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[투데이리포트]RFHIC, "GaN 기반 RF …" -이베스트투자증권
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| ◆ Report briefing GaN 기반 RF 트랜지스터 및 전력증폭기 생산업체 이베스트투자증권에서 RFHIC(218410)에 대해 "RF 트랜지스터는 이를 어떤 소재를 사용하여 만들었는지에 따라 1) LDMOS(실리콘)트랜지스터와 2) GaN(질화갈륨) 트랜지스터로 구분. 동사는 이중 국내 유일 GaN 기반 트랜지스터/전력증폭기를 생산. 현재 LDMOS 트랜지스터는 가장 일반적으로 사용되는 트랜지스터지만, 3.5GHz 이상의 주파수 영역대에서는 열전도율이 낮아 데이터 처리에 대한 효율성이 떨어짐"라고 분석했다. 또한 이베스트투자증권에서 "GaN 트랜지스터는 가격이 LDMOS 트랜지스터 대비 약 20% 이상 비싸지만, 열전도율이 높아 고주파수 영역대에서의 데이터 처리 효율성이 높음. 2017년 기준 통신부문(민수용)과 방산부문(군용 레이더) 매출 비중은 88:12 수준. 통신부문에서 경쟁사는 Sumitomo, NXP, Infineon, Ampleon 등"라고 밝혔다. |
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