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토종 팹리스에 손 내민 삼성…차세대 반도체 개발 지원사격
2022/11/11 17:31 한국경제
[ 강경주 기자 ] 토종 팹리스(반도체 설계 전문) 업체인 넷솔이 차세대 메모리
반도체인 ‘스핀 주입형 자기메모리(STT-M램·사진)’를 국내
최초로 개발했다고 11일 밝혔다. 넷솔의 STT-M램은 최근 삼성전자의 파운드리
(반도체 수탁생산) 공정으로 생산했다. 반도체 분야에서 대·중소기업 간
동반 성장 기회가 마련됐다는 평가가 나온다.
넷솔의 STT-M램은 삼성 파운드리 28나노(㎚·나노미터) FD-SOI 공정을 통 해 경쟁 제품 대비 가장 낮은 전력과 가장 작은 칩 크기로 개발됐다. 그간 대기 업이 관심을 보이지 않았던 50억달러 규모 저전력·저용량 중심의 틈새 반도체 시장을 공략한다는 구상이다. 넷솔은 연내 STT-M램을 양산할 예정이며 2024년 코스닥시장에 상장한다는 목표다.
김영옥 넷솔 각자 대표는 “사물인터넷(IoT)과 산업용, 의료, 자동차 시장 등 다양한 응용처에 대안을 제공하겠다”고 말했다.
김우진 각자 대표도 “국내 중소기업에 삼성 파운드리가 높은 수준의 기술 을 제공해 동반 성장 기회가 마련됐다”고 했다.
M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 램으로, 플래시메모리보다 속도가 약 1만 배 빠르고 초저전력의 특징을 지녔다. 각종 정보기술(IT) 발달로 데이터 양이 급증하면서 전송 지연과 과도한 전력 사용 문제를 동시에 풀 수 있는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다. P램(PRAM), R램(ReRAM) 등 주요 차세대 메모리반도체 후 보군 중 데이터 처리 속도가 월등한 것으로 알려졌다. 최근 IoT기기의 내장 메 모리반도체로 주로 연구되고 있다. 글로벌 M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업으 론 미국 에버스핀 등이 있다.
미국 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 글로벌 시장은 2024년 9억5271만달 러(약 1조3000억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균 성 장률은 39%에 달할 것으로 예상된다.
강경주 기자
ⓒ 한국경제 & hankyung. com, 무단전재 및 재배포 금지
넷솔의 STT-M램은 삼성 파운드리 28나노(㎚·나노미터) FD-SOI 공정을 통 해 경쟁 제품 대비 가장 낮은 전력과 가장 작은 칩 크기로 개발됐다. 그간 대기 업이 관심을 보이지 않았던 50억달러 규모 저전력·저용량 중심의 틈새 반도체 시장을 공략한다는 구상이다. 넷솔은 연내 STT-M램을 양산할 예정이며 2024년 코스닥시장에 상장한다는 목표다.
김영옥 넷솔 각자 대표는 “사물인터넷(IoT)과 산업용, 의료, 자동차 시장 등 다양한 응용처에 대안을 제공하겠다”고 말했다.
김우진 각자 대표도 “국내 중소기업에 삼성 파운드리가 높은 수준의 기술 을 제공해 동반 성장 기회가 마련됐다”고 했다.
M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 램으로, 플래시메모리보다 속도가 약 1만 배 빠르고 초저전력의 특징을 지녔다. 각종 정보기술(IT) 발달로 데이터 양이 급증하면서 전송 지연과 과도한 전력 사용 문제를 동시에 풀 수 있는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다. P램(PRAM), R램(ReRAM) 등 주요 차세대 메모리반도체 후 보군 중 데이터 처리 속도가 월등한 것으로 알려졌다. 최근 IoT기기의 내장 메 모리반도체로 주로 연구되고 있다. 글로벌 M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업으 론 미국 에버스핀 등이 있다.
미국 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 글로벌 시장은 2024년 9억5271만달 러(약 1조3000억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균 성 장률은 39%에 달할 것으로 예상된다.
강경주 기자
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