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삼성 '메모리 초격차' 강화…현존최고 14나노 D램 양산

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조회 6,596 2021/10/12 19:56

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경쟁력 좌우하는 EUV 공정
세계 최초로 멀티층에 적용
생산성·소비전력 20% 개선

  • 노현 기자
  • 입력 : 2021.10.12 17:56:44
  • ◆ 삼성전자 파운드리 청사진 ◆


    메모리 반도체 세계 1위 삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 최첨단 D램 양산에 돌입하며 메모리 반도체 미세공정 경쟁에서 후발주자들과 격차를 벌렸다. 삼성전자는 '10나노급 4세대(1a) D램'으로 불리는 14나노미터(1㎚=10억분의 1m) D램(사진) 양산을 시작한다고 12일 밝혔다. 삼성전자 14나노 D램은 이전 세대인 15나노급(1z) D램 대비 웨이퍼 집적도를 높여 생산성을 20% 개선한 것이 특징이다. 이는 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 20% 늘어난다는 의미로, 원가 경쟁력이 강화되는 효과가 있다. 삼성전자 14나노 D램은 또한 전력 소모를 이전 공정 대비 20% 줄였다.

    삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다.

    삼성전자 14나노 D램의 또 다른 특징은 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 미세공정 경쟁에서 경쟁사 대비 확고한 우위를 확보한 점이다. 반도체는 수십 개의 층(레이어)으로 구성돼 있는데 각각의 층마다 노광·식각 등 주요 공정을 거쳐야 한다. 이 때문에 하나의 반도체를 만드는 데 수백 개의 공정이 필요하다. 삼성전자는 수십 개 층 가운데 5개 층 노광 공정에 EUV를 활용함으로써 기존 대비 공정 단계를 대폭 줄이는 동시에 보다 세밀한 회로를 구현했다.

    반도체 업계에 따르면 삼성전자에 앞서 미국 마이크론과 SK하이닉스가 1a D램을 선보였지만 마이크론은 EUV가 아닌 기존 장비를 사용했고, SK하이닉스는 1개 층에만 EUV를 적용한 것으로 알려졌다.



    삼성전자는 업계 최소 선폭인 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정 기술력을 기반으로 DDR5 D램 대중화를 선도하겠다고 강조했다.

    이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(전무)은 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세공정의 한계를 극복해왔고 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단 14나노 공정을 구현했다"며 "고용량·고성능뿐 아니라 높은 생산성으로 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다"고 강조했다. 

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