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◆ 속보) 삼성전자, 3나노 반도체 GAA 설계 완료: 2022년 하반기 양산 예정 -->대형호재!
   삼성전자가 '게이트 올 어라운드 구조의 3나노 반도체 양산에 한발 더 다가섰다
＠ GAA: 삼성전자가 전 세계 반도체 업계에서 최초 양산에 도전하는 차세대 반도체

◆ 3나노 공정은 초미세 공정을 둘러싼 삼성전자와 TSMC의 주도권 다툼의 승부처
   삼성전자의 3나노 GAA 기술력이 더 우수: 3나노 제품 먼저 만드는 곳이 승리!

◆ 3나노 GAA 공정을 활용시 7나노 핀펫 대비 칩 면적은 45% 절감

   소비전력은 50% 절감 효과: 성능은 약 35% 향상 될 것으로 기대

◎ 삼성전자(우): 10년간 5~10배 상승(대박 수익)+고배당 주는 유일한 종목
   향후 10년: 시스템반도체 171조 투자로, 실적 증가 및 주가 5배 급등 전망

◎ 삼성전자(우): 보통주 보다 주가 저렴, 우선주가 배당 15% 더 많아 유리!
   시스템반도체 성장성 매우 커, 2년내 20만원 전망: 지금은 저가 매수 기회

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7/1일 삼성전자는 반도체 설계 업체 시높시스와 협력, GAA 3나노 공정 '테이프아웃'에 성공

테이프아웃은 반도체 설계가 완성됐다는 뜻으로, ？GAA 기반 3나노 반도체 설계를 완료해

생산 단계로 넘어갈 수 있게 됐다는 말이다

테이프아웃 이후 설계된 반도체는 칩 다이가 정상 작동을 하는지 확인하는 과정을 밟게 되고,

검증을 마치게 되면 시험생산·대량생산 등 단계를 거쳐 최종 상용화된다.

양산까지는 아직 시간이 소요되지만 이번 테이프아웃의 경우 차세대 반도체 구조로 꼽히는

GAA 개발에 중요한 진전을 이룬 것이어서 주목된다.

핀펫은 전류가 흐르는 채널이 3개면이었지만 GAA는 '모든 면에서' 전류가 흐르게 한다

이를 통해 궁극적으로 반도체 소형화와 함께 고성능화를 구현할 수 있다.

삼성전자는 오는 2022년부터 3나노 GAA 반도체를 양산할 계획이라고 밝힌 바 있다.

테이프아웃 성공은 목표 달성을 위한 제반 준비가 순조롭게 진행되고 있다는 뜻 해석

삼성전자는 이미 고객사와 공정 개발과 관련해 긴밀한 협의를 하고 있는 것으로 알려짐

삼성전자 관계자는 고객사 칩 도입 일정에 따라 차질 없이 양산을 준비할 계획 밝힘

양산 팹은 화성 V1라인과 평택 극자외선(EUV) 라인이 후보로 떠오르고 있다

삼성전자 화성 EUV 라인

김상윤 삼성전자 파운드리사업부 디자인팀 상무는 시높시스와의 협력을 통해

3나노 GAA 공정 약속을 효율적으로 실현할 수 있게 됐다면서 삼성전자 파운드리는

시장 수요에 대응, 지속적인 공정 기술 진보를 통해 산업 혁신을 촉진하겠다고 밝혔다

삼성전자가 3나노 공정 준비에 박차를 가하면서 TSMC와의 경쟁 구도에 이목이 집중

TSMC도 2022년 3나노 공정 양산이 목표다.

다만 TSMC는 기존 핀펫 구조를 3나노까지는 유지할 예정이다.

두 회사가 3나노 양산에 들어갔을 때 GAA와 핀펫 구조 간 기술 격차도 확인할 수 있음

TSMC는 올 하반기에 팹 자체적으로 선행 시험을 하는 위험 생산에 나설 계획이다