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250조 가치를 지닌

삼성전자 40나노 32기가 낸드플래시 관련주

코스닥 상장업체중

바른전자 사실상 하청업체로 관련 낸드플래시 부품 제조 

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신개념 CTF 낸드 기술 개발 …`황의 법칙` 7년 연속 지켜

낸드플래시 향후 250조원 시장 기대

삼성전자가 반도체 기술의 한계를 극복한 신개념 CTF(Charge Trap Flash) 낸드 기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공했다.

또 40나노 32기가비트 낸드플래시를 개발, 메모리 집적도는 1년에 2배로 늘어난다는 `황의 법칙`을 7년연속 지켰다.

삼성전자는 이와 함께 신물질 메모리 512메가 P램, 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip) 등도 발표했다.

삼성전자가 이번에 상용한 CTF 신기술은 1971년 비휘발성 메모리가 첫 개발된 이래 35년간 상용화에 적용돼 온 `플로팅 게이트` 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술이다.

나노공정의 한계인 50나노 장벽을 허물로 40나노 이후의 차세대 나노공정 상용화 가능성을 제시한데 큰 의미가 있다.

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 11일 신라호텔에서 기자간담회를 열고 이같은 기술 개발 성과를 발표했다.

황 사장은 "CTF 기술에 대한 5년간 연구 활동을 통해 155개 원천 특허와 개량 특허를 확보하면서 세계 최초로 상용화에 성공했다"며 "삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 이번 CTF 기술 상용화를 통해 반도체 공정수를 20% 이상 축소해 제조 원가를 획기적으로 절감하고, 현재의 기가 시대를 넘어 2010년 이후 테라(기가의 1000배) 시대 진입의 토대를 마련했으며, 낸드플래시 시장에서 향후 10년간 250조원의 창출효과가 기대된다고 밝혔다.

[박용범 기자]

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