 가스 저장탱크 및 제조 설비, 클린룸과 분석 설비를 갖추고 있으며, 각 사업장마다 독립적인 운영이 가능합니다.


라. 설비의 신설ㆍ 매입 계획 등

 대전 대화본사 사업장은 2010년 중순부터 신규 아이템 생산 및 기존 설비 확충으로 다양한 아이템 생산을 전개하고 있으며, 2012년부터는 신규 시제품 생산을 위한 시스템 적용도 완료하였습니다. 2013년 1분기에는 연구소 및 클린룸 증축 완공으로 본사이전 통합과 함께 양산 라인에 제품을 정상적으로 공급하기 위한 설비 확충 등 강도높은 투자를 진행하여 왔습니다. 기존 제품의 납품량 확대 및 신규 아이템 준비에 대비하기 위한 공간도 일부 남아 있는 만큼 향후객사의 요구에 충분히 대응할 수 있을 것으로 전망하고 있습니다.

 각 사업장별 생산과 영업에 중요한 시설 등 물적 재산에 대한 내역은 아래와 같습니다.


[자산항목 : 토지] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 9,564 - 19 - - 9,545 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 2,960 -
- - 2,960 -
합    계 12,524 - 19 - - 12,505 -


[자산항목 : 건물] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 10,330 - 47 270 - 10,013 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 785 - - 23 - 762 -
합    계 11,115 - 47 293 - 10,775 -


[자산항목 : 구축물] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 5 30 - 1 - 34 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 1,406 - - 95 - 1311 -
합    계 1,411 30 - 96 - 1,345 -


[자산항목 : 기계장치] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 8,142 1,246 179 1,901 - 7,308 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 93 - - 33 - 60 -
합    계 8,235 1,246 179 1,934 - 7,368 -


[자산항목 : 차량운반구] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 87 59 173 -130 - 103 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 17 - - 4 - 13 -
합    계 104 59 173 -126 - 116 -


[자산항목 : 공구와기구] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 3,968 1,968 - 1,146 - 4,790 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 606 2 - 210 - 398 -
합    계 4,574 1,970 - 1,356 - 5,188 -


[자산항목 : 비품] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 156 13 - 44 - 125 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 2 - 1 - - 1 -
합    계 158 13 1 44 - 126 -


[자산항목 : 건설중인자산] (단위 : 백만원)
사업장 소유형태 소재지 기초
장부가액
당기증감 상각 대체 장부가액 비고
증가 감소
대화/문평 자가 대전 대덕구 대화동 40-15 외 305 3,036
- -3,317 24 -
울산 자가 울산 울주 온산 원산리 916-6 - 1
- -1 - -
합    계 305 3,037 - - -3,318 24 -



5. 매출에 관한 사항


가. 매출실적

 당사의 매출은 반도체 생산라인에 지속적으로 사용되는 제품과 현재 공동 및 자체개발중인 제품의 매출로 이루어 지며, 공동 개발중인 제품은 향후 생산라인에 사용되기 위한 제품으로써 연구용 제품으로 구분하고 있습니다.  또한, 매출액의 대부분이 삼성전자와 SK하이닉스 및 해외 반도체 업체로 구성되어 있으며, 세부내역은 다음과 같습니다.
(단위 : 원)
사업
부문
매출유형 품 목 제14기 제13기 제12기
반도체
전자재료
제품 반도체 전극 배선재료, 하드마스크재료 수 출 9,821,326,166

 4,654,561,267

8,517,751,486
내 수 50,833,167,773

  15,337,526,474

10,216,211,314
합 계 60,654,493,939

19,992,087,741

18,733,962,800
기타화학재료 제품
상품
용역
기타 수 출 58,669,800

       66,488,713

15,767,756
내 수 916,611,900

     547,251,155

8,424,853,055
합 계 975,281,700

     613,739,868

8,440,620,811
합 계 수 출 9,879,995,966

4,721,049,980

8,533,519,242
내 수 51,749,779,673

15,884,777,629

18,641,064,369
합 계 61,629,775,639

20,605,827,609

27,174,583,611


나. 판매방법 및 조건

반도체 재료 사업은 불특정 다수를 상대로 수많은 고객들에게 판매하는 사업과는 달리 특정고객만을 위한 영업 및 개발, 기술지원이 이루어져야 하므로 특정고객 전담 팀을 중심으로 판매조직이 구성되어 있습니다.  삼성전자 및 SK하이닉스 관련 영업부문은 현재 기술영업부에서 모두 담당하고 있으며 삼성전자 담당, SK하이닉스 담당 & 해외 및 디스플레이 담당으로 운영을 하고 있으며 기타 반도체 장비 업체 및 연구소의 영업도 함께 담당하고 있습니다.

 당사의 영업담당 부서인 기술영업부는 현재 오산에 위치하고 있으며, 기술영업부 내부는 다시 고객지원 파트와 개발지원 파트로 구분되어 있습니다.  고객지원 파트는 납품 및 제품 사용시 발생하는 기술지원을 담당하고 있고 개발지원파트는 연구소와 협력하여 신규 과제 개발을 지원하고 있습니다.  당사가 주력하는 반도체 재료는 국내 반도체 칩 메이커인 삼성전자, SK하이닉스, 동부하이텍 등의 업체에서 직접 사용하는 품목이므로 국내의 경우에는 100% 당사가 직접 공급하는 형식으로 납품하고 있습니다.  해외의 경우, 당사가 직접 현지 법인이나 지사를 운용 시 매출대비 비용 지출이 과다하여 해외진출 초기에는 가능한 대리점을 통해서 비즈니스를 추진하고 있습니다. 이에 중국 및 대만 현지 영업 대리점과 대리점계약을 체결한 후 이미 시장 진입이 이루어 졌으며, 해외 매출의 극대화와 거래처 다변화를 위하여 기존 고객사인 대만의 TSMC사(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)와 Inotera사(Inotera Memories, Inc.), Winbond사(Winbond Electronics Corp.)를 포함한 대만의 Nanya(Nanya Technology Corp.) 및 중국의 SMIC사(Semiconductor Manufacturing International Corp.)등의 아시아 지역의 주요 반도체 칩 메이커를 대상으로 영업활동을 진행하고 있습니다.

 또한, 향후 반도체 사업의 안정적인 수행을 위해 장비업체 사전 평가 및 고객사의 연구 개발활동에 참여하여 기술개발과 동시에 신규재료의 시장진입을 위한 영업 활동을 진행하고 있습니다.

장기적으로 반도체 사업의 안정적인 수행을 위해서 장비업체를 통하여 개발 초기에 신규재료의 시장진입이 매우 중요하므로 미국과 일본에 지사 형식의 개발지원 부서를 상주시켜 장비업체 및 반도체 업체와의 기술개발 및 영업 활동을 추진할 계획입니다.

당사가 새롭게 추진하고 있는 고기능성 코팅제는 자동차, 가전제품, 건축·산업용 자재, 디스플레이·필름 등 다양한 제품의 표면 보호나 기능적 특성(오염 방지, 부식방지, 슬립성 증대 등)을 부여하기 위해 사용되고 있습니다. 이러한 기능성 코팅은 본래의 제품에 화학적 기능이나 기계적 기능, 전기전자적 기능 그리고 광학적 기능을 추가함에 따라 제품의 고기능화를 가능하게 할 수 있고 부가가치를 높일 수 있도록 도와주고 있습니다.2010년 이후 기능성 코팅 시장은 꾸준히 증가하고 있습니다.  일례로 PET 필름의 경우 전기전자, 광학, 포장산업 분야 등에서 기능성
코팅(하드코팅, 발수코팅, 내지문 코팅 등) 수요가 매년 30% 이상 증가하고 있습니다.  이러한 기능성 코팅제 시장의 성장에 대응하기 위해 고객사의 다양한 요구에 맞춰 함께 기능성 코팅제의 연구개발을 진행하고 있으며 해당 고객사는 곧 매출처가 되므로 초기 개발단계부터 적극적인 영업활동을 진행하고 있습니다.


다. 판매전략

당사는 신기술 개발에 맞추어 변화하는 시장에 핵심역량과 사업전략을 혁신하는데 집중하고 있습니다.  고객의 입장에서 주요 제품별 부서를 재구성하고, 부분별 연구인력 및 연구개발비투자를 높여 생산 플랜트 다변화/대형화로 다양한 소재의 재료를 단기간에 대량 생산할 수 있는 능력을 갖추며 고객을 만족시키는 기술력과 경험을 축적하여 고객에게 차별화된 가치를 제공하고자 합니다.

수요업체에 근접하게 사무소를 설립하여 신속한 납품업무와 상황에 따른 issue발생시 대처를 위한 서비스를 제공하며, 반도체 설비 업체와의 협력관계를 적극 강화하여 제품 개발, 공급망 관리, 구매, 생산, 고객관리, 재무, 인사, 정보기술 등을 고객중심으로 생각하고 발전시킴으로써 고객의 요구에 언제든지 유연하게 대처할 수 있는 체계를 갖추려 노력하고 있습니다.  이를 바탕으로 대량생산과 품질관리, 메모리 생산 공정에서 최적화된 소재를 제공할 수 있는 기술력을 확보하여 초기 시장진입이 가능한 공동개발 형식의 연구개발을 집중적으로 수행하고자 합니다.  현재 반도체 칩 메이커와 JDP형식의 공동개발을 진행하고 있습니다.  당사가 장비업체나 반도체 칩 메이커와 공동개발에 많은 비중을 두고 있는 이유는 초기 시장 진입의 유리한 점뿐만 아니라 삼성전자나 SK하이닉스에 납품된 재료의 경우 해외 다른 업체로의 판매 확대에 매우 유리한 점이 있기 때문입니다.  삼성전자나 SK하이닉스가 메모리 분야에서 반도체 산업을 선도하는 역할을 하기 때문에 공동개발을 새로운 재료의 테스트베드 성격으로 활용하고 있습니다.
실 예로, 메모리 반도체 부분에서 세계 최대 반도체 생산업체인 삼성전자와 당사가 공동 기술개발을 통해 상용화된 Alpis-3는 삼성전자로부터 Quality Certificate를 획득하고 메모리 양산 라인에 적용하여 왔습니다. 이를 바탕으로 하여 중국, 대만, 일본 등에 있는 반도체 칩 메이커에 해당 제품의 시장진입을 추진한 결과, 대만TSMC사 및UMC사에 납품을 진행한 바 있습니다.

그리고, Alpis-3뿐 아니라 신규 반도체 재료에 대해서도 삼성전자나 SK하이닉스가 메모리 분야에서 반도체 산업을 선도하는 역할을 하기 때문에 공동개발을 통해 먼저 실적과 품질을 검증 받은 후 관련 제품을 해외업체에 공급하는 방식의 판매 전략을 추진하고 있습니다.

해외 판매를 위한 영업 조직적인 측면에서는 해당 국가의 업체와 영업 대리점 계약을 체결하고 대리점과 협력하여 해당 국가의 반도체 시장에 진입하려는 전략입니다. 그리고 대만 및 일본의 경우에는 반도체 칩 메이커뿐 아니라, 대형 장비업체가 새로운 공정 개발을 주도하고 있기 때문에 장비업체와의 긴밀한 관계형성이 매우 중요합니다. 따라서, 장기적으로 지사 형식의 개발지원 부서를 상주시켜 장비업체 또는 반도체 업체에 대한 기술 개발 및 영업활동을 할 계획입니다.

 고기능성 코팅제는 자동차용 외장발수 코팅제를 비롯하여 가전외장용 코팅제, 건축·산업용 외장발수 코팅제, 디스플레이·필름용 UV코팅제 등의 다양한 고기능성 제품군을 보유하고 있습니다. 주요 고객사로는 LG전자, 삼성전자, LG하우시스, 3M 및 기타 전자재료 관련 업체들입니다. 또한 신규 제품으로 눈부심 방지용(Anti-glare, AG) 코팅액과 세라믹 절연용 코팅액을 개발하였습니다. 눈부심 방지용 코팅액의 경우에는 국내 터치패널 제조업체에 고정적으로 납품하고 있으며, 최근에는 눈부심 방지 기능 이외에 내지문(Anti-fingerprint, AF) 기능이 동시에 구현되는AG+AF 코팅액을 추가로 개발하여 국내 대기업을 포함한 다수의 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있습니다. 세라믹 절연용 코팅액의 경우에도 디스플레이 및 반도체 소자 관련 업체들과 적용 테스트를 진행하고 있으며, 기술적인 교류을 통해 업체에서 요구하는 맞춤형 코팅액을 공동 개발하고 있습니다.  

 첨단 디스플레이의 기능 향상을 위한 기술에 필요한 나노 입자의 안정적인 합성 기술을 확보하기 위해 노력하고 있습니다.  현재 저굴절 및 고굴절 소재인 SiO2와 TiO2 구형(sphere) 나노입자의 크기별 제조 기술을 보유하고 있으며, 이외에 코어-쉘(core-shell)이나 중공 실리카(hallow silica) 등 다양한 형태의 나노입자 양산 기술을 확보하기 위한 테스트를 진행하고 있습니다.  이러한 나노 입자 합성기술과 관련하여 세계적인 대기업과 기술 협약을 맺고 유상 샘플을 제공하고 있습니다.



6.수주상황

당사의 거래처 특성상 고정된 수주현황은 없습니다.  다만, 매일 거래처의 PO 상황을 확인하여 납품하고 있습니다.



7. 시장위험과 위험관리

 당사는 경영활동과 관련하여 시장위험(외환위험,이자율위험), 신용위험, 유동성위험과 같은 다양한 위험에 노출되어 있습니다. 당사의 위험관리는 재무적 성과에 영향을미치는 잠재적 위험을 식별하여 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 목적으로 하고 있습니다.

(1) 시장위험

1) 외환위험

당사의 외환위험은 주로 인식된 자산과 부채의 환율변동과 관련하여 발생하고 있습니다. 당사의 영업거래 및 자본거래 상 외환위험에 대한 회피가 필요하다고 판단되는경우 통화선도거래 등을 통해 외환위험을 관리하고 있습니다. 외환위험은 미래 예상거래 및 인식된 자산ㆍ부채가 기능통화 외의 통화로 표시될 때 발생하고 있습니다.


보고기간종료일 현재 기능통화 이외의 외화표시 화폐성 자산 및 부채의 장부금액은 다음과 같습니다.


(단위 : 천원)
통  화 당기말 전기말
자산 부채 차감계 자산 부채 차감계
USD 1,505,320 321,450 1,183,870 960,191 30,390 929,801
TWD 151,300 - 151,300 139,026 - 139,026
합  계 1,656,620 321,450 1,335,170 1,099,217 30,390 1,068,827


각 외화에 대한 원화환율이 10% 변동시 세전이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.


(단위 : 천원)
구  분 USD TWD
당  기 전  기 당  기 전  기
세전이익 118,387 92,980 15,130 13,903


2) 이자율 위험

당사는 이자율 변동으로 인한 금융자산, 부채의 가치변동 위험 및 투자, 차입에서 비롯한 이자수익(비용)의 변동위험 등의 이자율변동위험에 노출되어 있습니다.

당사는 이자율 위험에 대해 다양한 방법의 분석을 수행하고 있습니다. 당사는 이자율변동위험을 최소화하기 위해 위험회피 등 다양한 방법을 검토하여 가장 유리한 자금조달 방안에 대한 의사결정을 수행하고 있습니다.

당기말 현재 다른 변수가 일정하고 변동금리부 차입금에 대한 이자율이 1% 변동할 경우 연간 세전손익에 미치는 영향은 96,893천원입니다.

(2) 신용위험

신용위험은 당사의 통상적인 거래 및 투자활동에서 발생하며 고객 또는 거래상대방이 계약조건상 의무사항을 지키지 못하였을 때 발생합니다. 이러한 신용위험을 관리하기 위하여 당사는 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에 대한 신용한도를 설정하고 있습니다. 당기 중 중요한 손상의 징후나 회수기일이 초과된 매출채권 및 기타금융자산에 포함된 대여금이나 미수금 등은 발생하지 않았으며, 당사는 당기말 현재 채무불이행 등이 발생할 징후는 낮은 것으로 판단하고 있습니다.

신용위험은 현금시재액을 제외한 현금및현금성자산, 금융기관 예치금, 매출채권 및 기타채권, 매도가능금융자산(채무증권), 기타금융자산 그리고 파생금융상품 등과 같은 거래에서 발생할 수 있습니다. 이러한 위험을 줄이기 위해 당사는 신용도가 높은 금융기관 및 고객에 대해서만 거래를 하고 있습니다.

한편, 보고기간종료일 현재 신용위험의 최대노출도는 현금및현금성자산, 매출채권 및 기타채권, 기타금융자산의 장부가액과 같습니다.

(3) 유동성 위험

유동성위험 관리는 충분한 현금 및 시장성 있는 유가증권의 유지, 적절하게 약정된 신용한도금액으로부터의 자금 여력 및 시장포지션을 결제할 수 있는 능력 등을 포함하고 있습니다. 활발한 영업활동을 통해 당사의 재무팀은 신용한도 내에서 자금 여력을 탄력적으로 유지하고 있습니다.

당사의 금융부채를 보고기간종료일로부터 계약 만기일까지의 잔여기간에 따라 구분한 내역은 다음과 같습니다.

(당기말) (단위 : 천원)
구  분 장부금액 계약상 원금
1년 미만 1년 ~ 2년 2년 ~ 5년 5년 초과 합  계
금융부채 18,861,316 15,333,631 2,605,027 922,658 - 18,861,316
금융부채이자 - 403,726 91,077 15,540 - 510,343
합  계 18,861,316 15,737,357 2,696,104 938,198 - 19,371,659


(전기말) (단위 : 천원)
구  분 장부금액 계약상 원금
1년 미만 1년 ~ 2년 2년 ~ 5년 5년 초과 합  계
금융부채 38,010,771 14,482,181 17,663,013 5,865,577 - 38,010,771
금융부채이자 - 2,930,023 1,572,390 1,224,633 - 5,727,046
합  계 38,010,771 17,412,204 19,235,403 7,090,210 - 43,737,817


(4) 자본위험

당사는 부채와 자본의 최적화를 통하여 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화시키는 동시에 계속기업으로서 존속할 수 있도록 자본을 관리하고 있습니다. 당사는 자본관리 지표로서 부채비율을 이용하고 있으며 부채총계를 자본총계로 나누어 산출하고 있습니다.


보고기간종료일 현재 부채비율은 다음과 같습니다.


(단위 : 천원)
구  분 당기말 전기말
부채총계 24,978,414 40,467,415
자본총계 42,682,625 17,323,010
부채비율 58.52% 233.60%



8. 파생상품 및 풋백옵션 등 거래 현황


 당사는 공시서류작성기준일 현재 해당 사항이 없습니다.



9. 경영상의 주요계약 등


가. 전환사채 발행(발행일 : 2013년 07월31일)

사채의 종류 사채의
권면총액(원)
자금조달의
목적
사채 만기일 사채의 이율(%) 사채발행
방법
표면
이자율(%)
만기
이자율(%)
제 3 회 기명식 무보증 사모 전환사채 5,000,000,000 운영자금 2017년 01월 31일 0 8.0 사모


- 특정인에 대한 대상자별 사채발행 내역

발행 대상자명 회사 또는 최대주주와의 관계 발행권면총액(원)
연구개발특구 일자리창출투자펀드 공동업무집행조합원
대성창업투자 주식회사, 엠브이피창업투자 주식회사
관계없음 3,500,000,000
KoFC-대성 Pioneer Champ 2010-2호 벤처투자조합
업무집행조합원 대성창업투자 주식회사
관계없음 1,500,000,000
위의 전환사채 발행을 통하여 당사의 경영권에 미치는 영향은 없으며, 세부적인 내용은 공시서류(주요사항보고서-전환사채권발행결정,2013.07.30)를 참조하시기 바랍니다
※ 2014.12.10 전환청구권을 행사하였으며, 자세한 내용은 공시자료(2014.12.10 전환청구권행사)를 참조하시기 바랍니다.


나. 전환사채 발행 (발행일 : 2012년 04월 25일)

사채의 종류 사채의
권면총액(원)
자금조달의
목적
사채 만기일 사채의 이율(%) 사채발행
방법
표면
이자율(%)
만기
이자율(%)
제 2 회 기명식 무보증 사모 전환사채 9,000,000,000 시설 및 운전자금 2015년 04월 25일 0 8.0 사모


- 특정인에 대한 대상자별 사채발행 내역

발행 대상자명 회사 또는 최대주주와의 관계 발행권면총액(원)
키움인베스트먼트 주식회사 관계없음 3,375,000,000
아주-SHC 상생기업3호 투자조합 관계없음 3,375,000,000
09-9한미신성장녹색벤처조합 관계없음 1,125,000,000
한미그로스에쿼티투자조합 관계없음 1,125,000,000
위의 전환사채 발행을 통하여 당사의 경영권에 미치는 영향은 없으며, 세부적인 내용은 공시서류(주요사항보고서-전환사채권발행결정,2012.04.23)를 참조하시기 바랍니다
※  2014.05.03, 2014.07.03, 2014.07.16 각각 전환청구권을 행사하였으며 자세한 내용은 공시 자료(2014.05.28[정정]전환청구권행사, 2014.07.03전환청구권행사, 2014.07.16전환청구권행사)를 참조하시기 바랍니다.


다. 교환사채 발행 (발행일 : 2011년 03월 21일)

사채의 종류 사채의
권면총액(원)
자금조달의
목적
사채 만기일 사채의 이율(%) 사채발행
방법
표면
이자율(%)
만기
이자율(%)
무기명식이권부
사모교환사채
2,500,510,000 운전자금 2013년 03월 21일 2.0 5.0 사모


- 특정인에 대한 대상자별 사채발행 내역

발행 대상자명 회사 또는 최대주주와의 관계 발행권면총액(원)
아주아이비투자(주) 관계없음 1,000,530,000
KoFC-아주PioneerChamp 10-9호 관계없음 999,990,000
특허투자조합2호 관계없음 499,990,000
위의 교환사채 발행을 통하여 당사의 경영권에 미치는 영향은 없으며, 세부적인 내용은 공시서류(주요사항보고서-교환사채권발행결정,2011.03.17)를 참조하시기 바랍니다.
2011년 11월 7일 상기 주식에 대하여 교환권을 청구하였으며 자세한 내용은 공시자료
'교환청구권 행사(2011.11.07자)'를 참조하시기 바랍니다.


라. 자산양수도

계약처 계약 내용 계약(처분)일 계약금액

대금회수일

회수금액
주식회사 인텍플러스 유형자산 처분
(목적물 : 대전광역시 유성구 탑립동 838번지 토지 및 건물)
2010-06-28 7,050백만원 2010-06-28
2010-06-29
2010-07-23
6,400백만원
50백만원
600백만원
목적  기존 차입금, 매입채무, 미지급금 등 부채상환 및 운영자금으로 소요하기 위해 자산양수도를 결정하였으며, 이로 인해 당사의 재무구조나 영업등 회사의 경영상 목적 달성을 하기 위함입니다.
 위의 자산양수도를 통하여 당사의 경영권에 미치는 영향은 없으며, 세부적인 내용은 공시서류(주요사항보고서-중요한자산양수도결정, 2010-06-28)를 참조하시기 바랍니다.



10. 연구개발활동


가. 연구개발활동의 개요

 당사는 급변하는 반도체 전자 재료시장에서 향후 사용 가능성이 있는 신규 물질 연구개발 및  산업재에 적용하기 위한 기능성 코팅제에 대한 연구 개발을 수행하고 있습니다.


나. 연구개발 담당 조직

당사에서는 최상의 성능과 품질을 보유한 제품을 개발하기 위하여 핵심기술 개발에 집중하는 것은 물론이고 사업영역의 확대와 미래기술 확보를 위하여 노력하고 있습니다. 연구개발 조직의 내용은 다음과 같습니다.
반도체 재료 연구 센터
1팀 2팀 3팀 4팀 5팀
◎ ALD 및 PEALD방식
의 저온 공정이 가능한다목적 SiO2, Si3N4 전구체 개발
◎ Flowable SiO2 전구체 개발
◎ LPCVD 방식의 Si seed layer 증착 전구체 개발

◎ 1×/2x nm급 반도체 및 플렉시블 디스플레이를 위한 고밀도 플라즈마 응용 무기물 증착 핵심 기술 개발

◎ 고품위 Plastic AMOLED 원천기술개발( 지식경제부 과제)
◎ 하드마스크용 SOC    물질개발
◎ Gap-Fill용 SiO₂전구체 개발
◎ 신규 ACL 전구체  
   개발

◎ 20nm 이하급 디바이스 적용가능한 Ultra low-k 전구체 개발(산업통상자원부 과제)

◎ 고온용 High-k Capacitor Dielectric 전구체 개발
◎ 차세대반도체 커패시터용 고유전 전구체 개발
◎ High-k metal gate
용 전구체 개발

◎ 배선재료용 전구체    개발
◎ 반도체용 금속 MO
  전구체 개발
◎ PRAM용 GST
  전구체  개발
◎ 투명 전도막(TCO)     전구체 개발
◎ 에너지 절감을 위한 50인치 기준 15w급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천기
술 개발

◎ ALD Process 개발
◎ PECVD Process
   개발
◎ MOCVD Process
   개발
◎ 칩 메이커 Process
   지원 업무
나노소재연구센터
1팀 2팀 3팀
◎ 다목적 발수 코팅제 개발
◎ 필름용 하드 코팅제 개발
◎ 눈부심 방지 코팅제 개발
◎ 기타 기능성 코팅제 개발
◎ 플렉시블 디스플레이용
   TFT 절연 소재 개발
◎ 플렉시블 디스플레이용  
   투습방지 소재 개발

귀금속 복합촉매 개발
첨단 디스플레이 기능
   향상을 위한 나노 입자
   합성 기술 개발
◎ 표면처리 필름용 저굴절
   및 고굴절 소재 개발


다. 연구개발 비용

 당사의 최근 3년간 연구개발 비용은 다음과 같습니다.
(단위 : 원)
과       목 제14기
(2014년)
제13기
(2013년)
제12기
(2012년)
비 고
원  재   료  비 567,798,692 607,596,759 778,554,667
인     건     비 2,107,507,546 1,609,389,461 1,441,456,752
감 가 상 각 비 321,532,116 140,017,274 199,057,626
위 탁 용 역 비 - 25,454,545 18,780,000
기            타 1,067,703,672 493,174,583 191,073,895
연구개발비용 계 4,064,542,026 2,875,632,622 2,628,922,940
회계처리 판매비와 관리비 3,934,223,309 2,745,162,143 2,502,825,164
제조경비 130,318,717 130,470,479 104,785,764
개발비(무형자산) - - 21,312,012
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100]
6.60%             13.96% 9.67%
※ 상기 자료는 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 기준으로 작성되었습니다.


라. 연구개발 실적

주 요 연 구 과 제 명 연구결과 및 기대효과
신규 구리 배선용 CVD/ALD 전구체 개발(자체개발) - 반도체의 기존 알루미늄 및 텅스텐 배선을 대체   가능한 구리배선용 CVD/ALD 전구체 개발
절연 특성을 갖춘 SOD 재료 개발 - 전량수입에 의존하고 있는 STI, PMD, IMD Gap-Fill 적용되는 SOD 재료 개발
CVD/ALD용 SiO₂ 박막을 위한
전구체 개발
- 신규 산화규소 박막용 전구체 개발
기능성 나노 유리막 코팅재료
개발
- 얇은유리박막의 우수한 물성으로 산업재 전반
  에 경쟁력 있는 제품으로
평가
- 인조대리석용 고광택 내오염 코팅제 출시

반도체용 Thinner 개발 - 폴리실라잔 처리 용제 개발
유전체용(low-k) 전구체 개발 - DPT공정 희생막 형성용 박막재료의 개발 및
  low temp. 공정용 SiO₂ 전구체 개발
배선재료용 전구체 개발 - Cu계 전구체 개발
기능성 코팅제 개발 - 자동차용 하드 코팅제 출시
low temp. Gap-Fill용(flowable oxide)절연막용 전구체 개발 - aspect raitio가 증가하는 공정에 대한 대응 개발  전구체로  30nm이하 급의 STI, ILD Gap-Fill사용
 가능 기술 확보
투명 전도성 소재(TCO) 산화물 전극의 전구체 개발 - 투명 전도성 재료의 90% 이상을 차지하고 있는   ITO중 인듐의 고갈로 인한 대체 재료의 연구개
 발  이 시급하며, 투명 전도성 소재 개발에 따른   저단가 및 안정적 생산에 따른 시장 확보
PRAM용 GST 전구체 개발(공동개발) - 삼성전자 세계 최초 512Mb PRAM 양산 및 하이   닉스의 PRAM시장 진입등 DRAM 대체 메모리
  로 각광. 시장에 대응하며 GST전구체 개발 및     양산화 진행
반도체 패키지용 비시안화 금도금액 개발 - 전량 수입 의존 물질로 국산화 개발
- 산학연 공동기술 개발사업(과제 종료)
실리콘계 표면개질을 통한 내습성이 우수한 인계 난연제 개발

- 기존 수입의존도 높은 물질의 국산화 개발

- 내습성 향상을 통한 난연성을 향상시킨 인계 난   연제 개발

에너지 절감을 위한 50인치 기준 15w급 환경적응(Light Adaptable Space Adaptable : LASA) 디스플레이 신모드 핵심 원천기술 개발 - LCD/PDP를 대체할 수 있는 차세대 디스플레이  기술 개발에 필요한 저가격, 저온 공정 박막 형성 용 전구체 개발
1X/2X급 반도체용 저온 무기물 증착을 위한 PEALD 장비 핵심기술 개발 - 저온 무기물 증착을 위한 ALD 장비 기술 개발에 필요한 전구체 개발
High-k metal gate용 신규 전구체 개발
- High-k metal gate용 HfSiO4 신규 precursor 개발
- 자
체 ALD 증착 결과 armophos 형태의 HfSiO4 박막이 형성되어 기존대비 50%이상의 성능 향상기대
저온 증착 가능한 Co(Si)2 박막 증착용 전구체 개발 및 공정 개발 - 저온 증착이 가능한 Co 전구체 합성 및 공정 기술 개발
저온 공정이 가능한 다목적 SiO2, Si3N4 전구체 개발

- 저온 증착이 가능한 전구체 합성 및 공정 기술 개발.
- 2013 ALD 학회 저온 SiO2 증착 관련 발표
- 2014 한국반도체학술대회 발표 2건

1. PEALD of Low Temp. SiO2 Using
  New Cyclo-disilazane Structure Precursors
2. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of
  Low Temp. SiN Using Ultra Conformal Silicon
  Precursors with New Chemical Structure Design
- 2014 ALD 국제학회 발표 1건
1. Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of
  Low Temp. SiN Using Ultra Conformal Silicon
  Precursors with New Chemical Structure Design

차세대반도체 커패시터용 고유전 전구체 개발

- 25nm이하의 Device에서 미세화 기술로 인
 한 소자의 성능개선에 부합할 수 있는 고온용 전  구체 개발 및 양산 기술 확보
- 산학연 공동개발을 통한 기술인력 양산과 독자적인 기술력 확보(과제종료)
- 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물,

이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조

Ultra Low-k Si 전구체 개발 - 고강도, 고내열, 초저유전 소재 개발하여
  IMD, ILD 절연막에 사용 검토 중
- 실리콘 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 유전막의 제조
- 실리콘 전구체를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법
- 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘함유 박막의 제조방법

배선재료용 전구체 개발 - 텅스텐 전구체화합물 및 이의 제조방법
차세대 Low-k & 하드마스크용 물질 개발 - high modulus, low-k 값을 갖는 저 유전율 차세대 물질 개발
-
붕소함유 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 붕소함유방막 제조
고품위 Plastic AMOLED 원천기술개발 - Plastic AMOLED용 절연막 재료 개발 과제 실시
- 2010.03 ~ 2015.02
첨단 디스플레이 기능 향상을 위한 나노 입자 개발 - 세계적인 대기업과 기술 협약을 맺고, 유상 샘플 제공



11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항

가. 지적재산권 보유현황

 보고서 작성기준일 현재 회사가 영위하는 사업과 관련하여 22건의 특허권 취득하여 보유하고 있으며, 각 특허권의 상세 내용은 다음과 같습니다.
종 류 취 득 일 내 용 근거법령 취득소요현황 상용화여부 및매출기여도
인력 기간 비용
전자재료 2005.09.07 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 9월 2억 상용화로 매출액의 60~70%
전자재료 2006.09.04 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막증착방법 특허법 4명 1년4월 4억 상용화로매출액의 60~70%
전자재료 2006.09.13 루테늄 박막증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착방법 특허법 4명 1년3월 5억 상용화 단계
전자재료 2007.08.31 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물의 제조방법 특허법 3명 1년3월 3억 상용화로매출액의 60~70%
전자재료 2007.08.31 알루미늄 증착 전구체 및 그의 제조 방법 특허법 5명 1년2월 4억 상용화로매출액의 60~70%
전자재료 2007.09.04 게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을 이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성방법(칩메이커와 공동연구) 특허법 5명 1년2월 4억 상용화진행중
전자재료 2007.10.01 고순도의 유기갈륨화합물의 제조방법 특허법 5명 1년2월 4억 상용화진행중
전자재료 2008.02.12 지르코늄 산화물 박막 증착용 유기금속 선구 물질 및 이의 제조 방법 특허법 6명 1년8월 6억 상용화진행중
전자재료 2008.05.07 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 3명 2년 5억 상용화로매출액의 60~70%
전자재료 2010.05.10 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법 특허법 6명 2년3월 4억 상용화진행중
전자재료 2010.05.10 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 특허법 6명 2년4월 5억 상용화진행중
전자재료 2010.05.10 신규한 저머늄유도체 화합물 및 이의 제조방법 특허법 6명 1년7월 4억 상용화진행중
귀금속촉매 2010.10.08 헤테로다이머 및 합금 나노결정의 제조방법
(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전)
특허법 1명 - 0.42억 상용화 진행중
전자재료 2011.06.02 알킬아미노실란의 제조 특허법 6명 1년10월 2억 상용화진행중
귀금속촉매 2011.12.09 나노래틀 구조물 및 그의 제조방법
(경희대 산학협력단으로부터 권리 이전)
특허법 1명 - 0.42억 상용화 진행중
귀금속촉매 2012.07.19 나노덴트라이트의 제조방법
(경희대 산학협력단, 충북대 산학협력단으로부터 권리이전)
특허법 1명 - 0.4억 상용화 진행중
전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 상용화 진행중
전자재료 2012.08.23 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리방법 특허법 8명 6월 1억 상용화 진행중
전자재료 2013.05.13 인조대리석용 코팅액(대기업 공동특허) 특허법 8명 2년4월
  1억 상용화 진행중
전자재료 2014.01.24 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 (대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 4월 1억 상용화 진행중
전자재료 2014.02.18 산화아연계 박막 증착용 전구체, 그 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법(대기업 공동특허) 특허법 14명 2년 1억 상용화 진행중
전자재료 2014.03.28 트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자 특허법 2명 - 0.1억 상용화 진행중

※ 나노래틀 구조물 및 그의 제조방법과 헤테로다이머 및 합금 나노결정의 제조방법은 2011년 10월 27일에 경희대 산학협력단으로부터 권리 및 기술이전 하였습니다.
※ 트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자는 2014년 6월 25일 인하대학교 산학협력단으로부터 권리 및 기술이전 하였습니다.


나. 환경 관련 사항

 환경물질의 배출 또는 환경보호와 관련된 사항을 규제하는 정부규제의 준수에 대한 사항은 다음과 같습니다.
환경배출물질 법규 규제 사항 준수 사항
먼지, 염화수소, 황화합물 등 대기환경보전법 대기방지시설 (1차 흡착탑/1차 세정식 스크러버)
대기 자가측정 (월2회 측정 /배출허용기준 미만)
COD, BOD, SS 등 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 전량 위탁처리(월 발생량 20톤 미만)
비점오염원 저감설비 설치 수질 및 수생태계 보전에 관한 법 SS,먼지등 강우시 발생되는
비점오염원 저감 후 배출
사업장 폐기물 폐기물 관리법 허가 받은 외부 재활용 처리업체 및 소각 처리 업체
를 통한 전량 외주 처리
※ 당사는 상기와 같은 법규 준수 및 아래와 같은 환경보호 활동을 능동적으로 대응하고 있습니다.
- ISO14001 환경 인증 및 유지관리
- 녹색성장 기본법에 준하는 온실가스 인벤토리 구축 및 배출 감소 활동
- 폐기물 재활용화 사업을 통한 가치 창출

※ 환경유해물질 배출억제를 위해 당사가 투자한 내역은 아래와 같습니다.
(단위 : 천원)
연도별
(최근 3년도)
악취개선 시설명 투자액
2011 중화제 외 12,000
2012 세정식 스크러버 외 208,000
2013 폐수처리 외 302,100
2014 폐수처리 외 158,227


2139.23

▲16.78
0.79%

실시간검색

  1. 셀트리온186,000▲
  2. 셀트리온헬스52,200▲
  3. 삼성전자52,400▼
  4. 에이치엘비136,800▼
  5. 필룩스10,350▲
  6. CMG제약4,455▲
  7. 한화시스템11,300▲
  8. NAVER177,000▲
  9. 메지온225,400▲
  10. 셀트리온제약38,550▲