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국내 최대의 개별반도체 회사인 KEC(대표 곽정소)는 미국의 VISHAY SILICONIX와 TRENCH-MOSFET과 관련한 특허 라이센스 및 기술 도입 계약을 체결했다고 밝혔다.

VISHAY SILICONIX는 LOW VOLTAGE MOSFET 분야에서 핵심기술을 선도하는 세계 1위의 공급업체이며, 특히 TRENCH-MOSFET 관련분야에서는 기본 특허뿐 아니라 이 분야의 많은 핵심 특허를 가지고 있다. TRENCH-MOSFET은 TRENCH 공정을 사용하여 Gate를 형성함으로 저항 값을 최소화할 수 있는 저전력 표면실장형의 고효율 반도체로, 최근 배터리를 사용하는 이동기기의 수요 확대로 TRENCH-MOSFET의 수요가 폭발적으로 증대되고 있다.
KEC는 금번 계약으로 VISHAY SILICONIX가 보유하고 있는 TRENCH-MOSFET에 관한 모든 특허에 대해 라이선스 획득 및 기술도입으로 국내 최초로 TRENCH-MOSFET을 지난 3월 준공식를 가진 경북 구미사업장의 MOS FAB공장에서 생산할 수 있게 되었다.

이에 따라 KEC는 KEC의 TRENCH-MOSFET 제품에 대한 고객의 IP 문제에 대한 의문과 기술수준, 품질에 대한 우려를 해소할 수 있게 되었으며, 향후 LOW VOLTAGE MOSFET 의 상품군을 확대해 나갈 수 있는 기술적인 기반을 더욱 강화할 수 있게 되었다.

현재 국내 LOW VOLTAGE MOSFET 시장의 규모는 년간 2500억원 규모로 현재 전량 해외에서 수입하고 있으며, KEC는 국내외에 적극적인 마케팅 활동을 전개해 나가 2010년 LOW VOTAGE MOSFET 의 판매를 1,500억원이상으로 확대해 나갈 계획이다.